产品详细介绍 【产品简介】 MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡是基于PCI-E X1总线结构开发的四路高清实时图像采集卡，数据传输速率可达 250MByte/S，为了更好的为行业客户提供更优质的产品和服务，维视公司针对流媒体应用，多媒体视频点播、在线直播、录播，大屏幕拼接、屏幕边缘融合、工业多路图像采集处理、机器视觉图像处理分析、智能交通、电子警察、车牌识别、抓拍等领域的应用特点推出的新一代图像产品。 MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡使用第四代Philips公司非常精良的10bit A/D芯片，采用4线3D梳状滤波器能自动消除噪点、抗混叠滤波等技术，使图像清晰度更高、图像采集的实时性能更强,采样频率更高,完美解决了运动图像采集处理的拉毛、拖尾、撕裂等现象，PCI-E X1总线结构解决了PCI总线视频图像采集卡大尺寸多路图像采集拉丝的问题，使图像色彩真实，层次感好过度清晰，板卡性能稳定，免除了客户因图像采集质量不高影响整个设备性能的烦恼。 【性能指标】 l 可同时采集四路标准PAL、NTSC制式彩色/黑白信号，一槽四卡，总帧率100帧/s； l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡可支持四路复合视频输入； l 采用第四代最新Philips的10bit A/D芯片，黑白方式10bit，彩色方式RGB各10bit；、 l 四路同时可采集最大分辨率为PAL：768×576×32bit×25fps，NTSC：640×480×32bit×30fps支持一机多卡； l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡支持任意形状的图像采集，持裁剪与比例压缩模式； l 可实时采集单场、单帧，任意间隔以及连续帧的图象； l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡亮度、对比度、色度、饱和度，画面大小比例均软件调节； l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡具有软件字符图形叠加，硬件上下镜像反转功能；  l 可实现实时图像采集通过PCI-E X1总线传递至计算机内存； l 四通道实时图像采集卡支持计算机内容与图像同屏显示。； l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡采集格式：如RGB555、RGB24、YUY2、YVU9、YV12等； l 该产品为MV-800系列产品的升级产品，对于老客户开发好的系统软件不用做任何改动即可完美兼容。 l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡底层程序稳定，功能丰富、开发简便、便于程序移植，供货稳定，无需担心停产。 l 硬件兼容性能好，工作稳定可靠。可在兼容机、原装机/工控机上，甚至在高温、电弧焊接、石油勘探现场等恶劣环境下都能良好地稳定工作。 【开发工具】 l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡操作系统支持：Windows 2000、XP、Vista、Win7。 l SDK支持：VC、VB、Delphi。提供演示程序及演示程序源代码！ l MV-E8100四路高清采集卡，四路实时采集卡，PCI-E四路采集卡驱动支持：WDM、VFW、DirectX、OpenCV、Matlab、LabView、Halcon、MIL。 【应用领域】 l 流媒体领域：多媒体视频录播、在线直播、点播系统、大屏幕拼接、屏幕边缘融合等。 l 工业领域：生产线在线检测、机器视觉成像系统、工业图像处理等； l 科学研究：模式识别、图像采集算法研究、图像处理、建模等； l 交通领域：电子警察、车牌识别、道路抓拍；

产品详细介绍 【多路图像采集卡特点简介】 MV-E8800 PCI-E多路图像采集卡 高清图像采集卡 高分辨率图像采集卡是对系统开发商进行多路视频图像开发的PCI-E图像采集卡,它采用PCI-E X1总线作为数据存取通道，（独立带宽，高于PCI共享带宽模式），总线数据传输速率可达250MByte/S,实时并行处理技术使图像采集速度更快，可以采集到更多通道和更大尺寸的视频图像。解决了PCI总线视频图像采集卡大尺寸多路图像采集拉丝的问题 ，采用超强的10bit AD转换芯片,相对于8bit、9bit AD转换来说,不管是图像质量还是颜色的饱和度方面都要强很多,它具有的4线3D梳状滤波器能自动消除噪点,它的图像质量要更好. 采样频率更高,运动图像软件处理不拉毛、不拉丝、不托影,图像质量得到最大增强,性能更为稳定。 MV-E8800 PCI-E 8通道多路图像采集卡 高清图像采集卡 高分辨率图像采集卡用于交通路口电子警察，工业图像检测,大屏幕视频显示、多路图像同时抓拍，并提供给您方便的二次开发包（DLL），甚至还能根据用户要求直接修改底层软件，令我们的图像卡更好地配合您的系统。 【高清图像采集卡性能指标】 l       8路PAL，NTSC彩色或黑白视频信号同时输入，同时显示。  l      MV-E8800 8通道多路图像采集卡 高清图像采集卡 高分辨率图像采集卡用10bit高清晰度图像芯片，图像色彩更真实，清晰度更高。  l      图像分辨率最高：768 X 576 X 32BIT; NTSC 640 X 480 X 32BIT。 l      支持任意形状的图像采集。支持裁剪与比例压缩模式。 l      MV-E8800 8通道实时图像采集卡支持计算机内容与图像同屏显示。  l      MV-E8800 8通道实时图像采集卡亮度、对比度、色调、色饱和度软件可调。 l      MV-E8800 8通道多路图像采集卡 高清图像采集卡 高分辨率图像采集卡可在图象上实时叠加字符、图形、文字功能  l      MV-E8800 8通道实时图像采集卡支持单场、单帧、连续场、连续帧的采集方式，支持单机多卡。  l      软件功能丰富完善、开发简单方便，在Microvison图像采集卡中容易移植； l     MV-E8800 8通道多路图像采集卡 高清图像采集卡 高分辨率图像采集卡可在外部视频上叠加文字和图像，实时显示在计算机屏幕上； l      底层程序稳定，功能丰富、开发简便、便于程序移植，供货稳定，无需担心停产。 l      硬件兼容性能好，工作稳定可靠。可在兼容机、原装机/工控机上，甚至在高温、电弧焊接、石油勘探现场等恶劣环境下都能良好地稳定工作。 【高分辨率图像采集卡开发工具】 l     操作系统支持：Windows 2000、XP、Vista。 l     SDK支持：VC、VB、Delphi。提供演示程序及演示程序源代码！ l     驱动支持：WDM、VFW、DirectX、OpenCV、Matlab、LabView、Halcon、MIL。 【典型应用】 工业检测、智能交通、医学影像、车牌抓拍、工业监控、仪器仪表、大屏幕显示、机器视觉等领域。

