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钙钛矿光伏材料的生长机理原位的研究
随着能源危机和环境污染问题的日益严峻，太阳能等绿色可再生能源近年来得到了广泛关注。伴随着光电转换效率的提升和生产成本的下降，太阳能电池愈加凸显其广阔的应用前景。有机无机杂化铅卤钙钛矿太阳能电池，作为新型太阳能电池的后起之秀，在短短七年内，光电转换效率从3.8%迅速增长到22.1%。虽然钙钛矿太阳能电池在效率上已经取得重大突破，但人们对于钙钛矿材料本身的生长机理以及薄膜形貌的形成机制研究还需要进一步加强，而基于此的研究对钙钛矿材料的深入认知以及相应的光电器件的应用具有重大意义。
北京大学
2021-04-11
植物组培苗生长发育的非接触检测技术
项目简介 针对传统接触式的检测方法难在线获取组培苗生长发育动态信息的缺点，本项目利 用图像分析、近红外光谱技术以及叶绿素荧光技术等物理方法建立了组培苗生长发育的 非接触检测技术体系。其工作原理为：组培苗的图像像素点与组培苗生物量具有很好的 相关性，建立组培苗像素点与组培苗的生物量的关系模型，获取待测组培苗的图像信息， 建立组培苗的生物量随时间变化的模型，获取组培苗生长的动态信息，结合水分蒸（发） 腾模型，获取组培苗蒸腾作用和水分利用率；依类似方法获取组培苗根生长的动态信息。 利用培养
江苏大学
2021-04-14
氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法
本发明公开了一种氧化锌基底诱导取向生长的硒化锑薄膜的方 法，其特征在于，该方法是以特定取向的氧化锌基底诱导生长具有择 优取向方向的硒化锑薄膜；当氧化锌基底为(100)取向时，诱导生长出 的硒化锑薄膜是以<、221>、方向为主导生长取向；当氧化锌基底 为(002)取向时，诱导生长出的硒化锑薄膜是以<、120>、方向为主 导生长取向。本发明中的方法可应用于硒化锑薄膜太阳能电池的制备， 得到相应的硒
华中科技大学
2021-04-14
电生功能水促进芽苗菜生长及提高其功能品质技术
一、成果简介 芽苗菜，包括绿豆芽、黄豆芽、豌豆芽等是民间广泛食用的传统蔬菜。由于豆类萌发过程中发生了大量复杂的生理变化，各种生物酶活化或合成，豆类子叶中贮藏的大分子物质被酶分解为可供胚利用的多肽、氨基酸 等小分子物质，维生素、异黄酮等对人体有益的营养物质也在发芽过程中积累，因此豆类芽菜较豆类种子营养价值明显提高。此外，经过发芽豆类种子中的一些抗营养因子如胰蛋白酶、植酸减少甚至消失，大豆的胀气性
中国农业大学
2021-04-14
铁矿粉颗粒表面铁晶须形成与生长机制研究
采用试验检测与理论分析相结合、宏观测试与微观结构分析相结合气固还原反应基本原理与分子动力学模拟相结合的方法，研究了气固还原过程中的铁氧化物颗粒表面铁晶须的形成、生长形态；研究还原气体组成、温度、脉石成分或添加剂、表面改质预处理等对颗粒表面新生铁晶须生长状态、生长速度的影响和作用机理，重点探明铁矿粉颗粒表面铁晶须的形成、长大的机理，以及铁矿粉颗粒间铁颗粒间的粘结、桥接方式和相互作用规律；为揭示流态化还原中铁矿粉粘结失流问题及其控制奠定理论基础和参考依
重庆大学
2021-04-14
一种水貂生长期补充饲料及其制备方法
本发明公开了一种水貂生长期补充饲料，各组分重量配比如下：植物性饲料70～80份，动物性饲料10～30份，氨基酸饲料1～5份，矿物质饲料1～5份，氯化胆碱0.1～0.5份，复合酶制剂0.1～0.5份，微生态制剂0.05～0.2份，乙氧基喹啉0.1～0.5份，添加剂预混料0.5～1份，本发明的饲料可以提高水貂生长期的生长速度、成活率、皮毛质量，提高饲料中蛋白质、脂肪的消化率，降低水貂幼貂的腹泻率和料重比。
青岛农业大学
2021-04-13
关于晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制的研究
研究团队创造性提出晶体表界面调控的“变异和遗传”生长机制，在国际上首次实现种类最全、尺寸最大的高指数晶面单晶铜箔库的制造。
北京大学
2021-04-11
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11