1 成果简介磁传感器是用来检测磁场的存在，测量磁场的强度，确定磁场的方向，或确定磁场的强度方向是否有变化的器件，测磁仪器中的“ 探头” 或者“ 取样装置” 就是磁传感器。磁传感器在信息工业、交通运输、医疗仪器等领域具有越来越广泛的应用，这些应用也对磁传感器微型化、灵敏度、使用范围、成本和制备工艺等提出了更高的要求。目前所采用的磁传感器主要有霍尔元件、磁通门、巨磁阻材料（ GMR）、超导量子干涉元件（ SQUID）等，这些器件各有其优缺点。霍尔元件使用简单、价格便宜，但是一般只能用于测试 10－8 T 以上的直流磁场或低频交流磁场；磁通门一般用来测试 10－10T－10－3T 的直流磁场，因其成本低主要用于交通运输领域；巨磁阻材料是近些年发展起来的，利用巨磁阻效应实现对小磁场的敏感响应，这种材料的制备主要采用薄膜技术，对尺寸和厚度的要求十分严格。超导量子干涉元件是目前灵敏度最高的低磁场测试系统，可以探测到 10－15T 的磁场，但是它只能工作在液氦温度，设备体积大且价格非常昂贵，主要应用于医疗和科学研究领域。2 应用说明本发明提供的一种基于磁电复合材料的磁场传感系统，具有较高的磁场探测灵敏度（ 可探测 10－12T 的弱磁场），可以探测交流、直流磁场。制作工艺简单、价格低廉、应用范围广（除上述应用领域外，也可用于军事上）。3 合作方式商谈。

成果简介： 手持式瞬态磁场记录仪主要应用于智能变电站瞬态磁场的测量和记录，为分析变电站干扰事件提供支撑，为研究变电站空间瞬态电磁环境的特征和分布对变电站二次设备的保护以及电磁兼容技术的发展具有重要意义。 本仪器使用AMR磁阻传感器测量空间磁场数据，具有很高的线性度和灵敏度，仪器探头小巧，具有三个正交的灵敏轴，可实现空间三维磁场的点测量；磁场数据可存储至SD卡中，方便后期数据分析。 仪器的主要技术指标如下： 量程 ：正负6Gs ；分辨率：5mGs ； 最高采样率 ：40M； 最大存储深度：65ms（40M采样率）； 存储卡容量 ：32G

