|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
可燃品安全存储柜
通过FM认证，符合FM6050标准。
乐普乐吉可燃品安全存储柜与易燃品安全存储柜具有通用的标准化结构，相等的优质材料与精密工艺，并标准配置了更多的层板，更有效地适用于常见的小型可燃品容器，如喷罐、漆罐等。
乐普乐吉安全科技（上海）有限公司
2021-02-01
弱酸碱品安全存储
通过FM认证，符合FM6050标准。
弱酸碱品安全存储柜与易燃品安全存储柜具有通用的标准化结构，相等的优质材料与精密工艺，喷涂能承受常用酸碱品的涂层。
弱酸碱品的腐蚀性特点，在每一层镀锌层板上安设了带凹槽聚丙烯托盘，可盛接意外泄漏的液体。
乐普乐吉安全科技（上海）有限公司
2021-02-01
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元；每个上电极 只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极， 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作；沿 着上电极的方向定义为 X 方向，沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度， 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器
本发明公开了一种基于隔离型存储阵列结构的固态存储器，包 括 M×N 个上电极、N 个下电极以及 M×N 个存储单元；每个上电极 只与一个功能层相连；功能层位于上电极与所述下电极之间；通过外 部的控制信号选择 X 方向的第 i 个上电极和 Y 方向的第 j 个下电极， 使得由第 i 个上电极、功能层和第 j 个下电极构成的存储单元工作；沿 着上电极的方向定义为 X 方向，沿着下电极的方向定义为 Y 方向。本 发明中的隔离型crossbar阵列结构通过一定程度降低单元阵列集成度， 提高了阵列各存储单元的
华中科技大学
2021-04-14
铁电高分子柔性存储器：高容量电子数据存储
铁电高分子利用两个稳定的偶极取向状态，以二进制代码“0”或“1”的形式存贮信息，该方式具有掉电不丢数据、超快擦写速度（微/纳秒）、极低的工作电压（1～5V）、高耐久性的特点，适用于便携式电子产品。我校用集成电路常用的光刻技术制备了铁电高分子的光栅或点阵结构，采用干涉光可将特征尺寸缩小到300纳米以下，一家法国公司正在尝试运用该项技术。
南京大学
2021-04-14
计算盘
产品详细介绍
常州市海华教学仪器厂
2021-08-23
云计算
随着IT行业在全球范围内的快速发展，IT平台的规模和复杂程度出现了大幅度的提升，但是，高昂的硬件和运维管理成本、漫长的业务部署周期以及缺乏统一管理的基础架构为企业IT部门制造了重重障碍。云计算技术颠覆性的改变了传统IT行业的消费模式和服务模式，消费者实现了从以前的“购买软硬件产品”向“购买IT服务”转变，并通过Internet自助式的获取和使用服务，大大提高了IT效率和敏捷性。
H3C CAS云计算管理平台是为企业数据中心量身定做的虚拟化和云计算管理软件。借助H3C强大的研发与产品优势，以及以客户为中心的服务理念，H3C CAS云计算管理平台可以为企业数据中心的云计算基础架构提供业界先进的虚拟化与云业务运营解决方案。H3C CAS云计算管理平台基于业界的虚拟化基础架构，实现了数据中心IaaS云计算环境的中央管理控制，以简洁的管理界面，统一管理数据中心内所有的物理资源和虚拟资源，不仅能提高IT人员的管理能力、简化日常例行工作，更可降低IT环境的复杂度和管理成本。H3C CAS云计算管理平台融合了H3C在网络安全领域多年的积累，通过对IEEE 802.1Qbg（EVB）标准的支持，为虚拟机在安全、可视、可监管的环境下运行奠定了坚实基础；创新的动态资源扩展、高可用性、动态资源调度等功能为虚拟化平台提供了简单易用、成本低廉的高可用管理模式；自助式云服务通过弹性的虚拟资源池为组织和用户提供了安全、隔离的逻辑资源，极大的提高了IT业务的响应能力。
新华三技术有限公司
2022-08-31
一种磁光电混合存储系统及其数据获取和存储方法
本发明公开了一种磁光电混合存储系统，该系统包括内存、固 态盘存储区、磁盘存储区和光盘存储区。上述三个存储区区域在逻辑 上构成统一的存储空间，维护一个全局文件地址映射表，使得用户或 者外部程序能够以统一一致性的方式进行数据寻址和存取。当存储数 据时，该系统存储管理区根据数据的存取行为，自动在上述三个存储 区选择合适的物理存储位置和数据组织方式。当存取模式发生变化时， 存储管理区动态地选择合适的物理存储位置和数据组织方式
华中科技大学
2021-04-14
阻变存储器集成
已有样品/n垂直结构的高密度三维交叉阵列，结合了3D-Xpoint以及3D-NAND两种架构的优势，具有制备工艺简单，成本低廉以及集成密度高等优点。刘明团队在前期四层堆叠结构的基础上（IEDM 2015 10.2、VLSI 2016 8.4）实现了8层结构的设计，进一步验证了RRAM三维结构微缩至5nm以下的可能性。
中国科学院大学
2021-01-12
多功能存储微系统芯片
在后摩尔时代，发挥多功能、异质集成技术的优势和特点，面向存储系统应用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，构成具有多功能的存储微系统芯片。
西安电子科技大学
2022-06-10