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多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
与猪生长和肉质性状相关的分子标记的克隆及应用
研发阶段/n可用于猪生长速度的遗传改良，在猪的遗传改良中生长速度性状一直是改良的重点，提高生长速度可缩短生长周期，节省饲养成本，但这个性状的测定也必须等到猪长到上市体重，因此测定工作需要花费成本，用专利6，7和8可以进行早期选择，节约测定成本，缩短世代间隔，提高生长速度。
华中农业大学
2021-01-12
单壁、少壁碳纳米管的水分辅助CVD可控生长
CNT纯度>99%（无须后处理），CNT阵列高度10m-1mm，CNT直径2nm-15nm。技术创新点： 采用水分辅助CVD技术，催化剂效率大大提高，可获得极高的碳纳米管纯度。
上海理工大学
2021-04-13
离心压缩机及风机进口导叶调节性能改进研究
由于节能的需要，离心压缩机和通风机运行的经济性一直为人们所重视。以往的研究大多将注意力集中在提高离心压缩机和通风机在设计工况点运行的效率上，然而，大多数离心压缩机和通风机在实际运行时都是在一定工况范围内工作，仅在一个工况点运行的情况较少。因此，改进离心压缩机和通风机的调节性能，提高它们在变工况范围内的运行效率，是实现节能的另外一条重要途径。进口导叶是离心压缩机和通风机中广泛使用的一种调节方法，过去对它的研究不多，因此，开展进口导叶研究对离心压缩机和通风机运行节能有重要实际意义。
西安交通大学
2021-04-11
一种多路液体温度调节装置及温度控制方法
一种多路液体温度调节装置及其温度控制方法，属于液体温度 调节装置及其温度控制方法，解决现有光刻机浸没液温度调节控制装 置只具有一路输出的温度控制能力以及不能协同调节远端、近端供水 温度的问题。本发明的温度调节装置，包括纯水供应部分、注液部分 和控制系统，纯水供应部分放置于远端的纯水设备内，注液部分放置 于光刻机内部；纯水供应部分和注液部分之间通过远传管路连接；控 制系统分别采集纯水温度传感器、供水温度传感器、第一～第三温度 传感器的温度值；并对第 1～第 3 加热器的加热电压进行控制，同时 对冷却水
华中科技大学
2021-01-12
用于荧光检测器的成像辅助调节焦距和位置系统
本实用新型公开了一种用于荧光检测器的成像辅助调节焦距和位置系统，包括校准平台、聚焦于荧光收集物镜、激发光源、透镜、 二向色镜、长通滤光片、光电检测器、摄像装置和电脑，摄像装置通过铁架和光电检测器固装在一起，使该摄像装置成像的中心位置和光电检测器前方的小孔重合，所述长通滤光片位于光电检测器上方，在 长通滤光片上方设置二向色镜，其上方设置聚焦与荧光收集物镜，在聚焦与荧光收集物上方设置校准平台，校准平台上设置辅助光源，所述辅助光源的光线通过聚焦与荧光收集物镜、二向色镜、长通滤光片， 将微通道的像投射在光电
兰州大学
2021-01-12
一种磁悬浮电机测试机台的缓冲调节机构
本实用新型公开一种磁悬浮电机测试机台的缓冲调节机构，包括底座、中间座、顶座和夹紧机构；底座包括底板、定位柱和缓冲弹簧，底板上沿圆周分布若干定位柱，定位柱上套有缓冲弹簧；中间座包括中间板，中间板上开有与定位柱相配合的定位孔；顶座包括顶板，顶板上端面开有两相互平行的T型滑槽，顶板下端面安装有若干支撑柱；夹紧机构包括夹紧件和连接件，夹紧件包括滑块、支撑板和夹紧环，支撑板一端与滑块连接，另一端与夹紧环相连接。本实用新型在磁悬浮电机测试的过程中起缓冲调节的作用，并对电机进行夹紧固定，保证测试机台工作的稳定性，
安徽建筑大学
2021-01-12
一种深海滑翔机的浮力调节装置和方法
本发明公开了一种深海滑翔机的浮力调节装置，包括内部油箱、双向液压泵、第一开关阀、第二开关阀、第三开关阀、直流电机、单向阀、外部油囊、电机控制器、气体压力传感器、温度传感器、控制器、集成阀块、一对同步带轮、同步带、支架和气囊，内部油箱和外部油囊的轴线重合，且分别设置于支架的两端偏下的位置，气囊设置于内部油箱中，第一开关阀、第二开关阀、第三开关阀和单向阀安装在集成阀块上，集成阀块、直流电机和双向液压泵固定安装于支架靠近外部油囊的一端，两个同步带轮分别安装在直流电机的输出轴和双向液压泵的驱动轴上，并通过同
华中科技大学
2021-04-14