产品详细介绍无液氦超导强磁场平台能够提供一个5~18特斯拉的强磁场环境，温度可以从1.6K连续变化到300K，无需液氦制冷，大大降低了运行费用，操作灵活简便。 应用领域：磁光效应，磁化率和磁特性测量霍尔效应测量和电特性测量           超导转变点和临界电流，磁性转变点和磁场中的比热测量顺磁共振和核磁共振医学方面研究工业方面的应用（高磷土等工业矿石的处理）晶体生长污水净化核磁共振成像技术  产品特点：Ø  无需液氦，运行费用低实验时不需要再消耗昂贵的液氦或者液氮就可以维持4K或更低的温度，拥有制冷剂自动循环系统，使运行费用降到最低。Ø  快速变温能力，控温准确变温样品室和超导磁体共用同一个制冷装置，温度从300K降到4K只需1个小时左右，控温精度可达25mK 。Ø  全自动操作,安全可靠系统具有多项自动保护功能，确保设备安全运转。操作简单，非专业人士也可自如操作。同时也提供了数据共享，采用其它相关软件也可以实现操作控制。Ø  功能强大的软件系统，自动控温装置低温公司开发了一套软件用来控制和检测无液氦超导系统。可实现对磁场，样品温度控制实时监控。可视化操作界面，操作起来更加方便。提供实验数据分析，也可以将数据导出用于专业软件分析。性能指标磁场范围（标准）：5~18特斯拉控温范围：1.6K~300K样品降温时间：大约1个小时从300K~4K样品室尺寸：24mm或者29.5mm系统测试选件 1、霍尔效应及电阻率测量选件主要指标：Ø  2400电流源表量程范围：1 nA to 1 A.Ø 2182数字万用表的测量范围：100nV to 10V. Ø 电阻测量范围： 108 ohm to 10-7 ohmØ 测量精度：0.01% （量程的极端测试除外）Ø 系统具有扫描功能RnX 测量选件带有8 个电接头， 最多电测量接头可达到24个，因此一次实验，最多可测量6个样品。最大样品尺寸 10mm 直径DC电阻测量量程 10-7 to 108 OhmsDC电压量程 1V to 1mV电阻测量精度 < 0.1%  1-106 ohmAC 电阻测量频率，使 Stanford PSD 电桥法 1Hz to 100kHz 2、AC磁化率测量选件   在变温样品室内装上带线圈的特殊探杆，来产生AC磁场和监测样品的反应。样品室的直径为5mm，样品可手动的从上安装在线圈的中心，在测试探杆上装有Cenox传感器，用来检测样品的温度，AC磁场频率范围宽，磁场的监测器采用的是PAR高灵敏度相位探测器。主要技术指标如下：AC磁场最大值 10Hz时为100G1kHz灵敏度 4K时为10-8emu有效频率范围 0.1Hz到10kHz最大样品尺寸 5mm直径探杆外径尺寸 24mm温度范围 1.6K-300K 3、振动样品磁强计（VSM）选件特殊的带有线圈的测试探杆与低温装置外部的样品驱动的机械装置配合使用，便形成了测量材料DC磁特性的振动样品磁强计选件。VSM的样品驱动机械装置是由Cryogenic公司开发研制的，样品在测试线圈中的最大运动距离为10mm，可测试的最大样品尺寸为5mm，线圈探测器采集的信号直接由高灵敏度的PAR锁相放大器进行处理。 技术规格样品尺寸 最大为5mm直径的球体样品的移动 10mm （peak to peak）VSM的振动幅度 0到10mm（peak to peak）频率范围 10—100Hz通常操作频率 20Hz背景噪音 10-6emu精确度及重复性 0.5%温度范围 1.6  1.6K到300K4、比热测试选件  比热测试选件采用氮化硅薄膜上的带温度计和加热器的微型热量计对毫克级的样品进行比热测试。热量计工作在低压的交换气体中，封闭在锥形密封的腔体中。样品通过真空润滑脂直接粘到热量计的芯片上。AC热量测试法是可行的热量测试方法，加上生产传感器用的氮化硅薄膜技术，AC测试方法具有非常卓越的灵敏度，而且操作非常简单。5、热传导测试选件 Cryogenic公司采用锁相技术来进行热电功率和热传导的测试，测试探杆可根据用户样品的具体测试需要来进行定做。 热电功率的测试技术指标热电系数：+/-цV/ K温度范围：3到300K 系统扩展选件 1、 He3和稀释制冷机选件He3选件可以提供低至0.3K的样品温度。稀释制冷机选件可以提供低至0.01K的样品温度。2、 电阻测量选件的高温炉装置温度范围:300K到1000K3、 振动样品磁强计高温炉装置温度范围：300K到1000K4、 样品旋转平台一维、二维及三维样品旋转平台，可以使样品可在与磁场垂直的方向上进行分辨率为0.2度的旋转。5、 光学窗口系统还可以根据用户需要加上光学窗口，用作低温强磁场下的光学实验平台。 

实验内容 1、学习霍尔效应测量磁感应强度的原理； 2、测量螺线管轴线上磁感应强度的大小及 分布情况； 3、测量 C 型电磁铁空间三维磁场的大小及 分布情况； 4、测量单个线圈和共轴线圈空间三维磁场 大小及分布情况。

