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千万吨级大采高综放工作面设备配套选型及标准制定基础的研究
在调研国内千万吨级综放工作面生产地质条件的基础上，分析实现千万吨级目标综放面所需的基本条件。测试工作面煤岩力学参数，掌握了工作面煤岩力学特性，为理论分析提供理论基础。从地质因素、设备配套因素、开采技术因素以及管理因素等方面分析各因素对千万吨级大采高综放工作面设备配套的影响，分析千万吨级大采高综放工作面目标实现的地质条件适应性、顶煤的冒放性和实现安全高效开采的主要途径。采用相似模拟试验，获得采场围岩运移及应力分布规律，建立煤壁稳定性分析的力学模型，分析煤壁的稳定性，获得工作面支架支护强度的基本要求。优化研究工作面参数及开采工艺，探索各参数对工作面生产能力的影响并提出在不同开采条件下工作面参数的确定方法和基本要求，探索生产系统中各工序参数对工作面生产能力的影响规律，分析生产系统技术改造对工作面生产能力的影响，找出生产工艺系统中的薄弱工序和最优放煤工艺，提出在不同条件下的工作面生产工艺参数优化配置，为大采高综放面设备选型提供依据。研究 “三机”配套的总体原则，单机配套时的选型原则和工作面设备的基本要求，为试验面设备的配套、选型提供依据。(1)提出了年产千万吨级综放面开采地质条件的基本要求，分析了千万吨级大采高综放面安全高效开采的影响因素。(2)在系统研究大采高综放采场围岩运移及应力分布规律、煤壁片帮机理、工作面参数、回采工艺的基础上，深入研究了工作面“三机”配套选型，提出了相应的配套原则和配套参数。(3)研制了 ZF15000-23/43 正四连杆大采高综放低位放顶煤液压支架、整体自移式ZTZ20000/25/50 型端头自移支架、ZTC30000/25/50 型超前支护支架以及 KSW-1500EU 型电牵引采煤机，并进行了现场工业试验，保障了千万吨级大采高综放工作面平均日产达 3 万t。(4)制定了“千万吨级大采高综放工作面设备配套选型技术要求”技术标准。
安徽理工大学
2021-04-13
一种带有平行翅片迂回流道的双效太阳能平板集热装置
本实用新型公开了一种带有平行翅片迂回流道的双效太阳能平板集热装置，包括有外壳、玻璃盖板和位于外壳内的集热板，集热板上分布有集热水管，集热水管上连接进水口、出水口，外壳的两端设有空气进口、空气出口，空气出口通过管道与风机相连接，集热板上位于集热水管的缝隙处焊接有多个平行翅片，各平行翅片的上沿与玻璃盖板接触。本实用新型可以实现太阳能集热器同时给水和空气进行加热，具有综合集热效率高、运行稳定、节省空间，成本低等优点。
安徽建筑大学
2021-01-12
一种基于 FPGA 以电阻应变片为称重传感器的简易电子秤
本实用新型涉及电子技术，具体涉及一种基于 FPGA 以电阻应变片为称重传感器的简易电子秤，包 括机械结构和电路部分；电路部分包括线性电源和基准电压模块；机械结构包括支架、悬臂梁和秤盘， 悬臂梁一端固定在支架上，秤盘悬挂于悬臂梁另一端；电路部分还包括电阻应变传感器、信号放大模块、 低通滤波器、A/D 转换器、FPGA 及键盘控制模块和 LCD 显示模块；电阻应变传感器与信号放大模块、 低通滤波器、A/D 转换器、FPGA 依次相连，键盘控制模块、
武汉大学
2021-04-14
采用离子辐照增强PtPb/Pt二维纳米片电化学催化活性的实验成果
采用核技术方法，利用高能离子束辐照，对PtPb/Pt二维纳米片进行了原子尺度结构调控和修饰，极大地提高了纳米片的催化活性。在线辐照和原位透射电子显微镜（TEM）结果表明：通过入射高能离子与纳米片中靶原子相互作用，精确地控制纳米片微观结构的变化，利用键长变化和电子轨道杂化等机制来修饰表面原子的电子结构，从而增加催化反应活性位点，增强催化性能。同时，通过调节入射离子的剂量大小，可以有效地控制缺陷产生的数量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二维纳米片材料。
北京大学
2021-04-11
一种基于多肽模板合成二氧化锰纳米片的方法及其应用
本发明涉及纳米材料、催化及分析化学领域，具体包括一种基于多肽作生物模板合成二氧化锰纳米片的制备方法及其在催化及分析化学方面的应用。该方法利用多肽的纳米结构特征及其官能团的性质，将多肽与二价锰离子混合，加入氢氧化钠后常温反应以使二氧化锰纳米片在多肽的稳定下生成。该材料具有仿酶催化特性，使其在分析化学、环境工程和催化领域有着广阔的应用前景。该方法以生物材料为模板，制备工艺简单，反应条件温和环保，纳米结构易控。
青岛农业大学
2021-04-13
一种五轴加工轨迹中刀具圆环体向三角片的边投影的算法
本发明属于铣削加工相关技术领域，其公开了一种五轴加工轨 迹中刀具圆环体向三角片的边投影的算法，其包括以下步骤:(1)判断 刀具圆环体向三角片的边投影的特殊情况，若存在特殊情况，则转至 步骤(5)，否则转至步骤(2);(2)根据第一几何约束条件来确定初始迭代 角度;(3)基于第二几何约束条件及第三几何约束条件来计算及离散初 始迭代角度区域，以确定较优初始迭代角度;(4)基于第二几何约束条 件及第三几何约束条件，采用割线法搜索最优角度，若成功则转至步 骤(5)，否则结束;(5)依据搜索到的所述最优角度计
华中科技大学
2021-04-14
DT640硅二极管温度传感器低温温度测量裸片温度计
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-01-21
DT640-BC型裸片温度计硅二极管低温温度传感器锦正茂科技
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-11-17
科技部部长阴和俊：加快建立健全新型举国体制 科技部重点推进三方面工作
3月5日，十四届全国人大二次会议首场“部长通道”开启，科技部部长阴和俊围绕科技如何支撑高质量发展，怎样支持青年人才挑大梁等话题答疑解惑。
科技日报
2024-03-05
锦正茂 硅二极管DT640-BC型裸片温度计小型温度传感器1.4K-500K
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-05