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借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
单壁、少壁碳纳米管的水分辅助CVD可控生长
CNT纯度>99%（无须后处理），CNT阵列高度10m-1mm，CNT直径2nm-15nm。技术创新点： 采用水分辅助CVD技术，催化剂效率大大提高，可获得极高的碳纳米管纯度。
上海理工大学
2021-04-13
具有抑制革登等RNA病毒复制作用的寡肽
北京工业大学
2021-04-14
一种定子永磁型记忆电机转矩脉动抑制方法
本发明公开了一种定子永磁型记忆电机转矩脉动抑制方法，将永磁磁链与转速的关系预先存储在一个二维表中，通过查表的方式获得给定转速所对应的永磁磁链，提高了电机的调速范围，降低了电机参数对永磁磁链计算精度的影响。与采用两个滞环控制器的控制方法相比，该方法通过电压空间矢量方法使得三相逆变器开关频率恒定，降低了转矩脉动。该方法克服了低速时系统难以精确控制，以及因
东南大学
2021-04-14
一种抑制激光探针自吸收效应的方法
本发明公开了一种抑制激光探针自吸收效应的方法，该方法采 用脉冲激光对待测样品进行烧蚀以产生等离子体，再利用与等离子体 中基态粒子受激吸收跃迁到高能态能级相匹配的激光束对等离子体进 行选择性激发，提高对基态粒子的受激吸收跃迁效率，避开对等离子 体中心待测元素发射光谱的自吸收，以避免待测元素激光等离子体自 吸收效应的产生。本发明从等离子体的本征物理特性出发去消除自吸 收效应，同时又不引入外来干扰，这样不仅可以获得等离子体
华中科技大学
2021-04-14
多特异性铂 (IV) 配合物抑制乳腺癌
南京大学化学化工学院郭子建院士与生命科学院王晓勇教授团队开发了一系列具有免疫调节性能的铂类药物，其中一例多特异性铂(IV)配合物DNP能够通过同时调节炎症和免疫抑制微环境来实现对乳腺癌生长的抑制。
一、项目分类
重大科学前沿创新、关键核心技术突破
二、成果简介
大量的研究发现铂类药物除了直接杀伤肿瘤细胞外，还能够通过调节免疫反应来对抗肿瘤。美国FDA已批准多项铂类药物与免疫检查点抑制剂联合的肿瘤治疗方案，打开了铂类药物设计的新视角。通过合理的设计来增强传统铂类药的免疫调节性能，为临床肿瘤治疗提供新的解决方案。
南京大学化学化工学院郭子建院士与生命科学院王晓勇教授团队开发了一系列具有免疫调节性能的铂类药物，其中一例多特异性铂(IV)配合物DNP能够通过同时调节炎症和免疫抑制微环境来实现对乳腺癌生长的抑制。DNP展现出显著高于顺铂的体内外抗肿瘤活性，机理研究表明该化合物具有多个与乳腺癌、炎症、转移、免疫逃逸相关的靶点，包括环氧合酶2(COX-2)、程序性死亡受体(PD-L1)、乳腺癌相关蛋白BRD4以及胞外调节激酶Erk1/2和致癌基因c-Myc等。这种多特异性既拓宽了对金属药物作用机制的理解，又为化疗免疫联合治疗提供了一个选择策略。该研究成果发表于国际化学顶级期刊Angew. Chem. Int. Ed., 2020,59, 23313。
南京大学
2022-08-12
关节式电分相过电压抑制系统研究
本成果来自有重大应用前景的横向项目，现已结题，知识产权归属西南交通大学。该成果的创新性和先进性：基于小波分析理论及自适应治理原理，对关节式电分相过电压产生机理进行系统研究，借助阻容单元、热爆脱离器、非线性氧化锌阀片单元，研制过电压在线治理装置。该装置的成功研制，能够有效抑制机车过分相时产生的暂时过电压与瞬时过电压，为关节式电分相过电压治理及机车行驶安全提供保障。
西南交通大学
2016-06-27
一种宽阻带抑制高温超导低通滤波器
本发明涉及低通滤波器技术领域，公开了一种宽阻带抑制高温超导低通滤波器，包括依次串联的交指发夹低通滤波器和窄带带阻滤波器；交指发夹低通滤波器包括至少一个交指发夹谐振器，交指发夹谐振器在发夹型谐振单元的一对耦合传输线中引入交指微带线，以在通带和阻带的边缘引入传输零点；窄带带阻滤波器包括至少一个半波长阶跃阻抗谐振器，半波长阶跃阻抗谐振器将半波长谐振器通过电磁耦合形式加载到主传输线，以引入串联传输零点。本发明实现了在宽频段带通和特定频段的有效干扰抑制，同时保持了较小的插入损耗和良好的边带抑制。
上海理工大学
2021-01-12
微创血管介入手术机器人实用系统研究
项目获国家“863”计划资助。由上海交通大学附属胸科医院牵头，与中国科学院自动化研究所，燕山大学、中国人民解放军海军总医院、北京航空航天大学、北京理工大学和北京集翔多维信息技术有限公司共同完成。
心脑血管疾病是人类的第一杀手，目前的人工手术治疗存在诸多弊端，手术机器人的研究已逐步展开。本课题基于HAM(Human Adaptive Mechatronics)的概念，从人的因素、人机一体化设计、智能控制三个方面对微创血管介入手术机器人进行研究。研究内容包括定位机器人、介入装置、介入操作装置。建立我国微创血管介入手术机器人示范系统，为手术机器人的推广应用奠定基础。
技术参数：
定位机械臂：5自由度；运动部分重20kg；承重6kg；
介入装置：2自由度；重量小于4kg；轴向进给误差小于1%；定位精度1mm；轴向转动圈数任意；
介入操作装置：2自由度；重量小于4kg。
技术创新性：
定位机器人采用单报闸锁死多个关节的被动操作方式，符合手术现场需要；
介入装置能够检测导管/导丝与血管壁之间的阻力，具有独创性；
介入装置能够完成导管、导丝、球囊、支架的递送，是介入装置研究的一个突破；
介入操作装置能够根据导管介入装置检测到的导管/导丝与血管壁之间的阻力产生力反馈，操作医生具有力场感觉。
燕山大学
2021-05-04