随着集成技术和微封装技术的发展，电子元器件和电子设备向小型化和微型化方向发展。电子设备所产生的热量迅速积累、增加。为保证电子元器件在使用环境温度下仍能高可靠性地正常工作。需要开发导热绝缘高分子复合材料替代传统高分子材料，作为热界面和封装材料，迅速将发热元件热量传递给散热设备，保障电子设备正常运行。高分子材料本身的热传导系数比较小，所以填充型高分子复合材料导热性能主要依赖于填充物的导热系数、填充物在基体中的分布以及与基体的相互作用。填料用量较小时，填料虽均匀分散于树脂中，但彼此间未能形成相互接触和相互作用，导热性提高不大；填料用量提高到某一临界值时，填料间形成接触和相互作用，体系内形成了类似网状或链状结构形态，即形成导热网链。当导热网链的取向与热流方向一致时，材料导热性能提高很快；体系中在热流方向上未形成导热网链时，会造成热流方向上热阻很大。项目采用导热填料添加的同时，以耐高温的硅橡胶或者氟橡胶为基体，硅橡胶是由环状有机硅氧烷开环聚合或以不同硅氧烷进行共聚而制得的弹性共聚物。在有机硅产品的结构中既含有“有机基团”，又含有“无机结构”，这种特殊的组成和分子结构使它集有机物的特性与无机物的功能于一身。硅橡胶有耐热，耐寒，有很宽温度使用范围，高电绝缘性，良好耐候性，耐臭氧性，并且无味无毒等性能。其最显著的特点是其优异的耐热性，可在?O0℃左右的温度下长期使用，因此被广泛用作高温场合的弹性材料。具有耐高温性的硅橡胶在印刷业、电子、电器、汽车、航空航天等工业部门和高新技术领域的应用是其它材料所不能替代的。

通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。

为了追求极限性能，越来越多的电子系统需要在低温条件下工作。例如，在量子计算机、高性能传感器、深空观测以及一些经典信息处理系统中，通常使用工作温度为2K甚至是mk温区的低温器件，从而在噪声、速度和灵敏度等方面实现接近量子极限的性能。对于这一类低温系统，信号读取与处理通常采用两种方式：第一种是采用超导数字电路SFQ（单磁通量子技术）来实现高性能计算和处理；第二种是将信号传送至几十K的温区，再采用低温CMOS技术对进行信号处理。然而，不论采用何种技术路径，数字电路的功耗都必须控制在极小范围之内，从而保持极低温的工作环境，维持低温器件的高性能。随着应用需求的提高和低温阵列器件规模的扩大，低温电子系统性能受到信号处理和传输技术的制约，急切需要新的方案进行解决。 图1. (a) 采用超导纳米线结构实现的12门控或逻辑门；(b) 超导纳米线数字编码器芯片照片。针对此问题，南京大学吴培亨院士领导的超导电子学研究所团队，赵清源教授和康琳教授课题组设计出新型多门控超导纳米线逻辑器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建经典二进制数字编码器；在1.6K的温度下，成功实现数字信息编码，总功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同时，他们还利用此编码器对超导纳米线单光子探测器阵列实现数字化读出，为低温阵列探测器的信号读出和处理提供第三种解决方案。图2. 超导纳米线逻辑芯片实现对单光子探测器阵列的数字化读取。半导体数字电路，经历了从电子管、晶体管、混合集成电路至大规模集成电路的发展过程。每一代技术的升级变革，其核心推力都是基础逻辑器件的更新换代。前沿技术领域对超导电子器件的应用需求，也正将超导电子技术推向数字化的发展时代。南京大学吴培亨院士团队基于超导纳米线技术，开展了新型超导逻辑器件(nTron)的研究工作。nTron为单层平面器件，利用局部超导相变，实现高速低功耗的开关逻辑。

