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生物抗氧化剂调控奶牛围产期代谢应激关键技术 与应用
该成果 2015 年获全国商业科技进步奖一等奖。成果包括奶牛围产期疾病的预测预报和生物抗氧化剂防控围产期疾病的发生两部分。通过在围产期检测高产奶牛代谢应激状况的预测预报和生物抗氧化剂的应用,不仅使围产期脂肪肝、酮病、生产瘫痪、真胃变位等疾病的发病率明显降低,同时可显著降低临床型乳房炎和子宫内膜炎的发生,对保障牛奶的质量和安全具有积极意义,具有广阔的应用前景。
扬州大学 2021-04-14
低维半导体表界面调控及电子、光电子器件基础研究
本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究,主要技术创新点有: 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长,解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题,开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构,得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上,共计40余篇,授权专利16项;与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作,成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延,为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺,系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质,极大地拓展了传统的半导体光电材料体系;首次提出一种桥接的异质结构筑方式,大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒,获得了高性能二维异质结光电器件;发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法,调节晶体管特性为强增强型,利用这种设计,实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测,相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上,共计30余篇,授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控,首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型,实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器;利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性,在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性;通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管,使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限,有效降低了器件能耗;创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构,实现了器件高性能与多功能的集成,器件性能为当时最高指标;发展了新型存算一体架构电子器件技术,首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器,有望突破当前算力瓶颈,提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上,共计60余篇,授权专利7项。
武汉大学 2022-08-15
颌骨修复材料研发团队揭示纳米表面性能对骨免疫的调控机制
 纳米表面结构引导骨再生是当前骨替代修复材料领域一个新的研究方向及研究热点。目前的研究主要集中在纳米表面结构对成骨细胞系成骨分化的调控机制,而对成骨微环境中免疫细胞的调控作用研究甚少。本研究系统比较了巨噬细胞对不同纳米颗粒大小(16,38,68 nm)和不同表面化学成分(富含胺基的丙烯胺及富含羧基的丙烯酸)的纳米表面结构生物材料的免疫应答差异,发现纳米表面结构可以改变巨噬细胞的形态,将胞外的理化信号转入胞内,激活自噬反应,从而调控免疫微环境,影响间充质干细胞的成骨分化。      该研究从骨形成免疫微环境的角度提出了“纳米表面引导成骨”的新机制,提示通过精准控制生物材料的纳米表面结构,可靶向调控免疫细胞,营造有利于骨形成的免疫微环境,最终实现纳米成骨,为纳米骨生物材料的研发提供了新的策略。
中山大学 2021-04-13
一种利用压力来调控贵金属纳米材料晶相含量的新策略
自然界中,贵金属金(Au)的块体只能以其热力学稳定结构面心立方(fcc)相存在。只有在纳米尺度,利用湿法化学合成方法,人们才能获得具有独特光学性质的,密排六方hcp-4H结构的Au纳米材料。虽然通过配体交换或外延生长贵金属的方式,可以在溶液中诱导4H相的Au变为fcc结构,获得更多的结构信息。但是,具体的结构性质和相转变过程仍然无法确定。本工作利用金刚石对顶砧(DAC)技术对4H相的Au纳米材料进行研究,探索其结构和相变过程,达到高压贵金属相工程的目的。 高压X射线衍射表明,压力在1.2 – 26.1 GPa之间,Au的4H结构逐渐转变为fcc相。同时,该过程的不可逆性使得贵金属高压相工程成为了可能。即通过控制最高压力,获得不同4H/fcc相含量的Au纳米材料。同时,相比纯4H相的Au纳米带,具有4H与fcc相交替多相结构的4H/fcc Au纳米棒更容易发生高压相变。这主要是由于4H/fcc多相Au纳米棒中大量相边界提供的相变成核位点,可以促进4H-fcc的相变过程。此外,课题组通过高分辨透射电子显微技术和密度泛函理论(DFT)计算的结合,首次观测到了原子尺度的Au相变路径。发现Au由4H-fcc的相变机理为(-112)4H晶面的整平,并伴随着密堆积方向的改变。这与以往观测到的金属高压hcp-fcc相的相变机制完全不同。该工作不仅对Au纳米结构的稳定性和相变提出了新的见解,而且提供了一种利用压力来调控贵金属纳米材料晶相含量的新策略,该策略可用于研究基于晶相的催化、表面增强拉曼散射、波导、光热疗法、传感、清洁能源等领域中。
