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高功率超短脉冲激光传输光纤
高功率超短脉冲激光技术在激光精细加工和激光 3D 打印等领域表现出很大的优势，可以提供十微米以下甚至亚微米级的加工精度，市场应用前景广阔。由于高功率超短脉冲激光的脉冲宽度非常窄（工业应用通常在百飞秒至几十皮秒量级），单脉冲能量较大，峰值功率非常高，普通实芯石英光纤 受限于材料的非线性和损伤阈值低的问题，无法传输如此高功率的超短脉冲。现在大多采用空间光路 反射输出，这大大增加了系统的复杂性，限制了其应用范围。 北工大基于国家自然科学基金项目，制备了高性能的无节点空芯反谐振光纤，该光纤纤芯为空气 结构，这就避免了材料的吸收，可以大大提高光纤的损伤阈值，进而可用来传输高功率超快激光。这 种高性能无节点空芯反谐振光纤利用改装的特种光纤拉丝塔通过堆积和拉制的方法拉制而成。目前， 国际范围内仅有少数科研单位和一家法国 GLO Photonics 公司具有制备该光纤的能力，并且销售价格较高（约 20,000 元 / 米），阻碍了其工业化应用进程。
北京工业大学
2021-04-13
高功率超短脉冲激光传输光纤
北京工业大学
2021-04-14
大功率半导体激光器
北京工业大学
2021-04-14
高压大功率薄膜电容器
该成果由于采用新型的安全膜结构和绝氧吸弧工艺（减小金属材料在加工过程中的氧化，降低接触电阻、电势垒等），产品具有自愈性，在高压大电流的冲击下不会发生短路击穿现象，无需防爆装置；由于采用端面高密度、低电阻的等离子放电喷射沉积制备技术和大功率电容器电极的电阻焊接技术，寄生电阻和发热量减小，使产品在可靠性、稳定性上具有明显的优势。
扬州大学
2021-04-14
电动乘用车大功率充/放电设备
直流输出 1000V 大功率乘用车充/放电设备
中国科学技术大学
2021-04-14
Si基GaN功率半导体及其集成技术
特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。
电子科技大学
2016-06-08
高功率因数双向PWM变换器
两电平与三电平主电路适用于能量四像限运行，三电平更适于直流高压场合，可用于并网逆变，老化电子负载，蓄电池充放电机的前级，高功率因数整流器， 用作微电网与电网间的接口电路，可实现微网与电网间的能量互换，可用于直流充电桩的前级，实现网侧的高功率因数自主知识产权。
扬州大学
2021-04-14
大功率锂电池管理系统（BMS）
本项目研究开发内容是开发适用于面向大功率电池组的电动汽车动力电池管理系统，使得研究成果能够尽快使用电动汽车动力系统中，并借助汽车行业的快速发展使大功率动力电池组的研究取得技术进步。 大功率电池组的电动汽车动力电池管理系统的要求是：（1）首先满足大功率充放电的要求，电动机额定功率为200kW，瞬时最大功率更是达到400kW，电池在工作中最大充放电电流达到600A，持续电流为300A左右；（2）足够的抗干扰能力，电动机驱动使用变频装置，
河海大学
2021-04-14
馈网节能型双向电子功率负载
成果简介本项目属于自主研发的馈网节能型模拟交直流双向电子负载， 主要用于交直流电源出厂试验、 可靠性试验及电源输出性能检测的能够模拟实际负载特性的新型电力电子装置。 它能够实现对所模拟实际负载值的无级调节， 并能够将负载试验中有功电能无污染地回馈电网， 实现电能的再生利用。 该装置具有高效节能、体积小、 重量轻、 节省安装空间、 试验性能优良等优点。项目的主要技术是将能量无污染回馈电网和负载特性的任意模拟技术。 本项目实施后， 可解决现有无源负载（阻性、 感性、 容性等）
安徽工业大学
2021-04-14
大功率 LED 封装及热管理技术
成果的背景及主要用途：
对于大功率白光 LED(半导体发光二极管），由于其工作电流大和工作电压高，在其工作过程中会产生很多热量，在现有的封装技术下，不能提供足够的散热能力来维持极限条件下的可靠运行，大功率 LED 连接成为瓶颈，而解决这一问题的根本方法在于改善芯片级互连材料的散热能力。
技术原理与工艺流程简介：
采用纳米银焊膏的低温烧结技术，利用其纳米银低熔点的性能，使烧结温度降低到 280℃，而烧结后银连接具有高熔点（960℃）、高导电和高导热性能，非常适合高温功率电子器件的长期可靠性运行。以大功率 1W LED 芯片封装为例，测试表明对于三种热界面材料银浆(silverepoxy)，锡银铜焊膏(solder paste)，和钠米银焊膏（silver paste），由于钠米银焊膏的高导热性，在大电流下发光效率提高 7~10%，说明散热效率提高，有效地降低了结温。目前课题组已完成 25W 的 LED 模块封装。
技术水平及专利与获奖情况：
获发明专利“以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率 LED 的方法”，发明专利 ZL200610014157.5，授权日：2008.11.19。
应用前景分析及效益预测：
此项技术可以用于大功率 LED 芯片的封装，具有广阔的市场前景，进一步可以推广到大功率半导体激光器的封装中。
应用领域：电子封装
技术转化条件：
本项目组在电子器件的热管理方面也具有丰富的经验，可进行电子封装的热分析及热管理设计。
合作方式及条件：根据具体情况面议
天津大学
2021-04-11