本发明公开了一种基于阻尼转矩分析的电力系统低频振荡源在 线定位方法。该方法首先通过在线测量装置获取系统发生低频振荡时 电磁转矩、功角、角速度信号的动态响应数据，对发电机组的电磁转 矩信号以及其相对惯量中心的角速度、功角信号进行模式分解，提取 发电机所在支路的主导振荡模式，采用最小二乘拟合方法计算发电机 所在支路的主导振荡模式的阻尼转矩系数，接着根据阻尼转矩系数判 定发电机是否为该振荡模式的振荡源。本发明提供的定位监测方法能 够准确定位电力系统低频振荡发生源，通过振荡源对其自身的控制能 够有效地平息系

本新技术成果提供了一种表面具有纳米颗粒析出相的高温超导涂层导体Eu0.6Sr0.4BiO3缓冲层及其制备方法。采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备。目标物新的高温超导涂层导体缓冲层材料其名义组分为Eu0.6Sr0.4BiO3，其表面具有均匀弥撒分布的纳米析出相SrO2, 析出相尺寸在100nm左右，可作为缓冲层表面结构诱导的钉扎中心，即同时开发出了一种新的缓冲层表面结构诱导钉扎中心的方法，并且为其上超导层提供钉扎中心的性能得到了验证。

本发明公开了一种多馈入交直流混合电力系统的电压稳定性评 估方法，基于计及并联电容器补偿的多馈入有效短路比，采用无功折 算因子描述交流系统中并联电容器补偿点对直流系统的电压影响程 度，并采用折算的方法获取交流系统中各补偿点接入的并联电容器对 直流系统的无功影响量，将系统中所有并联电容器补偿点对直流系统 的无功影响量累加，获取全系统并联补偿对直流系统电压稳定性的不 利影响；根据全系统无功影响量获取有效短路比，进一步获取计入并 联电容器补偿的影响，根据有效短路比评估电力系统的稳定性；相比 现有基于多馈入有

本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池用导电碳浆，其包括有机 溶剂、粘结剂和导电填料，还包括无机添加剂，所述无机添加剂为 ZrO2 或 NiO 粉末，所述粘结剂占导电碳浆质量百分比为 6％～15％，所述 导电填料占导电碳浆质量百分比为 14％～20％，所述无机添加剂占导 电碳浆质量百分比为 3％～5％。还公开了一种钙钛矿太阳能电池用碳 对电极，采用如上所述的导电碳浆以丝网印刷方式制备获得。并公开 了一种钙钛矿太阳能电池，包括如上所述的碳对电极。还公开了一种 制备上述导电碳浆的方法。本发明导电碳浆不仅不会腐

华北电力大学（保定）先进环境材料表征测试实验设备采购项目招标项目的潜在投标人应在招标通电子招投标交易平台获取招标文件，并于2022年06月15日10点00分（北京时间）前递交投标文件。

本发明公开了一种考虑双馈风电机组励磁调节特性的电力系统 故障电流值计算方法，包括 S1 建立双馈风电机组受励磁调节特性影响 的等效受控电流源模型；S2 建立电力系统的正序阻抗矩阵、负序阻抗 矩阵和零序阻抗矩阵； S3建立不同故障类型下的故障点边界条件方程； S4 进行迭代计算获得双馈风电机组的受控电流源值； S5 根据双馈风电 机组的受控电流源值、以阻抗矩阵表征的电网节点电压方程以及故障 点边界条件方程获得当前迭代计算时各节点的各序电压值，并计算实 际节点的电压值；S6 获得当前迭代计算的节点实际电

