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一种两性键合硅胶固定相及其制备方法和应用
本发明公开了一种两性硅胶固定相及其制备方法和在及其在样品分离中的应用。本发明以无水甲苯 作为溶剂，将硅胶与叔氨基硅烷偶联剂和羧基硅烷偶联剂混合，在三乙胺存在下回流或室温反应，即得 到键合有叔氨基官能团和羧基官能团的两性硅胶固定相。本发明液相色谱硅胶固定相的制备方法简单，
武汉大学
2021-04-14
接枝两性离子提高聚酰亚胺膜抗污染性能的方法及产品
本发明公开了一种提高聚酰亚胺膜抗污染性能的方法及产品， 属于聚酰亚胺膜的改性领域。本发明包括如下步骤：将聚酰亚胺膜浸 渍在二胺溶液中 0.1h～24h，之后取出洗净；将洗净的聚酰亚胺膜浸渍 在酸性溶液中 1h～48h，之后取出洗净。本发明利用了两性离子具有 良好的亲水性的特点，成功地将两性离子接枝到聚酰亚胺膜的表面， 赋予聚酰亚胺膜较高的亲水性能，明显提高了膜的亲水性，进而提高 抗污染性能，并能减少微生物吸附和抑制生
华中科技大学
2021-04-14
教育部召开党组扩大会传达学习2024年全国两会精神
要实施高等教育综合改革试点，加快拔尖创新人才培养，把大科学研究范式贯穿高层次人才培养全过程，实施区域创新合作专项行动，优化学科专业和资源结构布局，大力提高职业教育质量。
微言教育
2024-03-14
海峡两岸高等教育融合发展学术活动在福州举行
4月15日，海峡两岸高等教育融合发展学术活动在福州举行。
中国高等教育学会
2024-05-11
一种基于 D2D 和上行 NOMA 的两用户通信方法
本发明公开了一种基于 D2D 和上行 NOMA 的两用户通信方法，包括：获取当前网络信息和用户信息；两个用户需要在通信时长 T 内完成各自的数据传输，当距离上满足 di＞dj＞d0 且 dj+d0＞di,i≠j,i,j∈{1,2}时，用户 i 在通信时长 T 内使用全部频谱资源将数据量 Di 通过D2D 方式传输给用户 j；用户 j 工作在 FD 模式，在通信时长 T 内使用全部频谱资源通过 NOMA 方式将数据量 Di 和 Dj 上传给基站，其中用户 i 的数据作为强用户数据，基站首先对其进行解码，然后再解码用户 j 的数据；本发明提供的结合 D2D 技术的上行 NOMA 高能效通信方法，与采用上行 OFDMA 的通信方法相比，在保证系统频谱效率不变的情况下，较好地提升了系统能效。
华中科技大学
2021-04-11
推介案例 | 哈尔滨工程大学-大疆创新智能机器人实践创新基地
为落实教育部推进产教融合、校企合作相关工作部署，促进高校教学改革，推动产教融合型企业建设，中国高等教育学会于2020年8月启动了2020年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例推选工作，经资格审核、通讯推选、路演答辩、走访考察以及网上公示等环节，共有103项案例认定为2020年度中国高等教育博览会“校企合作 双百计划”典型案例，近期，“中国高等教育博览会”微信号将陆续推出“双百计划”典型案例推介专栏，欢迎关注。
哈尔滨工程大学
2021-09-26
寒武纪大爆发时期动物门类多样性及其演化关系研究
以埃迪卡拉纪晚期至寒武纪早期的生物群和地层为研究对象，开展动物门类多样性及其演化关系研究。揭示海洋生态系统内动物门类多样性在空间上的变化和时间上的演化过程。同时，发现更多门类的最早化石记录，提高三大亚界内部门类之间谱系演化关系的解析度。
西北大学
2021-02-01
大尺寸宽禁带半导体氮化镓单晶衬底产业化技术
在大尺寸宽禁带/半导体单晶衬底外延设备、材料生长等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出国内第一台用于氮化镓（GaN）衬底的卤化物气相外延（HVPE）系统，研究发展了获得高质量GaN衬底所需的所有关键技术并拥有自主知识产权，在氮化镓单晶衬底设备和材料技术领域已获授权国家发明专利30余项、申请国家发明专利30余项。在国内最早研制出2英寸毫米级GaN单晶衬底，建成6英寸HVPE系统并实现7片2吋及4-6吋GaN均匀生长；研究出创新性的GaN衬底批量制备技术，即将进行高质量、低成本GaN衬底的产业化应用，为第三代半导体应用奠定了材料基础。
南京大学
2021-05-10
一种适应急水流条件大叶藻种子增殖装置及方法
本发明公开了一种适应急水流条件大叶藻种子增殖装置及方法，该装置包括装置主体(1)、地上部分(2)、隔板(3)、地下部分(4)，所述装置主体(1)为一根直径15cm硬质pvc管，长度30cm，管上端3cm处设置隔板(3)，将管分为地上部分(2)和地下部分(4)。本发明具有种子萌发率高、成本低廉、操作简单的特点，适合推广应用。
青岛农业大学
2021-04-11
一种基于超构透镜阵列的大视场集成显微成像装置
发明(设计)人：李涛, 徐贝贝, 祝世宁。本发明涉及一种基于超构透镜阵列的大视场集成显微成像装置。该装置包括：光源、超构透镜阵列、线偏振片和图像传感器；所述线偏振片固定于所述光源的后方，且所述线偏振片位于所述光源的出射光路上；所述超构透镜阵列固定于所述线偏振片的后方，且所述超构透镜阵列位于所述线偏振片的出射光路上；待成像物体位于所述线偏振片和所述超构透镜阵列之间；所述图像传感器位于所述超构透镜阵列的后方；所述超构透镜阵列中包括周期性排布的多个超构透镜。本发明可以实现在不牺牲分辨率不增加工作距离的条件下，扩大成像视场。
南京大学
2021-04-10