本项目提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 提出一种基于数据总线工作模式可切换的超导量子计算机芯片结构设计(发表于国际一流期刊PRB，2005)，相比于美国Google公司、IBM公司、加拿大D-Wave公司的超导量子计算机芯片而言，具有更强的纠错和避错品质，更易于实现大规模阵列集成。技术上已经实现了全国产设备工艺线上，芯片电路单元核心器件-约瑟夫森结和共面波导超导谐振器的自行设计制造，在极低温环境下完成了单元器件性能的标定和检验。

本发明属于纳米材料的制备与改性领域，具体公开了一种超高 纯度碳纳米管导电浆料，其制备方法包括以下步骤，首先在硅片表面 沉积一层氧化铝薄膜，接着在氧化铝薄膜上溅射铁薄膜，然后将附有 铁薄膜的硅片退火，使用水辅助超级生长法获得阵列碳纳米管，最后 将碳纳米管剥离,使用超声与球磨混合分散法分散于溶剂 N-甲基吡咯 烷酮中,即获得所述超高纯度碳纳米管导电浆料。本发明还公开了该超 高纯度碳纳米管导电浆料在锂电池中的应用。本发明优

本发明公开了一种具备高热稳定性的柔性透明导电薄膜的制备 方法，包括：步骤一，在平整光滑的目标衬底表面，均匀涂覆呈一维 结构的导电金属纳米材料，并形成为导电网络结构；步骤二，在具有 导电网络结构的目标衬底表面上，刮涂形成含氟聚酰亚胺的前驱体涂 层；步骤三，通过梯度升温的方式来对含氟聚酰亚胺前驱体涂层执行 固化处理；步骤四，将完成上述固化后的含氟聚酰亚胺膜层从目标衬 底予以剥离，由此制得所需成品。本发明还公开了相应的柔性

本新技术成果（ZL201220166687.2）来自省部级科技计划项目，现已结题.该成果提供了一种伪连续导电模式（PCCM）开关变换器自适应续流控制方法及其装置ACD，采用PCCM开关变换器的电感电流信息和输出电流信息经过运算后合成自适应参考电流，将自适应参考电流和电感电流进行比较，以此来控制PCCM开关变换器续流开关管的导通与关断。该发明可用于控制各种拓扑结构的PCCM开关变换器续流开关管，其优点是：无需补偿网络，控制简单，瞬态响应速度快，效率高。

本发明属于光电子技术领域，更具体地，涉及一种低粗糙度低 方阻的柔性透明导电复合薄膜，该薄膜为三层复合结构，最底层为透 明聚合物薄膜，中间层为金属纳米线构成的导电网络，最顶层为均匀 覆盖在所述透明聚合物薄膜与导电网络上的透明导电层，该柔性透明 导电复合薄膜的平均粗糙度小于 20 纳米，方阻低于 30 欧姆/平方米， 可见光范围内保持高于 80％的透光率，该透明导电薄膜能够承受曲率 半径 2 毫米的弯折。本发明还公开了该

本实用新型公开了一种连续导电模式单电感双输出开关变换器变频控制装置，通过限定电感电流峰值和谷值的大小，完成对变换器中主开关管和支路开关管的控制，实现各个输出支路的独立调节。与工作在连续导电模式的传统单电感双输出开关变换器相比，本实用新型具有稳定性好，可靠性高，抗干扰能力强，输入、负载瞬态响应速度快，输出支路间的交叉影响小等优点，可用于控制单电感双输出拓扑结构的多种变换器，诸如：Buck变换器、Boost变换器、Buck-boost变换器、Bipolar变换器等。

本发明公开了一种用于窄间隙焊接的能自动调节导电咀伸出长 度的焊枪，尤其适用于激光-电弧复合焊。它包括喷咀、气体分流器、 导电咀、高度传感器、中央处理器以及执行机构；气体分流器上开有 裸露在外的出气孔，气体分流器通过保护喷咀的紧箍力防止滑落；导 电咀呈扁平状，与气体分流器相连，在导电咀端部安装两个对称布置 的高度传感器，用以检测它与焊缝表面之间的距离；中央处理器根据 高度传感器的采集信号控制执行机构以调节导电咀的伸长和收缩。本 发明可以通过高度传感器检测焊缝底部与导电咀之间的距离，以自动 调节导电咀伸出的长度，保证焊丝干伸长在合理的范围内，使得在激 光-电弧复合焊过程中电弧能稳定存在，最终实现厚板的高质量焊接。

通过超高真空分子束外延技术，在SrTiO3衬底上成功制备出宏观尺度的单原胞层（厚度小于1纳米）高温超导体FeSe与FeTe0.5Se0.5单晶薄膜，其超导转变温度大约在60 K左右，并通过原位扫描隧道显微镜和隧道谱技术对其中的超导配对机制进行了深入研究。 原位扫描隧道显微镜观测表明沉积的Fe原子处于薄膜上层的Te/Se原子间隙处。由于沉积密度极低，Fe原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近无近邻Fe原子团簇。系统的原位超高真空（~10-10 mbar）扫描隧道谱实验发现，对特定的吸附原子/单层FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合强度[数量占比约13% (15%)]，Fe吸附原子上可观测到尖锐的零能电导峰（图1）。该电导峰紧密分布在吸附原子附近，衰减长度~3 A，且远离吸附原子时不劈裂。变温实验表明，零能电导峰在远低于超导转变温度时即消失，可初步排除Kondo效应、常规杂质散射态等解释（图2A和图2B）。进一步的控制实验和分析显示，零能电导峰半高宽严格由温度和仪器展宽限制、在近邻双Fe原子情形不劈裂、服从马约拉纳标度方程，这些结果均与马约拉纳零能模的唯象学特征吻合（图2C-图2G）。对沉积于单层FeSe薄膜与FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，结果基本相同。相比于单层FeSe，统计结果表明单层FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中观测到零能束缚态的几率更高且信号更强。波士顿学院汪自强教授和合作者曾在理论上提出，无外加磁场时，强自旋-轨道耦合s波超导体间隙磁杂质可产生量子反常磁通涡旋。理论上如果单层FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空间反演对称破缺而具有较强的Rashba自旋-轨道耦合, Fe原子的磁矩局域破坏时间反演对称，可以使量子反常涡旋“承载”马约拉纳零能模。对单层FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理论也预测存在拓扑非平庸相。在二维拓扑超导体中，马约拉纳零能模也会产生于Fe原子诱导的量子反常涡旋中的束缚态。因此，实验中观测到的零能电导峰可归因于Fe吸附原子引起的局域量子反常涡旋。更深入、具体的理解还有待于进一步的实验和理论探索。这一工作将探索马约拉纳零能模的超导材料从三维拓展到二维、从低温超导拓展到超过40 K超导转变温度的高温超导体系，同时无需外加磁场，观测到的零能束缚态原则上可操纵、“存活”温度明显提升。这些优势为未来实现可应用的拓扑量子比特提供了可能的方案。

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