针对极紫外光刻机物镜的温管和温控技术难题，设计和开发了针对极紫外光刻机的具有自主知识产权的超精密温控装置，目前已应用在半导体制造业及光刻机生产厂商、高档数控行业和民用航天上，涉及企事业单位共30余家。研制了不同控温精度和控温功率的系列产品，采用主动温度控制方法，解决了单点温度控制稳定性和多通道温度控制均匀性的问题；设计了具有功能模块化的温控层次结构，解决了超精密温控中系统内外的扰动和时滞问题，控温速度快；研制了大功率串联半导体制冷模块，结合模糊PID控制算法，提高了收敛速度、控制精度和抗扰动能力。项

产品详细介绍温度冲击试验箱产品编号：WDCJ产品型号：WDCJ详细说明一、高低温冲击试验箱用途 用于电子电器零组件、自动化零部件、通讯组件、汽车配件、金属、塑胶等行业，国防工业、航天、兵工业、电子芯片IC、 半导体陶瓷及高分子材料之物理性变化,测试其材料对高、低温的反复抵拉力及产品于热胀冷缩产出的化学变化或物理伤害，可确认产品的品质,从精密的IC到重机械的组件，无一不需要它的理想测试工具。二、高低温冲击试验箱结构特点:产品外形美观、结构合理、工艺先进、选材考究。 设备分为高温室、低温室、测试室三部分,采独特之断热结构及蓄热蓄冷效果，试验时待测物完全静止，应用冷热风路切换方式将冷、热温度导入测试区实现冷热冲击测试目的。 采用触控式液晶(LCD)显示人机介面专用控制器，最先进的计测装置, 操作简单, 学习容易, 稳定可靠,中，英文显示完整的系统操作状况、执行及设定程序曲线。 具96个试验规范独立设定,冲击时间999小时59最大分钟, 循环周期1~999次可设定, 可实现制冷机自动运转，最大程度上实现自动化，减轻操作人员工作量，可在任意时间自动启动﹑停止工作运行。 箱体左侧具?50mm之测试孔1个，可供外加电源负载配线测试部件。 可独立设定高温、低温及冷热冲击三种不同条件之功能，并于执行冷热冲击条件时,可选择二槽式或三槽式及冷冲、热冲进行冲击之功能，具备高低温试验机的功能。具备全自动，高精密系统回路、任一机件动作，完全有P.L.C锁定处理，全部采用P.I.D自动演算控制,温度控制精度高。 独特的空气流通循环设计，使室内温度均匀，避免任何死角;完备的安全保护装置，避免了任何可能发生安全隐患，保证设备的长期可靠性 可设定循环次数及除霜次数自动(手动) 除霜. 出风口于回风口感知器检测控制，风门机构切换时间为10秒内完成，冷热冲击温度恢复时间为5分钟内完成。 周全的安全保护装置，发生异常状况时,荧幕上即刻自动显示故障点及原因和提供排除故障的方法,并于发现输入电力不稳定时,具有紧急停机装置。 冷冻系统采用二元高效低温回路系统设计，采用欧美原装进口压缩机，并采用对臭氧系数为零的绿色环保(HFC)制冷剂R507，R23.超强安全保护功能：电源过载保护、漏电保护、控制回路过载、短路保护、压缩机保护、接地保护、超温保护、报警声讯提示等。箱体内外部材质采用不锈钢板(SUS#304)三、高低温冲击试验箱技术参数规格型号 BTS-49A BTS-80A BTS-150A BTS-49B BTS-80B BTS-150B BTS-49D BTS-80D BTS-150D 结构尺寸 W×H×D(mm) 内箱 40×35×35 50×40×40 60×50×50 40×35×35 50×40×40 60×50×50 35×35×40 50×40×40 60×50×50 外箱 150×195×145 180×200×145 190×200×155 150×195×145 180×200×145 190×200×155 150×195×145 180×200×145 190×200×155 高温槽温度范围 +80～200℃ 低温槽温度范围 -55～-10℃ -65～-10℃ -75～-10℃ 试验室冲击 温度 高温 +60～150℃ 低温 -10～-40℃ -10～-55℃ -10～-60℃ 升温时间 60～200℃约需25分钟 降温时间 +20～-55℃小于60分钟 +20～-65℃小于75分钟 +20～-75℃小于90分钟 冲击恢复时间 高温(150℃)冲击30分钟 低温(-40℃  or   -55℃ or  -60℃)冲击30分钟 冲击恢复时间5分钟 试样重量 2.5Kg 5Kg 10Kg 2.5Kg 5Kg 10Kg 2.5Kg 5Kg 10Kg 内箱材质 SUS＃304镜面不锈钢 外箱材质 SUS＃304不锈钢板 保温材质 高密度玻璃棉＋PU发泡胶 冷冻系统 复叠风冷式或水冷式欧美原装进口全封闭压缩机或半封闭压缩机、环保型雪种R23、R507 控制器 采用触控式人机介面，可程式控制 保护系统 压缩机过流、过热、超温、超压、加热干烧、马达过载、气压异常保护开关 附件 隔层架2片、测试孔1只 电源 AC 3.5W 380V±10% 50Hz  

