本发明公开了一种基于忆阻器的多值存储单元、读写电路及其·717·操作方法；所述基于忆阻的多值存储单元是利用忆阻器的阻变特性，由多个忆阻器以特殊的连接方式构成。这种连接方式组成的多值存储单元继承了忆阻器，体积小，功耗低，可拓展性强的优点。相较于传统忆阻器存储结构，所述多值存储结构提供了更大的存储空间，为存储器设计提供了一种新的思路。所述多值存储单元的读写电路包括存储单元、控制开关以及电压比较电路。所述读写

本发明公开了集成电路设计领域中的一种振荡器及其构成的真 随机数发生电路。振荡器采用新型结构，主回路采用的结构可以为四 边形、八边形、十二边形等结构，即 4n 边形结构，其中 n 为大于零的 整数，真随机数发生电路包括快速振荡器、慢速振荡器、异或电路、 时钟电路、系统时钟电路和采样电路。振荡器为真随机数发生电路提 供随机源，构成快速振荡器和慢速振荡器并受两个外部使能信号 a 和 b 控制，快速振荡器和慢速振荡器的输出端

本发明公开了集成电路设计领域中的一种振荡器及其构成的真 随机数发生电路。振荡器采用新型结构，主回路采用的结构可以为四 边形、八边形、十二边形等结构，即 4n 边形结构，其中 n 为大于零的 整数，真随机数发生电路包括快速振荡器、慢速振荡器、异或电路、 时钟电路、系统时钟电路和采样电路。振荡器为真随机数发生电路提 供随机源，构成快速振荡器和慢速振荡器并受两个外部使能信号 a 和 b 控制，快速振荡器和慢速振荡器的输出端

本发明公开了一种基于忆阻器实现多层识别的电路及其控制方 法，来模拟生物大脑的多状态(认知、熟悉、陌生)认知能力。通过分别 调节第二输入端与第一输入端信号脉冲的匹配数目和第二输入端信号 脉冲幅值来实现多层次脉冲识别。第一输入端输入信号代表已存储在 生物大脑中的样本信号，第二输入端输入信号代表生物大脑接收到外 界环境的刺激信号，这种识别方法的原理是通过控制大脑存储的样本 信号和外界环境的刺激信号相互匹配，来调控大脑对于外

本发明公开了一种基于双反馈法的阻性传感阵列线性读出电路。所述读出电路包括：行多路选择器、列多路选择器、扫描控制器、负恒流源、电压采样装置以及第一运算放大器、第二运算放大器、第三运算放大器；所述负恒流源的输出端连接第一运算放大器的反相输入端，第一运算放大器的同相输入端与第二运算放大器的同相输入端连接后接地，第二运算放大器的反相输入端与第二运算放大器的输出端连接，第三运算放大器的反相输入端与第三运算放大器的输出端连接；电压采样装置用于对第三运算放大器的输出端电压、第一运算放大器的输出端电压进行检测。本发

高分辨率电子电路光刻胶是制造高密度、高精度电子电路的核心材料之一， 该类光刻胶在达到分辨率要求的同时，还需具备高感度、高硬度、优异的耐焊性 和耐酸碱性等物理化学性能，以满足电子电路复杂的制造工艺要求。长期以来， 由于我国高性能基础光固化材料开发的滞后，导致国产电子电路光刻胶技术水平低下，相关产品占国内市场份额不足 30%，其中高分辨率电子电路光刻胶更是被国际公司所垄断。针对上述现状，团队通过高性能光固化材料的开发突破了高分辨率电子电路光刻胶制备关键技术和产品创新技术，并制备了以高分辨率阻焊油墨和光致抗蚀剂为主的一系列具备优异物理化学性能的高分辨率电子电路光刻胶产品。

本项目是一种首创的基于固体电化学原理的氧泵。该氧泵具有两大功能：一、测定金属氧化动力学；二、可以在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压。测定金属氧化动力学时，氧泵通过将金属氧化过程消耗的氧量经过电化学过程转化为电荷量来获取氧化动力学曲线。由ZrO2固体电解质管、隔断阀和石英管构成一个封闭体系，在ZrO2固体电解质管内外壁上沉积或涂覆铂电极构成电化学氧泵，将氧化样品与固体电解质电化学氧泵分别处于不同的温度，实现氧化温度和氧压可调，将氧泵电流积分与氧化时间做图可获得氧化动力学曲线，可用于金属及合金氧化动力学测定，包括产生挥发性氧化物的体系的动力学测定，以及其它吸收氧过程的动力学测定。本发明方法的结构简单，操作简便，测试数据精度高，运行费用低，控制和数据处理计算机化。本仪器可以替代电子热天平，为高新科技产品。 氧泵还可以在不同的温度，在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压，可广泛用于科研和生产。 国际首创，成果列入1998年4月美国出版的“High-temperature Research in Progress：1997”，采用本技术的研究结果多次在 Oxidation of Metals 上发表。获得发明专利，发明专利号：98101027.X 氧泵还可以在不同的温度，在1～10-25 atm范围获得任意的氧分压。 本发明的氧泵操作简便，控制和测试数据精度高，运行费用低，控制和数据处理计算机化，为高新科技产品。可以根据实际需要提供特定的技术与产品。

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本实用新型涉及一种深海集成一体式蓄能器保压采样器机构。本实用新型包括采样阀、截气阀、活塞、O型密封圈、液压堵头、挡头、节流口、蓄能腔和采样腔，采样腔两侧都装有采样阀，采样腔腔壁上开有一周节流口，节流口正对外壁处通过液压堵头实现密封，蓄能腔通过一侧的截气阀往里预冲高压氮气，上端有活塞，活塞上端安置挡头限制位移。本实用新型中的蓄能器与采样筒采用一体式结构，结构紧凑，体积小，蓄能器能够对采样筒进行压力补偿，从而达到有效的保压效果。

本实用新型涉及电源技术，具体涉及一种高效率 DC-DC 升压及反压变换器，包括控制电路、驱动 电路、电压吸收网络、开关电路、高频变压器、整流滤波电路、采样电路、过流保护电路以及反馈稳压 电路；控制电路依次连接驱动电路、电压吸收网络、开关电路、高频变压器和整流滤波电路，采样电路 分别连接整流滤波电路、过流保护电路，过流保护电路连接反馈稳压电路，反馈稳压电路连接至控制电 路。该变换器可为数字功放供电，应用于采用太阳能供电的广播以及车载音响系统中功放