过渡金属硫化物（TMDCs）具有独特的谷自旋自由度可用于信息和传感等领域，是研发谷电子学微纳光电器件的重要材料。近年来，利用金属微纳结构（纳米线、纳米光栅、超表面等）调控TMDCs材料的谷偏振发射特性，实现了左旋/右旋光的空间方向选择性传播。然而，这些表面波导型微纳结构往往尺寸较大（＞1μm2），难以满足微型化和高度集成的器件设计需求。基于自上而下制备的纳米结构对比湿法生长的，通常其表面粗糙度大且品质因子低，因而要求在低温度环境下才能展现调制效果。获得常温下高效调控TMDCs谷偏振发射特性的微纳结构器件成为当前备受关注的研究热点之一。近期工作中，北京大学极端光学团队利用扫描探针操控组装纳米颗粒，形成复合杂化纳米结构体，先后实现了调控纳米颗粒散射光和荧光，达到单向性发射 [Laser & Photon. Rev. 9, 530(2015);10, 647 (2016)]。在最新的工作中，课题组将探针微纳操控方法引入到手性特征微纳结构体系研究中，实现超小型手性光学天线高效调制谷极化发光特性。 实验上，研究团队利用扫描探针显微镜的针尖操控金纳米棒，组装制备出一种具有手征特性的立体空间V型天线（~0.02μm2）【图1(A)】。其中，将单层二硫化钼夹在天线中间，在纳米棒交叠区形成局域表面等离激元热点区，可显著增强光与物质相互作用，荧光强度增强约3个量级。单层二硫化钼在天线近场耦合和远场干涉等作用下，其远场辐射方向从各向同性被调制成单向性发射【图1(B)】；同时，由于天线的手性耦合特性使得TMDCs的荧光谷偏振度从18%提高到47%【图1(C)】。模拟计算表明，天线对于谷荧光的偏振度调控，由Purcell效应、局域模式耦合以及远场干涉效应共同决定。研究人员还利用探针操控的灵活性，通过原位改变两个金纳米棒的夹角和相对位置，获得具有左旋、右旋手征特性强弱不同的系列V型天线。实验测量结果均与模拟计算的预期相一致，有力地支持了该手性天线调控性能的有效性和高效性，这为开发谷光电子微纳器件奠定了基础。此外，研究人员还发现手性光学天线的量子效率依赖于量子发射体的手性，该发现为手性结构调控辐射场的相关研究新方向提供了可能性。

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本发明公开了一种交联聚乙烯(XLPE)电缆极化-去极化电流现场测量方法，包括现场电缆端部清洁防泄漏处理方法；高压电源、电流 测量模块的布置方式及其与电缆的接线方式；高压电源、电流测量和 上位机这三个模块之间的拓扑结构及相互之间数据传输方式。本发明 通过对电缆端部的处理，降低了现场湿度对测量结果的影响；通过设 计各模块的布置方式及接线方式，减少了现场测量中 XLPE 电缆已有 接线的改动和测量回路对结果的影响；通过规划各模块的拓扑结构及 数据传输方式，提高了硬件使用效率，降低了数据传输对测量结果的 影

一种新型能谷光子晶体。利用其内禀的能谷自由度，在不依赖自旋轨道耦合效应前提下，实现了能谷附近的能带劈裂，从而提出了类比电子能谷霍尔效应的光学赝自旋-路径关联传输，即光子能谷霍尔效应。通过分析该普通光子晶体内的手征量，实现了赝自旋能流的单向传输。更为有趣的是，文章还在单一体系中，对能谷和拓扑两个自由度进行独立调控，实现了全新的拓扑光子界面态。研究表明，实现有效的拓扑光场调控，将有利于更多基本量子物理问题的实验证实；同时，也为下一代光信息传输和处理，尤其是在光自旋和轨道角动量运用等方面，带来了新的有益启示。

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本发明公开了一种用于交联聚乙烯中压电缆的极化-去极化电流 检测装置，包括高压回路模块、电流测量模块和数据处理模块；高压 回路模块的高压输出端用于与交联聚乙烯电缆的线芯连接，用于产生 电缆极化-去极化电流；电流测量模块的输入端用于与交联聚乙烯电缆 的金属屏蔽层连接，用于检测交联聚乙烯电缆的极化-去极化电流的大 小；数据处理模块用于显示并存储极化-去极化电流。本发明由于采用 了高压回路模块，实现对电缆产生不同电压等级下的极化-去极化电 流，利用高压高阻继电器组防止极化-去极化电流的泄露，同时采用聚 氨酯

已有样品/n动态极化（DNP）是一种基于电子-核的自旋极化转移技术，可以成百上千倍地增强核磁共振灵敏度，在磁共振波谱（MRS）与核磁共振成像（MRI）中具有广泛的应用前景。该项目自行设计和构建了可扩展脉冲动态核极化谱仪，基于该谱仪实现了灵敏度增强的核磁共振波谱与磁共振成像的功能，在低场下获得了增强的H、Na、P，C等核素的图像，能够促进低场杂核的NMR与成像的应用和发展 。市场预期：应用范围包括医学成像、材料合成、教学科研等领域，具有可观的经济效益。