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反射式空间光调制器FSLM-2K39-P02
西安中科微星光电科技有限公司
2022-06-27
反射式空间光调制器FSLM-4K70-P02
西安中科微星光电科技有限公司
2022-06-27
一种 IQ 光调制器偏置电压的控制系统及方法
本发明公开了一种 IQ 光调制器偏置电压控制系统及方法，该控 制系统包括顺次连接的激光光源、偏振控制器、IQ 光调制器、光耦合 器、光电探测器、数据处理模块，IQ 光调制器的输出经光耦合器分光 后连接到光电探测器，其输出与数据处理模块的输入相连，数据处理 模块的三个输出分别送至 IQ 光调制器的三个子调制器的直流偏置电 压输入端口。该控制方法为首先通过测量输出光功率的最大值及相邻 最小值，优化子相位调制器的偏压，然后
华中科技大学
2021-04-14
基于多层空间光调制器的高分辨全息三维显示装置和方法
本发明公开了基于多层空间光调制器的高分辨全息三维显示装置，包括：相干光源、扩束准直系统、空间光调制器组、图像传输模块和计算机，所述的空间光调制器组由平行排布的N个空间光调制器的组成。本发明还公开了基于多层空间光调制器的全息三维显示方法。本发明采用空间光调制器多层前后排列的方式，每一层空间光调制器根据计算机载入的编码图像对入射其上的光束进行全息编码调制，再现出真实空间的高分辨全息三维光场，扩大了全息显示的观察范围，可供多人多视角裸眼同时观看，消除了观察者在观看三维显示过程中的不适应感，自动符合人类在视觉观察及深度感知方面的自然生理和心理习惯。
浙江大学
2021-04-11
高性能非制冷红外探测器芯片
技术成熟度：技术突破
研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线，在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差（NETD）大、集成兼容性差的难题，提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路，获得超薄宽带高吸收率材料；提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路，获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器，NETD降低3倍，研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
InP基多量子阱光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器技术
基于平面光波光路(PLC)技术的各类光功能器件，是实现现代高速光网络、高速光信号处理、大容量光互连节点和终端设备中光信号处理模块的基础。/lineInP基多量子阱PLC器件基于成熟的半导体工艺，以脊波导为基础，具有体积小、功耗/损耗低、可靠性高、性价比高等优点，在国际上即将形成新的产业热点。电子科学与工程学院光子学与光通信研究室顺应这一趋势，潜心攻关，埋头研究，历时四年完成了InP多量子阱PLC单元器件理论与实验研究。在国内首次建立了PLC光路设计和光学特性测试平台，探索出国产化工艺加工途径，取得多项自主知识产权，成功地研制出InP基多量子阱PLC无源光子器件。包括光调制器/开关、可调式多模干涉耦合器、谐振腔滤波器、2×4分路器等，于2007年2月通过了教育部组织并主持的科技成果鉴定，达到国际先进水平。
东南大学
2021-04-10
磁场调制型永磁耦合器
本发明公开了一种永磁耦合器，包括：两相对布置且同心的转 子；同心设置于第一转子上并与之同步旋转的多对极永磁体，以产生 第一旋转磁场；以及同心设置于第二转子上并与之同步旋转的导体环； 还包括设置在永磁体与导体环之间的调制铁环，第一旋转磁场经该调 制铁环的磁场调制作用后，可在靠近第二转子的气隙中变为第二旋转 磁场，导体环在第二旋转磁场作用下感应出一与该旋转磁场极对数相 同且保持同步旋转的磁场，从而产生稳定不变的转矩实现稳定地传输 功率。本发明通过磁场调制作用与磁耦合效应的结合，可以同时实现 “变速与恒频
华中科技大学
2021-04-14
芯片热设计自动化系统
TDA（芯片热设计自动化）软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真，支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究，直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度，进而提高芯片性能、寿命和可靠性。
清华大学
2025-05-16
两部门关于开展高性能生物反应器创新任务揭榜挂帅工作的通知
高性能生物反应器创新任务揭榜挂帅。
工信部
2025-06-05
CMOS 图像传感器芯片设计
成果与项目的背景及主要用途： 人类通过视觉系统获取的信息占获取信息总量的 80%以上，如果说计算机相 当于人类的大脑，那么图像传感器则相当于人类的眼睛。图像传感器作为图像信 息获取最重要和最基本的技术在信息世界中将占据着极其重要的地位。半导体图 像传感器相比传统的胶片成像具有可实时处理和显示、数字输出、便于储存和管 理等诸多优势，正在迅速成为图像传感器发展的主导力量。CMOS 图像传感器相 对于 CCD 图像传感器具有单片集成、低功耗、低成本、体积小、图像信息可随 机读取等一系列优点。在手机拍照、PC 摄像、机器视觉、视频监控等诸多领域 已经取代了 CCD 图像传感器。 技术原理与工艺流程简介： （1）时间延迟积分型 CMOS 图像传感器芯片 通过 0.18µm 1P4M CMOS 工艺完成了对最高 128 级线阵长度为 1024 像素的 TDI 型 CMOS 图像传感器芯片的设计、投片和测试工作。 （2）具有紧凑读出的多次积分动态范围扩展 CMOS 图像传感器 提出了一种通过多次积分扩展动态范围的方法，采用紧凑读出方式，以降低 对对读出电路的工作速度要求。成功流片 128×128 阵列原型，动态范围可以扩展 39dB,像素读出时间相对于滚筒是曝光增加了 3 倍。 应用前景分析及效益预测： 该领域开始向着高清专业摄像、高精度工业和医疗成像、抗辐射太空成像等 专业高端领域迈进。CCD 传感器的衰退之势难以挽回，CMOS 将在未来几年保 持优势地位。2015 年，CMOS 出货量将达到 36 亿个，份额达 97%；而 CCD 出 货量将下降到只有 9520 万个，占 3%份额。 应用领域： CMOS 图像传感器广泛应用于消费类、工业和科技等各个领域。民用领域： 拍照手机、数码相机、可视门镜、摄像机、汽车防盗等；工业领域：生产监控、 安全监控等。 技术转化条件： 四十平方米以上的办公用房，电脑、工作站若干，相应软件。也可以和 RFID 天线制造单位，卡片封装单位共同合作。 合作方式及条件：根据具体情况面议
南开大学
2021-04-11