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国家自然科学基金指南引导类原创探索计划项目 ——“高分子材料变革性合成与结构创新”项目指南
为贯彻落实党中央、国务院关于提升原始创新能力的重要战略部署，国家自然科学基金委员会（以下简称自然科学基金委）化学科学部拟资助“高分子材料变革性合成与结构创新”原创探索计划项目。
国家自然科学基金委员会
2023-07-05
清华大学生命学院钟毅课题组阐释Rac1-依赖的遗忘过程介导记忆灵活提取的分子机制
清华大学生命科学学院钟毅教授课题组揭示了Rac1-依赖的遗忘机制是情绪状态影响记忆表达的神经基础。在该研究中，课题组聚焦海马体CA1区的记忆痕迹细胞与情绪状态的关系，发现了社交经历引发的情绪可以双向调节记忆痕迹的存储状态，如社交奖励可以将记忆痕迹由沉默态转换为潜伏态，而社交压力可以将记忆痕迹由潜伏态转换为静默态。
清华大学
2022-04-08
赵政阳团队揭示MdBBX22–miR858–MdMYB9/11/12模块调控苹果果皮中原花青素积累的分子机制
近日，PlantBiotechnologyJournal在线发表了园艺学院赵政阳教授团队题为“TheMdBBX22–miR858–MdMYB9/11/12moduleregulatesproanthocyanidinbiosynthesisinapplepeel”的研究论文。
西北农林科技大学
2022-07-11
成都中医药大学学者发现一种天然小分子EGFR抑制剂并对其抗结肠癌作用进行探究
成都中医药大学药学院、西南特色中药资源国家重点实验室学者于2022年8月25日在《PharmacologicalResearch》期刊（TOP期刊）发表了题为“VoacamineisanovelinhibitorofEGFRexertingoncogenicactivityagainstcolorectalcancerthroughthemitochondrialpathway”的研究性论文。
成都中医药大学
2022-09-21
科研进展 | 施一公团队揭示人源tRNA剪接内切酶识别和剪切前体tRNA内含子的分子机理
报道了pre-tRNA结合人源tRNA剪接内切酶 (tRNA splicing endonuclease, TSEN) 复合物处于“预催化”和“催化后”两种状态的高分辨率结构，结合体外生化，揭示了TSEN复合物识别和剪切pre-tRNA内含子的分子机理。
西湖大学
2023-04-19
一种在水性溶液中制备剥离型层状材料/碳纳米管复合物的方法
本发明公开了一种在水性溶液中制备剥离型LDH/CNT复合材料的方法，先通过尿素法或氨水法在碳纳米管的水分散液中合成层状双金属氢氧化物，制得未剥离LDH/CNT复合物，接着通过酸-盐混合溶液处理将LDH/CNT复合物中LDH层间的碳酸根离子置换成与层板结合力较弱的阴离子，然后再次通过离子交换将有机离子引入层间，从而制得剥离型LDH/CNT复合物；制得的复合物既呈现LDH的单层或几层剥离，又保留了CNT良好的分散性。本发明简单易行、耗时短、无需有毒溶剂，而且无需在高温下进行，成本低。
浙江大学
2021-04-11
一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法
本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括：衬底；P型氧化亚铜纳米线阵列，该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上；绝缘层，该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面；N型层，该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜；N型欧姆电极，该N型欧姆电极制作在N型层上；P型欧姆电极，该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积，减小载流子的扩散距离，PIN结构可有效增大耗尽层宽度，大大提高载流子的分离和收集效率，从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染，采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法，都可以大规模应用于工业生产中，有广阔的发展前景。
浙江大学
2021-04-11
功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授课题组在Nature Electronics上发表论文
随着忆阻器在非易失性存储器、模拟人类大脑的深度学习等重要领域的研究逐步深入，忆阻器的研究得到越来越多的重视。在固态电子器件和电路中应用二维材料，将有助于扩展摩尔定律，并能获得优于CMOS的先进产品。基于二维材料的忆阻器能够应用于信息存储和神经态计算，具有高热稳定性，阈值型和双极型阻变共存，增强、抑制和弛豫的高度可控性，以及出色的机械稳定性和透明度等优点。 近日，功能纳米与软物质研究院Mario Lanza教授在Nature子刊《Nature Electronics》上发表了题为“Wafer-scale integration of two-dimensional materials in high-density memristive crossbar arrays for artificial neural networks”的封面文章。作者提出二维材料六方氮化硼（h-BN）可以作为高密度忆阻阵列的阻变材料，构建可用于图像识别的人工神经网络的器件。其获得h-BN基忆阻阵列器件成品率高达98%，且表现出超低的周期间差异性（低至1.53％）和出色的器件间差异性（低至5.74％）。图像分类器的仿真结果表明，所测得的器件I-V曲线的均一性足以匹配理想软件实现所需的精度。
苏州大学
2021-02-01
采用离子辐照增强PtPb/Pt二维纳米片电化学催化活性的实验成果
采用核技术方法，利用高能离子束辐照，对PtPb/Pt二维纳米片进行了原子尺度结构调控和修饰，极大地提高了纳米片的催化活性。在线辐照和原位透射电子显微镜（TEM）结果表明：通过入射高能离子与纳米片中靶原子相互作用，精确地控制纳米片微观结构的变化，利用键长变化和电子轨道杂化等机制来修饰表面原子的电子结构，从而增加催化反应活性位点，增强催化性能。同时，通过调节入射离子的剂量大小，可以有效地控制缺陷产生的数量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二维纳米片材料。
北京大学
2021-04-11
清华大学任天令教授团队首次实现亚1纳米栅长晶体管
清华大学集成电路学院任天令教授团队在小尺寸晶体管研究方面取得重大突破，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，并具有良好的电学性能。
清华大学
2022-03-11