产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

本发明提供一种马鞍抛物面空间混合缆索体系的悬索桥及方法，包括：桥塔，其包括门式框架柱、抛物线形塔帽和塔帽支撑斜柱；平行钢丝缆索，其悬挂在桥塔之间，所述平行钢丝缆索端部通过锚碇固定；马鞍抛物面索网，其为马鞍抛物面空间网下垂构成的空间索网，马鞍抛物面索网覆盖在平行钢丝缆索上，马鞍抛物面索网上还放置有多道钢结构曲梁，并通过夹具将所述平行钢丝缆索、马鞍抛物面索网与所述钢结构曲梁固定；空间斜拉索网，其设置在平行钢丝缆索两侧，上端锚固在塔帽支撑斜柱中，下端与加劲钢梁相连。本发明的悬索桥具有跨越能力强、结构空间刚度大、抗风稳定性好和施工方便等优点，从根本上解决特大跨径悬索桥抗风稳定性问题。

本发明提供的是一种高含L-乳酸发酵乳的混合菌发酵剂及其制备方法.它是干酪乳杆菌,嗜酸乳杆菌,嗜热链球菌三株菌,以初菌数1:1:1的比例混合,并按照重量比为2～5%的比例接种到增菌改良培养基中进行发酵培养,并控制增菌过程的pH值在5.0～6.5,在32℃～40℃的温度下发酵培养3～5小时;发酵完毕后,将发酵液离心处理,得到离心沉淀物,在无菌条件下采用海藻酸钙固定化菌体,经预冷冻,真空冷冻干燥,包装制成的产品.本发明的产品是一种直投式发酵乳生产的干粉发酵剂,其使用方法快捷经济,产L-乳酸量高.可以防止在保存,继代培养过程中菌种组成和代谢活性发生变化.使用本发明的产品可以提高发酵乳的质量,保证产品的质量均一,稳定.

本发明公开了一种制备基于叶酸修饰的混合光子晶体复合材料的方法，采用二氧化硅胶体微球作为模板，并将其置于反应管中，加入预凝胶A反应、聚合后，去除二氧化硅胶体微球，制得反蛋白石骨架，将预凝胶B加入该骨架中反应、聚合20～60s后，即制得混合光子晶体，随后配制叶酸?二甲基亚砜混合溶液，加入1?(3?二甲氨基丙基)?3?乙基碳二亚胺盐酸盐，混合光子晶体和N?羟基琥珀酰亚胺反应后，洗涤，即可制得该复合材料。本发明的显著优点为制法简单容易，对设备要求低，制得的复合材料稳定性强，具有优越的生物兼容性和磁性响应性，能够特异、灵敏、简单、有效地抓捕到髓性白血病耐药细胞，并使得耐要细胞株具有良好的生物活性。

本发明公开了一种混合动力公交车在线自学习能量管理方法，该方法首先根据出厂时设置的初始能量管理策略控制发动机和电动机的转矩分配，随着公交车在固定路线上的运行，获得初始策略对应的动作值函数后，可以从该动作值函数出发，通过公交车在道路上的往复运行，在线、自主地学习适合于公交车运行路况的能量管理策略；本发明充分利用混合动力公交车在同一路线上往复运行的特点，采用自学习的方法来获得适用于公交车运行路况的能量管理策略，具有能源分配合理、燃油经济性高、尾气排放少、鲁棒性好、节能环保的特点。

本项目基于系统辨识的原理，通过对控制对象参数进行估计，并根据辨识 结果对控制其参数进行及时调整，克服了控制对象参数的不确定性以及时变性 对控制系统性能的不利影响,并且兼顾了重复控制方法能够精确跟踪含有谐波成 分的周期信号，具有计算量小，易于在数字信号处理器(DSP)上实现的优点。仿 真结果证明基于系统辨识的 HVDC 直流有源滤波器控制技术具有良好的控制性 能，能够对 HVDC 系统直流侧谐波进行有效的抑制。

针对化学工业园区混合污水的成分复杂、COD 高、含盐高、难降解的技术难题，以水解酸化、接触氧化、曝气生物滤池为基础，耐盐菌种为核心，开发A-O-A-B 复合工艺处理工业园区混合污水处理技术。具体工艺流程如下：（1）预处理：具有不同污染特征的污水单独进行相应预处理，之后均匀混合，混合后进水 COD 小于 2000mg/L；（2）出水首先引入一级水解酸化池。水解酸化池表面负荷 0.3-0.8m 3 /(m 2 ·h)，水力停留时间一般控制在 10-20h；（3）出水引入生物接触氧化池。溶解氧含量一般应维持在 2.5-3.5mg/L 之间，气水比为（15-20）：1。对于可生化性较高的有机污水，有机负荷宜取 1.0-1.8kgBOD/m 3 .d；对于生化性较差的废水，有机负荷取 0.8-1.2kgBOD/m 3 .d；对于生化性较好但有机浓度较高的工业废水，有机负荷宜取 1.0-2.0kgBOD/m 3 .d。进水 COD Cr ＞1500mg/L 时，HRT 为 10-18h；COD Cr 为 1000-1500mg/L，HRT 为 8~12h；COD Cr低于 1000mg/L，HRT 为 6-10h；（4）出水引入二级水解酸化池，水解酸化池表面负荷 0.5-1.0 m 3 /(m 2 ·h)，水力停留时间控制在 8-12h。（5）出水进入曝气生物滤池（BAF）。气水比（3-5）：1，BOD 5 负荷 2.0-5.5kg/(m 3 .d)，NH 3 -N 负荷0.35-0.7kg/(m 3 .d)，水力停留时间 2-2.5h，反冲洗周期 2-10d。

本发明涉及一种混合型磁通耦合超导故障限流器及限流方法，本发明中：耦合变压器的一次侧绕组 线圈同快速开关相联且并入 MOA 氧化锌电阻片，二次侧绕组线圈同超导限流材料相串联，继而将一、 二次侧绕组线圈呈反向并联后接入电力系统主回路。在电力系统正常运行时，快速开关处于闭合状态； 当系统发生短路故障后，控制快速开关触发断开，耦合变压器的磁通锁定特性将解除，且超导材料因其 通流大于临界电流设定而切换到高阻态，此时限流器呈现电感-电阻混合式成分进行故障限

本发明公开了一种石墨烯基双模混合集成电控液晶微透镜阵列，包括阵列化控光架构、第一驱控信号输入端口和第二驱控信号输入端口，阵列化控光架构的上下层之间顺次设置有第一基片、微圆孔形图案化石墨烯电极、第一液晶定向层、第一液晶层、第二液晶定向层、石墨烯共地电极、第二基片、第三液晶定向层、第二液晶层、第四液晶定向层、微圆环孔形图案化石墨烯电极、第三基片，微圆孔形图案化石墨烯电极、石墨烯共地电极和微圆环孔形图案化石墨烯电极分别