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烟气高压脱硫脱硝技术研究
烟气高压脱硫脱硝技术研究:获得烟气高压脱硫、脱硝一体化关键技术， 最优条件下脱硫脱硝效率分别可达到 100%和 93%。自主研发了可以同时测量 5 种溶液成分 CO2、HCO3-、HSO3-、SO2 和 SO32- 的 滴定装置(Self-build Auto Titrator)，解决了1溶液测量中难以获得溶液中 溶解 CO2 和 SO2;2滴定方法难以区分 HCO3-和 SO32-的关键测量问题。该溶液 分析装置可用于脱硫塔中 SO2、CO2 相关反应机制的研究，也可用于 Callide 电 厂脱
上海理工大学
2021-01-12
一种煤的脱碱方法
本发明公开了一种煤的脱碱方法，包括以下步骤：(1)将待脱碱 的原煤进行破碎，得到煤粉；(2)将步骤(1)中得到的煤粉与洗脱液进行 混合，得到煤水混合液，所述洗脱液为水溶性有机溶剂的水溶液，其 中水溶性有机溶剂的体积分数在 5％至 20％之间；(3)向步骤(2)中得到 的煤水混合液通入含二氧化碳的气体，在 20～60℃下搅拌浸洗 3～24 小时，使得二氧化碳过量；(4)将经步骤(3)处理的煤水混合液进行固液 分离，得到的固形物干燥后即为脱碱煤。本方法脱碱效果好，反应条 件温和，工艺简单，成本低廉。
华中科技大学
2021-04-13
污水深度脱氮除磷技术
一、项目分类
关键核心技术突破
二、成果简介
近十几年来，随着污水厂一级A排放标准的提标改造工作的快速推进，有效削减了全国范围内有机物、氮源及磷源的排放，有效缓解了水生态环境的压力，在一定程度上控制了黑臭水体及富营养问题的发生。然而全国范围内的水污染问题是分布不均的，部分流域存在环境容量较小、生态环境脆弱，容易发生严重环境污染问题，2015年环保部针对生态环境脆弱等敏感水体提出更为严格的特别排放限值。随后北京、河南、天津、安徽、江苏和浙江等省市相继发布了新的地方排放标准，各地出台的高标排放限值在污水处理厂掀起了新一轮的提标改造工作。
华中科技大学
2022-07-26
生物膜内自养脱氮工艺
CANON工艺（Completelyautotrophicammoni-umremovalovernitrite）即生物膜内自养脱氮工艺，是一种新型生物脱氮工艺，该工艺是指在单个反应器或者生物膜内通过控制溶解氧实现亚硝化和厌氧氨氧化，从而达到脱氮的目的。在微氧条件下，亚硝酸菌将氨氮部分氧化成亚硝酸，消耗氧化创造ANAMMOX过程所需的厌氧环境；产生的亚硝酸与部分剩余的氨氮发生ANAMMOX反应生成氮气。在限氧条件下能够建立好氧和厌氧氨氧化菌的共生系统，而这一系统的
山东大学
2021-04-14
石油化工生产脱氯净化技术
上世纪八十年代起，我国石油化工有了飞速的发展，相继兴建了十多套大型乙烯、芳烃生产装置。其中扬子石油化工公司芳烃联合装置是国内最大的生产装置。芳烃联合装置在加氢裂化、连续重整、歧化、异构化等对物料加工的过程中，会产生微量的氯化氢、硫化物，对设备有严重的腐蚀，连续化的大型生产装置存在着重大安全隐患。大多数芳烃装置采取的措施：（1）碱液吸收；（2）注缓蚀剂
南京工业大学
2021-01-12
1070型多功能脱影翻拍仪
产品详细介绍1070型多功能脱影翻拍仪价格：4500.00主要参数基座尺寸：600 × 600 mm 有效高度：1000 mm相机横向移动：40 mm相机旋转：360 °脱影箱规格：LP 3300 薄型灯箱脱影箱体积：570 × 435 × 52 mm有效脱影面积： 400 × 300 mm脱影色温：5200° K显色指数：Ra 93配置灯具：150 灯架( 1付 )可满足基本拍证需求
北京华兴瑞安科技有限公司
2021-08-23
新型LED有机硅封装胶
近些年LED照明技术革命引起世界各国的普遍重视，市场潜力巨大，其中LED封装胶是LED应用的关键材料之一，其主要功能在于负载荧光粉并为供芯片提供足够的保护，使其发光更亮、更持久。封装胶材料对LED芯片的功能发挥具有重要的影响，散热不畅或出光率低均会导致芯片的功能失效，目前市场上高端LED封装胶主要由道康宁、信越等国外公司垄断。 本项目研制了新一代LED封装胶，并建立了新的胶联理论和方法，解决了以往封装胶合成过程中需要金属催化剂而引起的金属残留问题，提高了封装胶材料的性能和寿命，相对于现用的市场上的国外标杆产品，北航自主开发的新一代LED封装胶在耐老化性能、抗黄变性能方面通过了更为苛刻的实验测试，且原材料成本低廉，极具市场竞争力。
北京航空航天大学
2021-04-10
长循环硅基复合薄膜负极
随着微电子行业等微型化科技的快速发展，薄膜材料得到广泛应用。薄膜电池作为微型电源器件具有广阔发展空间。薄膜材料对于硅基负极而言，其短程储锂深度和单向膨胀的优势能够有效克服硅基材料的本征导电率低和体积膨胀大的问题。开发无需粘结剂的硅基负极薄膜材料对于薄膜负极发展意义深远。项目通过物理沉积方法，实现电极结构设计与导电型材料复合，改善硅基材料低导电率问题，优化硅基材料体积膨胀缓冲空间，从而完成无粘结剂硅基材料制备和倍率、循环等性能的提高。
厦门大学
2021-01-12
硅通孔结构及其制造方法
本发明公开了一种硅通孔结构的制造方法，包括以下步骤：将硅片的厚度减薄至 5 微米至 20 微米；去除硅片表面的所有绝缘层；在硅片的导电区表面和绝缘区表面制作掺杂掩膜，以对导电区和绝缘区分别进行粒子掺杂，绝缘区与导电区掺杂的粒子的极性相反；在粒子掺杂完成后去除掺杂掩膜；在导电区表面覆盖金属电极；在硅片的表面除金属电极之外的区域覆盖绝缘层。本发明的方法制造工艺简单，可避免刻蚀、绝缘处理等工艺对硅片的破坏，并能够提高制造硅通孔结构的成品率。本发明还公开了一种硅通孔结构。
华中科技大学
2021-04-11
一种深硅刻蚀方法
本发明公开了一种深硅刻蚀方法，包括如下步骤：（1）在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；（2）对硅片进行深感应耦合等离子体干法刻蚀，包括多个刻蚀阶段，每个刻蚀阶段均在感应耦合等离子体机内，通过钝化、轰击和刻蚀三个步骤交替循环加工完成，随着刻蚀深度的增加，各刻蚀阶段中轰击步骤的轰击强度逐渐增强。本发明有效解决了现有技术中侧壁垂直度及粗糙度难以控制以及大刻蚀深度难以实现的问题，在提高刻蚀效率的同时，提高了对光刻胶的选择比，刻蚀槽侧壁垂直度高，粗糙度小，刻蚀深度大。
华中科技大学
2021-04-14