自西南交通大学在2000年底成功开发出世界首辆高温超导磁浮试验车以来，国际上有关高温超导磁浮车的研究取得了显著的进展。继我们之后，俄罗斯莫斯科航天研究所在2003年底开发出可以乘载两人的高温超导磁浮车。尽管该车没有装备驱动系统，但其高度的稳定悬浮、较大的悬浮气隙（-40cm）、简洁的轨道设计展示了人们在高温超导磁浮技术的应用开发上又取得了显著的进步。2004年中期，德国的德累斯顿固体物理研究所开发出低速高温超导磁浮车。该车采用短定异步感应电机驱动、实现了车载控制驱动一体化，展示了便捷的、个性化的超导磁浮交通系统的美好前景。尽管如此，西南交通大学的高温超导磁浮车的研究仍然在整体上处于领先地位。为了不断推进和深化高温超导磁浮车的基础研究和技术开发，西南交通大学超导研究开发中心将在近期开展以下几个方面研究，为其工程化奠定基础：1）超导磁浮车的岔道技术研究 高温超导磁浮车要走向应用，岔道技术是关键技术之一。由于高温超导车将主要用于高速交通，安全、高效的岔道和转轨技术不仅显得尤为重要，并有着高温超导磁浮系统的独特性。我们将采用水磁、电磁相结合的方法，探索和开发出新型的、经济的、高效率的高温超导磁浮车的岔道技术。2）高温超导磁浮车的导向纠偏技术 高温超导磁浮车与常民电磁悬浮车的一大区别是高温超导磁浮车具有自稳定和自导向性，从而有可能省略复杂的控制系统。然而，在某些运行条件下，磁浮车的导向一旦出现偏离自稳定的范围，将产生严重后果。开发出适合高温超导磁浮车的导向纠偏技术,实现高温超导磁浮车工程应用的重要技术。3) 导磁浮系统动力学 在过去的三年多时间里，高温超导磁浮车在低速下的稳定运行已经得到了充分的检验。然而，在高速和超高速状态下的运行稳定性却缺乏充分的理论基础和实验依据。为此，我们将采用理论研究和实验模拟相结合的方法，研究高温超导磁浮系统在高速运动和强冲击下动力学稳定性，为开展高温超导磁浮车的中试试验提供理论和技术指导。4) 导磁浮系统中超导材料的电磁动力学特性 高温超导磁浮车的性能主要取决于高温超导大块材料的性能，提高超导材料的性能是提高高温超导磁浮车的安全性、降低制造和运行成本、提高其效能最为关键的问是。此外，研究在高速运动、高强度冲击下高温超导磁浮系统中超导材料的电磁稳定性也是实现其工程化的关键头号是。在改善材料性能的同时，我们将研究高温超导磁浮材料的交流损耗、钉扎稳定性和热稳定性，为高温超导磁浮车的工程设计提供可靠依据。

本项目属于MRI核心部件研发。梯度线圈为MRI仪器的三大核心部件之一，其作用是在一定范围内产生一个交变的梯度磁场，其性能对成像质量与成像速度起着至关重要的作用。该项目具备以下优点： 涡流小：涡流是梯度线圈最重要的指标之一，影响图像的质量，而且很难校正。我们的梯度线圈涡流比Tesla公司同款产品的小很多，经MRI系统厂家测试，成像更清新。 载流能力强：两款线圈载流能力达到850A以上，能匹配更高性能的功放。 耐压强度高：匹配梯度功放的电压可达到1400V以上

本发明公开了一种超导饼拆装更换装置，该装置包括下底板、 上盖板、铜环导体和定位支撑杆，多个定位支撑杆安装在下底板上， 上盖板穿装在定位支撑杆上；铜环导体的数量为多个并且这些铜环导 体均位于下底板和上盖板之间，相邻的两个铜环导体之间存在间距； 每个铜环导体上均设置有多个定位孔，每个定位孔均竖直设置，每个 定位支撑杆分别从对应位置处的一定位孔穿过所述的铜环导体；所述 铜环导体上开设有多个引线孔。本装置将多个饼式子线圈通过铜环导 体联接在一起，可以实现并联或串联，而没有直接将接头焊接在一起， 提高了故障饼