本发明公开了一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置，包括：反 应腔，其内部形成的空腔用于作为前驱体与微纳米颗粒的反应空间； 多个前驱体供应装置，其分别通过管道与所述反应腔相通以提供不同的前驱体；载气输送系统，前驱体通过该载气输送系统输出的载气输 送到反应腔中；以及粉体颗粒装载装置，用于承载待修饰的微纳米颗 粒；通过多个前驱体供应装置分别向反应腔交替地输送前驱体，并进 入旋转的粉体颗粒装载装置中以与微纳米颗粒表面接触进行原子层沉 积反应，从而在微纳米颗粒的表面形成包覆薄膜，实现表面修饰。本 发明还公开了利用

本发明公开了一种原子层沉积装置，包括原子层沉积单元喷头，所述单元喷头包括高压气流入口，惰性隔离气体入口通道，出气口通道，和两种前驱体入口通道，其中所述高压气流入口喷出高压气体以顶起整个沉积装置，该装置是微型开放式且可移动可扩展，能够适用于大型非平整结构表面薄膜沉积，并可直接经过简单多块组合，增加沉积效率。

本发明公开了一种表面改性的 CeO2 纳米材料及产品，属于钙 钛矿太阳能电池领域，所述 CeO2 纳米颗粒表面包裹有双极性有机分 子，以使该 CeO2 纳米材料能同时在极性溶剂和非极性溶剂中均匀分 散。本发明还提供一种纳米墨水，其中的表面改性的 CeO2 纳米材料 均匀分散在溶剂中。本发明还提供采用以上纳米墨水制备的粗糙度小 于 1nm 的电子传输层，以及采用该电子传输层制备的三种结构的钙钛 矿太阳能电池。本发明的

一种表面贴装用气密性金属外壳，属于芯片金属封装器件，解决现有插装式金属外壳引出线较长，易导致绝缘子产生裂纹从而气密性失效，且绝缘子气密性较差的问题。本实用新型包括管座、绝缘子、引出线、管帽，管座用于安放芯片，引出线上端用于通过导线连接芯片的引脚，管帽用于和管座气密性封接，绝缘子为下端具有环形裙边的空心柱体，绝缘子上端位于所述管座的通孔内，绝缘子下端环形裙边将绝缘子上端和所述通孔之间的孔隙气密性封闭；引出线穿过绝缘子并与其紧密贴合，引出线露出绝缘子下端的部分整体植有焊球。本实用新型引出线较短，和 PC

本发明公开了一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置，包括：反应腔，其内部形成的空腔用于作为前驱体与微纳米颗粒的反应空间；多个前驱体供应装置，其分别通过管道与所述反应腔相通以提供不同的前驱体；载气输送系统，前驱体通过该载气输送系统输出的载气输送到反应腔中；以及粉体颗粒装载装置，用于承载待修饰的微纳米颗粒；通过多个前驱体供应装置分别向反应腔交替地输送前驱体，并进入旋转的粉体颗粒装载装置中以与微纳米颗粒表面接触进行原子层沉积反应，从而在微纳米颗粒的表面形成包覆薄膜，实现表面修饰。本发明还公开了利用上述装置进行微

本实用新型提供一种油画表面三维点云扫描系统，包括二维激光位移传感器(1)、精密程控三维平 移台(2)、真空吸盘载物台(3)、光电定位开关(4)、控制器(5)、计算机(6)和限位器(7);二维 激光位移传感器(1)经控制器(5)连接计算机(6);精密程控三维平移台(2)包括 X 轴平移臂和 Y 轴平移台，真空吸盘载物台(3)安装在 Y 轴平移台上;光电定位开关(4)经控制器(5)连接计算机 (6)，限位器(7)采用凹形限位条，固定在真空吸盘载物台(3)下方。本实用新型实现简单，成本较 低，同时确保使用获得的点云精度，具有重要的市场价值。

西安电子科技大学机电工程学院多智能体研究中心郑元世教授团队通过引入了智能体及邻居的历史状态，提出了一种基于记忆信息的一致性协议并建立了该协议下显式的一致域。

随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起，数据量呈现爆炸式增长，传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时，摩尔定律逐渐放缓，单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限，通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构，将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统，实现计算能力的飞跃。 目前被广泛使用的经典冯·诺依曼计算架构下数据存储与处理是分离的，存储器与处理器之间通过数据总线进行数据传输，在面向大数据分析等应用场景中，这种计算架构已成为高性能低功耗计算系统的主要瓶颈之一：数据总线的有限带宽严重制约了处理器的性能与效率，且存储器与处理器之间存在严重性能不匹配问题。忆阻器存算一体系统把传统以计算为中心的架构转变为以数据为中心的架构，其直接利用阻变器件进行数据存储与处理，通过将器件组织成为交叉阵列形式，实现存算一体的矩阵向量乘计算。忆阻器存算一体系统可以避免数据在存储和计算中反复搬移带来的时间和能量开销，消除了传统计算系统中的“存储墙”与“功耗墙”问题，可以高效、并行的完成基础的矩阵向量乘计算，未来极有潜力成为支撑人工智能等新兴应用的核心技术。 清华大学吴华强教授团队实现了材料与器件、电路设计、架构和算法的软硬件协同等多方面原始创新，解决了系统精度损失等被广泛关注的难题： 材料与器件创新。科研团队选择了电学特性稳定的二氧化铪作为忆阻层核心材料，提出了通过插入少量氧化铝层来固定离子分布、抑制晶粒间界形成的新理论，提出了引入热增强层的新原理器件结构，成功抑制了忆阻器非理想特性的产生。 电路设计创新。开发了一套忆阻器与晶体管的混合电路设计方法，提出“差分电阻”设计思想，采取源线电流镜限流设计，抑制了忆阻器电路中可能产生的各种计算误差。 算法创新。提出了混合训练算法，仅用小数据量训练神经网络并只更新最后一层网络的权重，即可将存算一体硬件系统的计算精度达到与软件理论值相同的水平。 “技术链”创新。从“单点技术突破”拓展到“技术链突破”，开发了针对忆阻器存算一体芯片的电子设计自动化（EDA）工具，打通了从电路模块设计到系统综合再到芯片验证的设计全流程。 上述理论和方法发表于《自然》《自然·纳米技术》《自然·通讯》等国际顶级期刊，以及被誉为“集成电路奥林匹克”的“国际固态电路大会”等顶级学术会议。研究成果被“国际半导体技术路线图”和30多部综述文章长篇幅引用。团队已在该研究方向申请国内外专利72项，其中30项已获得授权，知识产权完全自主可控。 团队已研制出全球首款忆阻器存算一体芯片和系统，集成了8个忆阻器阵列和完整的外围控制电路，以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了计算设备的算力。全系统的计算能效比当前主流的人工智能计算平台——图形处理器（GPU）高两个数量级。团队还设计了一款基于130nm工艺研制的完整忆阻器存算一体芯片，在MNIST数据集上计算速度已超过市面上28nm工艺的四核CPU产品近20倍，能效有近千倍的优势。

项目成果/简介:随着人工智能、大数据、物联网、区块链等新一代信息技术兴起，数据量呈现爆炸式增长，传统计算系统的算力难以满足海量数据的计算需求。与此同时，摩尔定律逐渐放缓，单纯依靠提高集成度、缩小晶体管尺寸来提升芯片及系统性能的路径正面临技术极限，通过引入忆阻器新器件、模拟计算新范式、存算一体新架构，将拓展出全新的高性能人工智能芯片与系统，实现计算能力的飞跃。