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物理学院路红亮团队在单层异质结调控新型高温电荷密度波研究中取得新进展
国科大物理科学学院路红亮副教授和宋志朋博士后等人与物理所、高能所等单位科学家合作，利用分子束外延（MBE）方法构筑了单层TiSe2/CuSe/Cu(111)异质结以调控TiSe2的CDW相。
中国科学院大学
2022-06-01
三种不同pH介质中均以小于或等于102 mV的过电势驱动10 mA cm-2的HER电流密度
MoP最近被发现在酸性及碱性条件下都具有非常高的本征催化活性和稳定性。但是，由于高结晶度的MoP通常需要在非常高的温度下形成，导致合成出的MoP催化剂通常尺寸较大、表面活性位点密度低。鉴于此，梁永晔课题组基于氧化碳纳米管(CNT)的表面含氧基团与金属离子存在强相互作用，设计了两步合成策略制备出了CNT负载的尺寸小、结晶度高及分散好的MoP纳米粒子/CNT复合物(图2)。实验结果表明，相对于体相的MoP, 该MoP/CNT复合物催化剂在酸性、中性及碱性介质中的催化HER的表观电极活性得到显著提升, 实现了在三种不同pH介质中均以小于或等于102 mV的过电势驱动10 mA cm-2的HER电流密度。
南方科技大学
2021-04-13
一种适用于 4.2K-4.5K 温区的高分辨率超导温度计
本发明公开了一种适用于 4.2K-4.5K 温区的高分辨率超导温度计，包括感应线圈、隔离元件、超导体、互感线圈、超导量子干涉仪以及热阻开关，其中感应线圈为平面无骨架线圈的形式，并通过隔离元件与超导体予以分隔处理，互感线圈由初级线圈和次级线圈共同组成，并且该初级线圈用于与感应线圈构成第一回路,次级线圈则用于与超导量子干涉仪相连并构成第二回路，并且在第一回路和第二回路中各自串联有热阻开关。通过本发明，可根据回路中电流的变化值反推温度的变化，其在 4.2K-4.5K 温区间的测量分辨率可达 0.5μK。&
华中科技大学
2021-04-14
南京师范大学计电院团队在太阳能的吸收与利用方面研究取得新进展
太阳能水蒸发技术是指利用太阳能从液态水中提取水蒸气，该技术可以用于污水处理和海水淡化，为发展环保、廉价的淡水生产技术提供了基础。
南京师范大学
2022-06-14
DT640-BC型裸片温度计硅二极管低温温度传感器锦正茂科技
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
您也可以直接登录淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，可以看到我们的淘宝店铺，联系更加方便！
特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-11-17
锦正茂 硅二极管DT640-BC型裸片温度计小型温度传感器1.4K-500K
DT640系列硅二极管温度传感器选用了专门适用于低温温度测量的硅二极管。相比普通硅二极管，具有重复性好、离散性小、精度更高温度范围更宽、低温下电压相对高而易于测量等特点。所有此款温度计都较好地遵循一个电压-温度（V-T）曲线，因而具有更好的可互换性。很多应用中都不需要单独的标定。
DT640-BC型裸片温度计，相比市场上的其它温度计，具有尺寸更小、热容更小、响应时间更短的特点。在尺寸、热容以及响应时间有特殊要求的应用中具有独特的优势。
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特点：
※ 激励电流小，因而具有很小的自热效应；
※ 符合标准曲线，具有良好的互换性；
※ 多种封装，不易损坏、耐温度冲击、易于安装；
※ 在宽温度范围1.4K-500K内，可提供较好的测量精度；
※ 遵循DT-640标准温度响应曲线；
※ 多种可选封装方式。
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参数：
※ 温度范围：3K~500K；
※ 标准曲线：DT640
※ 推荐激励电流：10µA±0.1%；
※ 可重复性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向电压高达：75V；
※ 损坏前电流高达：长时间200mA 或瞬间1A；
※ 推荐激励下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封装响应时间：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 辐射影响：只推荐在低辐射场合下使用；
※ 磁场影响：不推荐在磁场环境下使用。
北京锦正茂科技有限公司
2022-08-05
丁薛祥在全国高校毕业生等青年就业创业工作视频会议上强调 千方百计促进高校毕业生就业 确保青年就业形势总体稳定
要持续挖潜拓宽高校毕业生就业渠道，稳住存量岗位，扩大增量规模，帮助毕业生尽早实现就业。
教育部
2024-05-15