历史文化厚重 办学成绩显著成都理工大学工程技术学院是教育部批准的全日制普通高等学校，由中国核工业西南物理研究院与成都理工大学于2000年在亚洲最大的受控核聚变实验基地创办，是我国核工业所属唯一普通本科高等学校（国有、公办）。学院秉承“两弹一星”精神和“四个一切”核工业精神，恪守成都理工大学“穷究于理、成就于工”的校训，形成了“敢为人先，奋发图强，育才树人，追求卓越”的大学文化。学院在同类院校中首批获得学士学位授予权，形成了以工学为主，涵盖理、工、经、管、文、艺术、教育等七大门类，多学科协调发展的学科专业体系。学院面向全国28个省（直辖市、自治区）招生，现有在校生近20000人，已为社会输送优秀毕业生70000余名。学院先后荣获“中国一流高等独立学院”“全国独立学院毕业生就业竞争力20强”“四川省高校就业工作先进单位”“全国教育教学管理示范院校”“全国教育管理创新十大独立学院”“中国十大优势专业独立学院”“全国最具办学特色示范院校”“全国最具社会满意度示范院校”“全国教育现代化建设示范（院）校”等荣誉。学院社会知名度高、影响力强，建设及办学成就多次被中央电视台、人民日报、中国教育报等中央媒体报道。地理优势独特 校园环境优美学院位于世界著名旅游胜地——四川省乐山市主城区，面朝三江、背依峨眉。乐山交通发达、出行便利，纵贯西南的高速铁路、高速公路交汇于此，距离成都国际机场40分钟，是西部综合交通次枢纽。学院占地面积1300余亩，规划面积1800余亩，绿化覆盖率达70%，校园景色宜人，处处彰显环境育人的特色。校区地势丘峦起伏，建筑布局随湾依山，占地300余亩的沫若湖碧波荡漾，环湖公园、万景花园鸟语花香，银杏大道、香樟大道风景如画，桂花林、桃花林相映成趣，与峨眉山—乐山大佛世界自然与文化双遗产景区融为一体……是四川省唯一同时拥有全国绿化模范单位、省级绿化模范先进学校、省级园林式单位等荣誉的大学。师资力量雄厚 科研成果丰硕学院现有教师1200余人，是国家事业编制人员，副教授以上高级职称及博士、硕士学位教师占教师总数87.5%。学院分别从清华大学、北京大学等高校及中国科学院、中国工程院、核工业系统等科研院所聘请了一批富有教学、科研经验的院士、教授为学科带头人，双师型教师所占比例逐年提高，形成了老中青结合，结构合理，德业并进的优秀师资队伍。学院科研成果丰硕，多年来在同类高校中名列前茅，先后获得“国防科技工业管理创新奖”，省部级“科技进步奖”多项。近三年来，学院教师主持国家自然科学基金、国家国防预研、核能开发项目、西物创新行动人才金字塔项目以及各类纵横向科研项目近200项，与地方大中型企业、研究所成功对接项目二十多项，直接服务地方经济建设社会发展取得显著成效；获授权发明和实用新型专利近90项，在核心及以上期刊发表论文近600余篇，其中，SCI、EI期刊、CSCD等收录80余篇。同时，学院在中核集团的大力支持下，学院教师已参与到当今最大的国际合作科研项目“国际热核聚变实验堆计划”当中，为开发人类终极能源作出贡献。教学条件完善 育人特色鲜明学院已建成工程训练中心、核工程与核技术实验教学中心、经济与管理实验教学中心、土木工程实验教学中心、先进制造技术虚拟仿真实验教学中心等5个省级实验教学示范中心，教学科研设备总值达4亿元。学院智能化图书馆藏书176万册。建在我院的中国核聚变博物馆已入选第八批全国重点文物保护单位、第三批国家工业遗产，是全国核科普教育基地、四川省科普教育基地、四川省爱国主义教育基地、四川省研学基地，已成为教学科研和大学生思想政治教育的高端平台。学院致力于培养理论基础扎实，实践能力强，具有创新精神的应用型高级专门人才。近三年，学生参加全国大学生“恩智浦”杯智能汽车竞赛、全国大学生电子设计竞赛、全国大学生结构设计竞赛、高教社杯全国大学生数学建模竞赛、全国大学生机械创新设计大赛、“学创杯”全国大学生创业综合模拟大赛等国家级大赛中，获得一等奖29项、二等奖30项、三等奖26项。在中国高等教育学会《高校竞赛评估与管理体系研究》专家工作组发布的2015-2019年学科竞赛排行榜中我院位列全国同类高校第9名。就业优势明显 发展前景广阔学院利用独有的核工业背景，在中国核工业国家实验室及大中型企业建立就业实习基地，在珠江、长江三角洲建立实习及就业办事处，与多家核电站签订用人协议，向核工业系统输送大量的优秀人才；与百余家知名企事业单位建立良好合作关系，实施“订单式”人才培养模式、设立企业奖学金、有针对性地举办各类供需见面会，多渠道搭建就业平台，拓宽就业途径。中核集团、中广核、中国工商银行、中国移动通信集团公司、中国联通网络通信集团有限公司等央企定点在我校招聘，毕业生就业率连年保持在95%以上，部分专业达100%，倍受用人单位的欢迎和好评。学院先后荣获“全国独立学院毕业生就业竞争力20强”“四川省普通高等学校毕业生就业工作先进单位”“西部大开发人才培养基地”“全国职业核心能力优秀单位”“全国最具社会满意度示范院校”等多项荣誉。当前，成都理工大学工程技术学院正迎着高等教育改革的春风，深入贯彻落实全国教育大会精神，围绕立德树人根本任务，按照国家军民融合发展战略部署，抓住“中国制造2025”与核工业大发展的良机， 奋力谱写新时代一流应用型大学建设新篇章!

宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线

本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。

成果描述：本实用新型公开了基于电子信息技术的标签检测设备,包括安装底板,安装底板的上方焊接有罩壳,罩壳的两端均设有物料通道,物料通道的开口处铰接有盖板,罩壳的顶部内壁安装有驱动装置,驱动装置上安装有取料机构,安装底板上方还安装有调节装置,调节装置的一侧安装有物料存放盘,调节装置包括与安装底板固定连接的矩形安装板,安装板的一侧侧边焊接有第一限位柱,安装板与第一限位柱相邻的一侧侧边焊接有第二限位柱,安装板远离第一限位柱的一侧下方安装有第一定位机构。本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。市场前景分析：本实用新型结构简单、操作调节简单、适用于各种型号的电子信息技术的标签的定位操作,为电子信息技术的标签自动化检测提供基础。与同类成果相比的优势分析：国内领先

成果描述：本实用新型公开了一种基于电子信息技术的自动冲模装置,包括机架和开关控制装置,所述机架的顶部中央位置焊接有下模座,且下模座的顶部匹配有上模座,所述上模座的两侧分别竖直设有导杆,且两个导杆的底端分别焊接在机架的顶部两侧,每个导杆上开设有矩型放置腔,且矩型放置腔的两侧内壁上均开设有矩型开口,所述矩型放置腔的内部竖直设有金属杆,且金属杆焊接上模座的一侧水平焊接有与矩型开口内壁滑动连接的连接杆,所述连接杆靠近上模座的一端焊接在上模座的中央位置。本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。市场前景分析：本实用新型经济实用,冲模装置通过对推杆电机的正反转进行智能控制,以此来带动上模座对下模座上的物料进行冲模操作,使得冲模装置的工作效率高。与同类成果相比的优势分析：国内领先

项目概况 针对小型化、集成化、高频率和高运算速度的电子器件，应用磁流体的热磁对流效应，把磁流体作为新一代高效传热冷却技术用于高密度高功率电子器件设备中。 主要特点 1. 选择合适的外加磁场和屏蔽技术。 2．温度区内磁场梯度条件和粒子浓度的准确控制 3．磁流体微型热管散热过程的磁场的准确定位。 技术指标     建立适合电子器件密集环境下适用磁流体散热技术及相应的磁场条件和屏蔽技术，提高了磁流体在磁场、热场和重力场协同作用下的流动传热效果。促进节能环保技术的发展，达到节能减排的绿色材料应用。市场前景 目前该项目已通过现场的工业化证明，散热效果好，能达到电子器件冷却要求，满足工业生产的需求，在生产过程中无污染，无三废排放。该项目可应用于高密度、高功率电子器件密集环境下的散热设备中，具有较好的经济效益和社会效益。