南方科技大学 2021-04-13
融合扩张观测器的超临界火电机组机炉协调控制方法
本发明公开了一种融合扩张观测器的超临界火电机组机炉协调控制方法。首先根据1000MW超临界火电机组的非线性模型,基于非线性分析的方法在机组的不同工况点建立多个局部线性模型。之后采用该组局部线性模型,设计了一种融合扩张状态观测器的多模型预测控制器(MMPC)。通过扩张状态观测器的引入,估计并补偿了机组在不同通道内的扰动及模型不确定性,提升了预测控制器的扰动抑制性能。本发明的算法能在保证控制系统全局稳定的前提下实现机组负荷的大范围跟踪,并且具有良好的扰动抑制性能。
东南大学 2021-04-14
最新的MEMS陀螺仪--HTG系列陀螺仪
产品详细介绍 最新的MEMS陀螺仪--HTG系列陀螺仪 MEMS陀螺仪HTG系列简介:最新的MEMS陀螺仪--HTG系列陀螺仪是用来测量角速率的固态传感器, 采用MEMS芯片,制造采用BIMOS生产工艺和载流焊工艺技术。HTG系列MEMS陀螺仪具有高可靠性和高封装坚固性;可用于惯性测量元件、高可靠性的汽车电子、导弹制导和控制、飞行器稳定控制、天线稳定、摄像、数码摄影、机器人等系统。 MEMS陀螺仪HTG系列性能参数:
陕西航天长城科技有限公司 2021-08-23
仪研(上海)YJ-0633A药物黏度测定仪
YJ-0633A药物黏度测定仪 本仪器YJ-0633A药物黏度测定仪的制造符合中国药典2020年版0633黏度测定法所规定的技术要求,可以通用品氏和乌氏粘度计。本仪器专为粘度测试设计,由水槽和控制器两部分组成。粘度恒温槽提供一个稳定的温场和测试平台,此外仪器也可作为高精度浴槽,进行其它试验。本仪器的最大特点是:全喷塑处理,经久耐用;双层缸结构,高精度控温仪,控温准确。 主要功能特点 1、采用智能液晶显示温控仪,控温迅速,响应快,超调小,控温精度达±0.1℃。 2、采用硬质玻璃缸及保温外套缸(称双缸),保温性能好,试样观察清晰。 3、采用台式、一体机设计方式,仪器整体性好,使用方便。 4、带有线控计时按键,用于实验时的计时显示和控制。 5、采用电动搅拌装置,浴缸内的温度均匀。 6、制冷器与主机分离式设计,防止压缩机工作振动带来的粘度计测试误差。 二、主要技术参数 1、工作电源:   AC(220±10%)V,50Hz±5%。 2、加热功率:   1600W。 3、搅拌电机:   功率6W;转速 1200r/min。 4、测温范围:    10℃~180(选配制冷器后可实现制冷)5、控温精度:   ±0.1℃。 6、恒温浴:     容量,25L;形式,内外两层缸(双缸)。 7、使用环境:   环境温度-10℃~+35℃,相对湿度<85%。 8、温度传感器: 工业铂电阻,其分度号为Pt100。 9、整机功耗:   不大于1800W。 10、毛细管粘度计:  4支(平氏或者乌氏客户可任选)11、外形尺寸:   530㎜×400㎜×670㎜ (长×宽×高,含浴缸等)。
仪研智造(上海)药检仪器有限公司 2025-02-20
PVC塑料氧化诱导期分析仪测试仪
产品详细介绍品牌:久滨型号:JB-DSC-500B名称:差示扫描量热仪一、产品概述:  DSC测量的是与材料内部热转变相关的温度、热流的关系,应用范围非常广,特别是材料的研发、性能检测与质量控制。材料的特性:如玻璃化转变温度。冷结晶、相转变、熔融、结晶、热稳定性、固化/交联、氧化诱导期等,都是DSC的研发领域。二、仪器符合国家标准:GB/T 19466.2 – 2004 / ISO 11357-2: 1999第2部分:玻璃化转变温度的测定;GB/T 19466.3 – 2004 / ISO 11357-3: 1999第3部分:熔融和结晶温度及热焓的测定;GB /T 19466.6- 2009/ISO 11357-3 :1999 第6部分氧化诱导期 氧化诱导时间(等温OIT)和氧化诱导温度(动要态OIT)的测定。三、技术参数:1、DSC量程:0~±500mW2、温度范围:室温~500℃   3、升温速率:0.1~80℃/min4、温度分辨率:0.01℃5、温度精度:±0.1℃6、温度重复性:±0.1℃7、DSC精度:±2%8、DSC分辨率:0.001mW9、DSC解析度:0.001mW10、控温方式:升温、恒温、降温、循环控温(全程序自动控制)11、曲线扫描:升温扫描12、气氛控制:气体质量流量计自动切换两路气体13、显示方式:24bit色,7寸LED触摸屏显示14、数据接口:USB标准接口,配套相应操作软件15、参数标准:配有标准校准物,带一键校准功能,用户可自行对温度进行校准16、工作电源:AC220V  50Hz/60Hz17、全封闭支架结构设计,防止物品掉入到炉体中、污染炉体,减少维修率四、应用实例:  测量与热量有关的物理、化学变化,如玻璃化转变温度、熔点。熔融温度、结晶与结晶热、相转变反应热,产品的热稳定性、固化/ 交联、氧化诱导期、反应动力学、比热等。
上海久滨仪器有限公司 2021-08-23
PCR仪 全自动基因扩增仪 中学专用生物实验
产品详细介绍    
北京川布兰生物技术开发有限公司 2021-08-23
SD-2泄漏电流测试仪检定仪
产品详细介绍 一、前言      SD-2检定仪是用于检定泄漏电流仪的电压和电流指示误差的仪器,它由可调电阻、电流表、电压表和可调电源组成。二、测试项目及主要技术参数型号 SD-2电流测量范围 0.1~20mA电流测量精度 0.5级电压测量范围 50~300V电压测量精度 0.5级工作电源 AC220V三、使用环境及要求1.环境温度  5~40℃2.环境相对湿度  ≤95%3.避免阳光直射或雨淋
深圳市世纪经典检测仪器有限公司 2021-08-23
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