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一种混合型磁通耦合超导故障限流器及限流方法
本发明涉及一种混合型磁通耦合超导故障限流器及限流方法，本发明中：耦合变压器的一次侧绕组 线圈同快速开关相联且并入 MOA 氧化锌电阻片，二次侧绕组线圈同超导限流材料相串联，继而将一、 二次侧绕组线圈呈反向并联后接入电力系统主回路。在电力系统正常运行时，快速开关处于闭合状态； 当系统发生短路故障后，控制快速开关触发断开，耦合变压器的磁通锁定特性将解除，且超导材料因其 通流大于临界电流设定而切换到高阻态，此时限流器呈现电感-电阻混合式成分进行故障限
武汉大学
2021-04-14
一种制备高温超导涂层导体LaSrMn03缓冲层薄膜的方法
本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤：分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后，将溶液置于红外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
西南交通大学
2016-10-20
碳纳米管改性的高导电高韧性石墨粘胶的制备方法
本发明公开了一种碳纳米管改性的高导电高韧性石墨粘胶的制备方法，包括步骤:步骤 1，在碳纳 米管表面化学修饰上亲水性基团;步骤 2，将分散剂溶解于去离子水中获得分散剂溶液;步骤 3，将带 亲水性基团的碳纳米管分散于分散剂溶液，获得碳纳米管分散液;步骤 4，将碳纳米管分散液低速离心 后取上层清液，将上层清液与树脂原液混合，获得碳纳米管改性的石墨粘胶。将本发明石墨粘胶用于制 备柔性石墨接地体的浸胶工艺，在提高石墨纸与纤维附着力的同时，还可显著提高复合石墨带的导电性
武汉大学
2021-04-14
一种高强高导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺
本发明公开了一种高强度导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺， 合金各 成分的按质量比为：铜：铬：钕为 97.6-98.8：0.4-1.1：0.02-0.08.本发明制 备工艺包括合金的熔铸工艺、合金熔铸后的处理工艺，合金熔铸后的处理 工艺中直接对合金铸锭冷轧，再进行时效处理。本发明所述制备工艺在合 金熔铸时，直接添加纯金属 Cr 颗粒，浇铸温度为 1100℃-1250℃。 本发明合金材料具有
南昌大学
2021-04-14
多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用
本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制 备方法和应用。该浆料包括 Ni-ZnO 复合粉体和有机粘合剂，其中， Ni-ZnO 复合粉体的质量百分比为 70～80％，有机粘合剂的质量百分比 为 20～30％；Ni-ZnO 复合粉体为 ZnO 包裹的 Ni 粉。该方法包括如下 步骤：制备 Ni-ZnO 复合粉体；将质量百分比为 70～80％的 Ni-ZnO 复 合粉体和质量百分比为 20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得
华中科技大学
2021-04-14
多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制备方法和应用
本发明公开了一种多层片式陶瓷元件内电极用导电浆料及其制 备方法和应用。该浆料包括 Ni-ZnO 复合粉体和有机粘合剂，其中， Ni-ZnO 复合粉体的质量百分比为 70～80％，有机粘合剂的质量百分比 为 20～30％；Ni-ZnO 复合粉体为 ZnO 包裹的 Ni 粉。该方法包括如下 步骤：制备 Ni-ZnO 复合粉体；将质量百分比为 70～80％的 Ni-ZnO 复 合粉体和质量百分比为 20～30％的有机粘合剂混合后球磨，得
华中科技大学
2021-04-14
一种磁纺制备导电聚合物微纳米纤维的方法
本发明公开了一种磁纺制备导电聚合物微纳米纤维的方法，包括以下步骤：(1)搭建磁纺装置：所述磁纺装置包括带有永磁铁的旋转收集圆盘；(2)配制纺丝前躯体溶液：磁性纳米颗粒、高分子聚合物和导电聚合物混合溶于有机溶剂配溶液；(3)利用磁纺装置制备导电聚合物微纳米复合纤维：将纺丝前躯体溶液注入给料装置中，开启给料装置，纺丝喷头喷射口处的液滴在磁场力的作用下形成射流与永磁铁搭连成桥，打开直流无刷电机带动收集圆盘旋转，在磁场力作用下铁磁流体射流不断被拉出，在收集圆盘的竖直支柱间缠绕形成合导电聚合物微纳米纤维。该方法无需高压电作用，降低了生产成本和安全隐患，纤维排布有序，适合大规模生产，具有很好的应用前景。
青岛大学
2021-04-13
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法；提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术；提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数，进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法，并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证，并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍，准确率提高到95%；定位技术误差一般不超过30cm；总体运算时间在秒级，Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白，对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项，发表SCI、EI论文14篇，并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10