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薄膜材料生长系统
集成电路产业需要大量高端薄膜生长设备，上个世纪80年代，MBE作为一种尖端技术，国外就对中国进行了技术封锁，禁运中国。甚至在今天，MBE仍然属于美国对中国出口的管制类产品，每一台都要经过复杂的审批过程。
南京大学
2021-04-10
高端薄膜材料生长系统
"专门针对实验室对小样品的生长需求，设计小型紧凑的生长腔室、样品台，同时降低购买价格与运行成本。 紧凑的生长腔室 （内径 ~ 300 mm）：内表面积小，更容易实现超高真空，整体占地面积不到1㎡。 电子束加热的小样品台：定向加热，降低了传统灯丝热辐射加热的耗散，保证了较低的环境温度，对真空有利。同时加热速率很快。 30多个标准法兰接口：可扩展性好。 小样品托（18 *12 mm）：刚好适合10 mm左右样品，同时兼容ARPES，STM等标准样品托。"
南京大学
2021-04-10
有机气敏薄膜生长调控与敏感机理研究
本项目属复合材料与传感器研究领域。主要针对气体传感器特异性响应与识别机理、气体信息与电信号转换机制以及薄膜表面/界面效应等基础科学问题开展了深入研究，提出并发展了有机纳米复合气敏材料新领域，为有机/无机纳米薄膜组装与结构调控提供了新途径，同时建立了传感器微观响应模型，对发展新型复合薄膜气体传感器具有重要的科学意义。发表SCI论文71篇，SCI他引905次，均为正面引用，研究成果受到敏感材料与传感器领域研究者的广泛关注与认可。本项目申请国家发明专利49项，授权29项，研制出了灵敏度高、响应快（<
电子科技大学
2021-04-14
氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法
本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方 法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择 优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出 的硒化锑薄膜是以<、221>、方向为主导生长取向；当氧化锌基底 为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以<、120>、方向为主 导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备， 得到相应的硒
华中科技大学
2021-04-14
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
FEP薄膜
产品详细介绍
南京瑞尼克科技开发有限公司
2021-08-23
低辐射薄膜
已有样品/n该项目提供了一种新型低辐射薄膜，分别采用金属薄银层来抑制长波长红外波和短波长紫外波的透射，采用周期性结构来增强可见光波段的透射；对可见光的透射率达到70~96%，对紫外波段的透射率降低到15%、对780nm~1200nm 红外波段的透射率降低到10%以下、对1200nm~3000nm 红外波段的透射率降低到25%以下，层数显著降低，很大程度上缩减了成本，简化了工艺流程。该项目提供的薄膜具有防紫外线、透明和
华中科技大学
2021-01-12
薄膜萃取系统
产品特点：
· 整机功能集成化，外观简洁、大方
· 电气化控制简洁、实用
· 内部结构采用多分区、模块化设计，满足不同工艺下使用要求
· 设备可以整体移动、固定，对于需要在不同环境使用具有较高适用性。
· 操作、维护方便，性能安全可靠
· 可以通过不同的萃取时间、方案，完全模拟出萃取线的过程及其结果
产品应用：
· 开发新的薄膜配方和材料
· 测试新的薄膜表面/添加剂
· 验证薄膜生产工艺条件
· 测试不同萃取方案对于材料的影响
· 萃取后薄膜样品性能测试
· 小批量薄膜生产
技术参数：
· 萃取样品尺寸规格——850mm×850mm
· 样品薄膜厚度——20 - 5000 μm
· 内部分区——3区
· 萃取介质进出——双泵单独控制
· 辅助萃取（可选）——强力超声波发生器
· 设备尺寸—— 1m×1m×1.3m （长×宽×高）
青岛中科华联新材料股份有限公司
2021-09-03
薄膜拉伸机
产品特点：
· 符合人体工程学设计
· 简单、直观的电气化控制
· 通过循环空气或红外加热，薄膜达到精确、可靠的温度
· 通过精准的温度平衡实现完美的工艺控制
· 调试维修方便简单，使用性能可靠
· 可进行纵向、横向或在任何位置的双向同步或异步拉伸
· 可通过不同拉伸速度拉伸薄膜，完美模拟薄膜拉伸流水线工艺
产品应用：
· 开发新的薄膜配方和材料
· 测试新的薄膜表面/添加剂
· 验证薄膜生产工艺条件
· 测试不同萃取方案对于材料的影响
· 萃取后薄膜样品性能测试
· 小批量薄膜生产
技术参数：
· 设备配置——5铗子配置
· 推荐的初始样品膜尺寸——80mm×80mm
· 拉伸比率——10：10
· 最大拉伸尺寸——780mm×780mm（包含铗头区域）
· 拉伸样品膜厚度——20 - 5000 μm
· 拉伸速度——500mm/S
· 最大夹紧力——1000N
· 每一轴拉伸力——2000N
· 设备尺寸——4m×2m×2m（长×宽×高）
· 拉伸样品膜加热系统可到300°C
青岛中科华联新材料股份有限公司
2021-09-03