伊辛超导是指超导库珀对的自旋被有效的塞曼磁场固定住，由此表现出极强的的面内临界磁场（远超其泡利顺磁极限）。通过分子束外延法在双层石墨烯终止的6H-SiC(0001)衬底上成功制备出大面积（毫米以上）原子级平整的高质量单层过渡族金属硫化物NbSe2薄膜（仅0.6 nm厚），在此基础上对其覆盖非晶态Se保护层，进而对非原位的电输运物性展开了系统研究。研究发现：单层NbSe2薄膜表现出超过6 K的起始超导临界转变温度和高达2.40 K的零电阻温度，超过了早期机械剥离获得的单层NbSe2以及分子束外延生长的单层NbSe2的超导转变温度。同时，强磁场和极低温下的输运测量结果直接证实了平行特征临界场Bc//(T = 0)是顺磁极限场的5倍以上，符合Zeeman保护的伊辛超导机制（前期NbSe2薄片中的伊辛超导证据需要实验数据的理论拟合在更低温更高磁场下的外推）。此外，极低温垂直磁场下的电输运测量表明，单层NbSe2薄膜在接近绝对零度时的量子临界点表现出量子格里菲斯奇异性。

铜氧化物超导体自从1986年被发现以来，其超导机理一直被本领域科学家高度关注。具有库仑排斥的两个电子，为什么在高达160多开尔文（约等于零下113度）下仍然能够相互吸引形成电子配对，并凝聚成为宏观的量子相干态，这是横亘在凝聚态物理领域的一个重大科学问题。2008年至今，铁基超导体家族的发现和壮大也为超导机理的研究注入了新的活力。随着研究的深入，从仅有的两大非常规超导家族出发，实际上人们很难直接得到普遍的规律和共识。如果出现一个除铜基，铁基之外的第三家族的超导体，这一情况可能得到很大的改善。2019年，美国斯坦福大学小组在介于铁、铜之间的镍元素所形成的氧化物Nd1-xSrxNiO2薄膜中发现了9-15 K左右的超导电性，它似乎具有与铜氧化物超导体类似的3d9最外层电子轨道，这为非常规超导机理的研究提供了一个崭新的平台。科学界非常关心它的超导形成与铜氧化物超导体有何异同，因此在学界迅速掀起了对镍基超导体研究的热潮。 超导体内部的单粒子激发需要一定的能量即为超导能隙，这也是超导态为什么能够在一定温度下稳定存在的原因。而两个电子形成配对的内在因素直接决定着超导能隙函数的表现形式。因此探测非常规超导体的机理问题的首要任务是知道超导能隙的函数形式。就镍基超导体实验而言，得到Nd1-xSrxNiO2超导薄膜样品似乎比较困难，因此国际上关于Nd1-xSrxNiO2薄膜的相关实验还不是很多，许多实验并不能直接反映超导的能隙函数。最近南京大学闻海虎团队和聂越峰、潘晓晴团队通力合作，成功在Nd1-xSrxNiO2超导薄膜样品中测量到高质量的扫描隧道谱，证明了Nd1-xSrxNiO2中存在两类超导能隙，一类是V型隧道谱即典型的d波超导能隙，能隙最大值为3.9meV，这一点与铜氧化物超导体及其类似；而另一类是完全能隙形式（full gap）的隧道谱，能隙值为2.35meV，这一点又与铜氧化物不一致，而与铁基超导体相似。聂越峰实验组利用分子束外延（MBE）技术制备出高质量的Nd1-xSrxNiO3 (113)薄膜及具有初步超导转变的Nd1-xSrxNiO2 (112)薄膜，闻海虎小组进行了后续的氢化处理，进一步优化了Nd1-xSrxNiO2 (112)镍基薄膜的超导转变温度及表面平整度，这是实验能够获得成功的关键因素之一。这一结果揭示了Nd1-xSrxNiO2超导体的能隙函数，发现与铜氧化物之间既有相似之点也有不同之处，并为接下来继续对镍基超导体开展深入研究奠定了坚实的实验基础。

中国科学院大学博士生导师、中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心超导国家重点实验室SC8组李世亮、罗会仟团队致力于利用非弹性中子散射探究铁基超导体的自旋动力学，在铁基超导体的中子自旋共振模方面取得系列前沿进展。