近几年，硅基集成电路的速度遭遇瓶颈、停滞不前，解决的办法之一是引入光子学器件，部分取代电子学集成电路中的信号处理和互联器件，这就要求光子学器件具有像电子学集成那样的小尺度和三维集成能力，同时具有和电子学集成兼容的制备工艺。这些要求使得光电混合集成面临巨大的挑战，是一个世界性的难题。 光学所张家森教授团队与信息科学学院彭练矛教授团队合作，提出了基于表面等离激元和碳纳米管的三维光电混合集成系统，该系统与现有的COMS制备工艺兼容，可以实现光子学和电子学的三维集成和互联，为解决集成电路的速度瓶颈提供了一种方法。他们演示了几种集成回路，包括在片光操控回路、波长和偏振复用回路和具有COMS信号处理电路的集成模块。Fig. 1. Integration of plasmonic-enhanced detector with carbon nanotube (CNT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) signal processing circuits. a, Schematic of the 3D integrated circuits, consisting of bottom-layer passive WFSAs and metal connection lines, in-between HfO2 dielectrics and Au cross-layer connection lines, and top-layer plasmonic receiver and CNT CMOS signal processing circuits. b, Output characteristics of the plasmonic-enhanced barrier-free-bipolar diode (BFBD) and the normal BFBD under the illumination at "λ" =1200 nm. c, Electric field pattern of the La=320-nm SA. d-e, Transfer (d) and output (e) characteristics of the CMOS. f, VTC curves of the CMOS (blue line) and the 3D integrated circuits (red line). Inset is the corresponding equivalent circuit diagram of the 3D integrated circuits. g-i, Statistical figures of merit of the deep-subwavelength modules, including photocurrent (g) and photovoltage (h) of the BFBD as well as on-state current of the CMOS (i). 这种三维集成系统的优点包括：1. 使用低温COMS兼容制备工艺，可以在单片集成回路中集成光子学模块、电子学信号处理系统和存储系统；2. 利用具有原子厚度的碳纳米管材料以及金属工艺，使得光子学集成和电子学集成在材料上兼容；3. 基于表面等离激元使得光子学器件尺度可以和电子学器件尺度相近，便于集成；4. 碳纳米管的工作波段可以覆盖整个通讯波段，这是硅材料无法做到的；5. 光电探测器工作于光伏模式，可以减小能耗。该工作是首次利用原子厚度材料实现三维光电混合集成，可以实现更小的尺寸、更快的速度和更多的功能，同时，有可能解决电子学集成回路在速度上的瓶颈。 上述实验结果近期发表于最新一期《自然 电子学》杂志。 相关文献：Yang Liu, Jiasen Zhang, and Lian-Mao Peng, Three-dimensional integration of plasmonics and electronics. Nature Electronics 1, 644-651 (2018).Yang Liu, Jiasen Zhang, Huaping Liu, Sheng Wang, and Lian-Mao Peng, Electrically-driven monolithic subwavelength plasmonic interconnect circuits. Science Advances 3, e1701456 (2017).

本成果以混合自适应 人工智能优化程序设计出亚波长单晶硅超构表面结构，实现了相位的精确控制并减小了单晶硅结构在可见 光的吸收。进一步，使用该结构实现了浸镜油浸没下数值孔径为1.48的高透过率超构光学透镜，在可见光 532纳米波长实现211纳米线宽的聚焦光斑，可大大提高共聚焦显微镜分辨率。此成果在2018年12月美国光 学学会旗下光学与光子学新闻（Optics & Photonics News）入选为本年度国际光学重要进展，并对该成果作 了整版报道。已申请国内发明专利一项。 本成果适用于显微显纳成像、激光光刻、光镊等光学聚焦应用相关领域。进一步扩展，可用于光学摄 像及显示技术中的微光学器件。已作为光学探针初步应用于共聚焦成像系统，目前正研制新一代技术拓展 于手机摄像、显示微光学等。