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利用冷冻电镜三维重构技术解析流感病毒聚合酶调控RNA合成机制
首次系统性地研究了流感病毒聚合酶与不同RNA启动子的相互作用机制，阐明了RNA启动子结合构象在合成不同RNA时所发挥的作用。团队还提出了聚合酶合成RNA起始阶段的工作模型，推动了人们对流感病毒聚合酶调控不同RNA合成机制的理解，为抗病毒药物开发提供了新靶点。 为了深入研究流感病毒聚合酶合成RNA的分子机制，研究人员利用冷冻电镜三维重构技术，解析了D型流感病毒聚合酶与不同RNA启动子结合
南方科技大学
2021-04-14
监测植物花芽分化或开花过程中温度变化的活体成像方法
本发明公开了一种监测植物花芽分化或开花过程中温度变化的活体成像方法。本发明提供的方法，包括如下步骤：1)用红外线非接触式热像仪采集活体待测植物的花芽或花部器官图像；2)根据步骤1)得到的采集图像，得到所述活体待测植物的花芽或花部器官的不同位点的温度，从而实现植物花芽分化或者开花的生热效应的监测。本发明的实验证明，本发明的方法具有以下优点：1)操作简单，快速：省略了植物观测中取样、分离等前续试验分析步骤；2)成像效果好：可不受雨雪天气等外界环境干扰下，对植物花部器官生热进行活体观测，温差区分度在0.1摄氏度。
北京林业大学
2021-02-01
大跨度建筑结构温度效应研究及其在全运会场馆中的应用
近年来大跨度建筑结构不断涌现，结构温度效应导致的结构工程问题日益突出，尤其是室外结构或玻璃、膜屋面下建筑结构的太阳辐射非均匀温度效应更为复杂。由于对太阳辐射非均匀温度效应机理缺乏深入研究，导致质量问题甚至工程坍塌等安全事故，造成了严重的经济损失和社会不良影响。因此，项目组在国家和省部级项目的支持下，对太阳辐射作用下大跨度建筑结构非均匀温度效应机理与分析方法开展研究。
天津大学
2021-04-10
非接触式温度采集的氧气钢瓶充装过程超温预警装置研究
该装置可以监控氧气钢瓶充装过程中出现的异常现象，如爆炸迹象，做到提早报警，实现充装过程安全。
南京工业大学
2021-01-12
一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法
本发明公开了一种基于双频磁场磁纳米磁化强度的温度测量方法，属于磁纳米测试技术领域。本发明将磁纳米样品放置在待测对象处，对放置磁纳米样品的区域施加双频激励磁场，采集双频磁场激励下磁纳米样品的磁化强度信号，然后从中提取出各次谐波幅值，最后根据谐波与温度的关系构建方程组求解温度。本发明可以快速准确的测量物体温度，特别适用于非接触式温度测量。
华中科技大学
2021-04-14
一种基于磁纳米磁化强度-温度曲线的快速测温方法
本发明公开了一种基于磁纳米磁化强度-温度曲线的快速测温方法，其包括以下步骤：(1)将磁纳米粒子样品置于待测对象的表面；(2)在所述磁纳米粒子样品所在区域施加直流激励磁场；(3)获取所述待测对象的初始温度 T(0)，并根据该初始温度 T(0)计算出初始磁化强度M(0)；(4)采用探测线圈检测由温度变化而引起磁化强度变化的响应信号 u(t)；(5)根据所述初始磁化强度 M(0)和响应信号 u(t)实时计算出磁纳米粒子的磁
华中科技大学
2021-04-14
一种山体中分布式地下设施温度场仿真方法
本发明公开了一种在渗流效应影响下对含有分布式地下设施的山体进行温度场仿真的方法。利用高程信息提取的等高线数据建立山体和地下设施的三维几何模型，将渗流场等效成山体随机均匀分布的“毛细管”，将山体数据抽象成一棵具有层次结构的多叉树，利用计算机图形学里判断点在封闭图形的算法，精确计算出每根“毛细管”的高度，从而在山体几何模型中建立了等效渗流场的几何模型。再利用 ANSYS 生成的配置文件，通过程序化设计查找出构建的地下设施
华中科技大学
2021-04-14
监测植物花芽分化或开花过程中温度变化的活体成像方法
项目成果/简介:本发明公开了一种监测植物花芽分化或开花过程中温度变化的活体成像方法。本发明提供的方法，包括如下步骤：1)用红外线非接触式热像仪采集活体待测植物的花芽或花部器官图像；2)根据步骤1)得到的采集图像，得到所述活体待测植物的花芽或花部器官的不同位点的温度，从而实现植物花芽分化或者开花的生热效应的监测。本发明的实验证明，本发明的方法具有以下优点：1)操作简单，快速：省略了植物观测中取样、分离等前
北京林业大学
2021-01-12
【玻璃化转变温度测定仪】久滨差示扫描量热
产品详细介绍品牌：久滨型号：JB-DSC-500B名称：差示扫描量热仪一、产品概述： DSC测量的是与材料内部热转变相关的温度、热流的关系，应用范围非常广，特别是材料的研发、性能检测与质量控制。材料的特性：如玻璃化转变温度。冷结晶、相转变、熔融、结晶、热稳定性、固化/交联、氧化诱导期等，都是DSC的研发领域。二、仪器符合国家标准：GB/T 19466.2 – 2004 / ISO 11357-2: 1999第2部分：玻璃化转变温度的测定；GB/T 19466.3 – 2004 / ISO 11357-3: 1999第3部分：熔融和结晶温度及热焓的测定；GB /T 19466.6- 2009/ISO 11357-3 :1999 第6部分氧化诱导期 氧化诱导时间（等温OIT)和氧化诱导温度（动要态OIT）的测定。三、技术参数：1、DSC量程：0～±500mW2、温度范围：室温～500℃ 3、升温速率：0.1～80℃/min4、温度分辨率：0.01℃5、温度精度：±0.1℃6、温度重复性：±0.1℃7、DSC精度：±2%8、DSC分辨率：0.001mW9、DSC解析度：0.001mW10、控温方式：升温、恒温、降温、循环控温（全程序自动控制）11、曲线扫描：升温扫描12、气氛控制：气体质量流量计自动切换两路气体13、显示方式：24bit色，7寸LED触摸屏显示14、数据接口：USB标准接口，配套相应操作软件15、参数标准：配有标准校准物，带一键校准功能，用户可自行对温度进行校准16、工作电源：AC220V 50Hz/60Hz17、全封闭支架结构设计，防止物品掉入到炉体中、污染炉体，减少维修率
上海久滨仪器有限公司
2021-08-23
硅二极管温度传感器锦正茂非标定制
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-07-28