产品详细介绍 量程：-50℃ ～ +150℃；分辨率：0.1℃；直径3mm不锈钢探针，可测量各种物体或溶液的温度.数据传输端口为智能HDMI接口，支持与采集器的有线通讯、无线通讯和独立数据显示三种工作方式。

一种具有温度补偿的宽温度全ＭＯＳ电压基准源，设有启动电路、基准核心电路、由温度检测电路、温度逻辑开启电路和高低温温度补偿电路构成的温度补偿电路。启动电路向基准核心电路注入电流使其正常工作，基准核心电路基于阈值电压和热电压的一阶温度补偿原理，采用ＣＭＯＳ型自偏置电流产生电路产生电流并经过有源负载产生基准电压ＶＲＥＦ，温度检测电路提取ＭＯＳ器件的阈值电压进行温度检测，经温度补偿逻辑开启电路进行逻辑处理后输出给高低温温度补偿电路，高低温温度补偿电路针对对不同的工作温度范围进行补偿并将补偿结果反馈耦合到基准核心电路输出的基准电压中，实现宽温度工作条件下低温度系数和高电源抑制比的全ＭＯＳ电压基准源。

该项目采用连续管线成型及填充技术，将纳米掺杂和连续管线成型（CTFF）加工工艺结合在一起。/line应用领域:超导磁体;超导电机;超导储能器；超导限流器等强电领域及国防军工。

FeSe超导体是铁基超导家族中结构最简单的材料。无论是在超导态还是正常态（四方-正交的结构相变温度之下），FeSe中的低能量自旋激发是完全c方向极化的，即没有ab面内的分量。这一奇特的自旋激发各向异性表明：一是FeSe中自旋轨道相互作用很强；二是FeSe中的自旋轨道相互作用会显著地影响电子库珀对的形成。

本发明公开了一种超导电机的力矩传导结构，其特征在于，该 力矩传导结构设置于低温转子与常温电机轴之间，且其为圆筒状的支 架状刚性结构，由此在所述低温转子与所述常温电机轴之间形成延长 的热传导路径。按照本发明实现的多层力矩传导结构，能够通过法兰 与梁结构配合使用，在结构部件中合理开孔以增加热传导路径，从而 显著减小力矩传导结构的漏热；从低温转子的内部支撑转子系统，充 分利用了转子与电机主轴之间的空间，不会占用额外的轴向空间，不 会增加电机的轴向长度；该多层力矩传导结构加工方案灵活，尤其适用于大型超导电机

本发明公开了一种超导磁体磁场分布测量装置。其中，大齿轮 的中心开孔，通过轴承安装在工作台上；第一支架固定在工作台上， 小齿轮的两端分别通过轴承与工作台和第一支架固定；第一手轮与小 齿轮连接；导轨固定在大齿轮上，滑块安装在导轨上；第二支架固定 在滑块上；螺杆穿过驱动板与驱动板通过螺纹连接，螺杆垂直于工作 台，其两端分别通过轴承与滑块和第二支架固定；固定杆穿过大齿轮 的中心开孔和工作台，垂直于工作台，其一端固定在驱动板上；高斯 计安装在固定杆的另一端；通过转动第一手轮和移动滑块，能使固定 杆的移动轨迹遍