热电材料是能够实现热能与电能直接相互转换的新能源材料，在热电制冷和废热发电等方面有着广泛的应用前景，对于提高现有能源利用率和缓解能源危机有重要作用。然而热电材料大规模商业应用面对着成本高效率低的瓶颈，因此，开发利用原料丰富、廉价、低毒的热电材料越来越受到研究者的关注。SnSe作为近年来热电材料中的研究热点，保持着目前热电材料中最高品质因子 (ZT)的世界记录。其优异的热电性能主要来源于其超高的功率因子和超低的晶格热导率。它的低导热性已经成功解释（何佳清等课题组有报道），然而高的功率因子等电性能都间接地进行解释，没有直接和强有力的实验证据。角分辨光电子能谱仪(ARPES)是研究其电属性最好的实验方法，它是一种可以直接测量单晶样品能带结构的高端仪器。 在本论文中，陆强声等利用我校测试中心的ARPES仪器对无掺杂和空穴掺杂的SnSe单晶在不同温度 (80 – 600 K)下的能带结构作了系统性的测量。根据测量和数据分析的结果，他们认为该体系价带顶的空穴有效质量比理论值要大，并且温度越低，有效质量越大。由这一结论出发，结合简单的单带输运模型，他们发现这种有效质量的异常增加可以定量解释该体系在测量温度下的电属性。因此，论文为解释硒化锡热电材料的电学行为提供了一种新的思路。

本发明属于偏振检测设备领域，并公开了一种针对偏振光束与 磁光材料作用下偏振态时间分辨谱的检测系统，该检测系统包括高压 脉冲发生器、火花隙、电光 Q 开关、连续激光器、飞秒激光器、聚光 透镜、第一偏振棱镜、第二偏振棱镜和偏振测量仪；连续激光器用于 产生连续激光；第一偏振棱镜用于使所述连续激光的 P 偏振光通过； 飞秒激光器产生的脉冲激光可打开电光 Q 开关，从而让所述测量光束 依次穿过电光 Q 开关、第二偏振棱镜后和磁

本发明公开了一种高电阻率高磁性能核壳结构NdFeB磁粉，该发明首先将配好的原料进行感应熔炼，制成平均厚度为0.1~0.5mm的Nd2Fe14B速凝片；将制得的速凝片进行氢破碎，脱氢后得到粗破碎磁粉；然后在惰性气体保护气氛下，进行气流磨，得到粒度在1~6μm之间且粒度接近的磁粉；然后将磁粉放入管式炉中，通入流速为50~300mL/min的氨气加热到300~400oC并且保温5~30min后随炉冷却。保温和随炉冷却时继续通入氨气，即可得到核壳结构的NdFeB磁粉。该磁粉由于氮化层的隔绝效果，具有电阻率高、耐腐蚀性强、去磁耦合效果好、磁性能高、氮化层厚度可控以及氮化层包覆均匀等特点。

本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法，该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以组成阳离子的氧化物为起始原料，球磨，经过多次煅烧，加入有机粘结剂造粒成型后，烧制而成，烧成片状样品后，两端面上银电极，电极烧渗后，在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料，在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C

超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。

本发明公开了一种基于金属基平面纳尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面纳尖簇线密集排布构成的一层图案化阳极和一层平面金属纳膜阴极/阳极，它们被分别制作在透光的纳米厚度的基膜/光学介质层的两个外表面上；在加电态下，图案化阳极中的金属平面纳尖与金属纳膜阴极/阳极间形成局域弯曲的锐化电场阵，阴极/阳极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的阵列化纳电场驱控，向各纳电场中电场强度最强部位聚集。本发明基于金属基平面纳尖簇电

本发明公开了一种基于金属平面微纳线尖簇电极的电调透光率薄膜，其包括：由金属平面微纳线尖有序密集排布构成的一层图案化阴极和一层平面阳极，它们被分别制作在一层纳米厚度的透光基膜/电绝缘膜的上下表面；在加电态下，阴极上可自由移动的电子被阴阳电极间所激励的电场驱控，向金属平面微纳线尖簇其各纳线尖顶聚集，纳线尖金属电连接线上的自由电子分布密度因部分甚至绝大多数电子被纳线尖顶抽走而减少甚至急剧降低。本发明基于金属平面微纳线尖

一种高单模成品率的分布反馈激光器，包括激光谐振腔、布拉 格光栅；布拉格光栅为啁啾光栅或者等效的啁啾光栅，并位于谐振腔 内，其等效折射率沿谐振腔腔长方向是变化的；该激光器的模式增益 沿谐振腔腔长方向变化；该激光器输出单纵模。本发明由于采用啁啾 光栅或者等效的啁啾光栅，同时使激光器的模式增益沿腔长方向变化， 并通过在激光器两端面分别镀高反膜和增透膜配合，能够提高激光器 在布拉格阻带指定的一边，即蓝边或者红边光激射的概率，