1 成果简介磁传感器是用来检测磁场的存在，测量磁场的强度，确定磁场的方向，或确定磁场的强度方向是否有变化的器件，测磁仪器中的“ 探头” 或者“ 取样装置” 就是磁传感器。磁传感器在信息工业、交通运输、医疗仪器等领域具有越来越广泛的应用，这些应用也对磁传感器微型化、灵敏度、使用范围、成本和制备工艺等提出了更高的要求。目前所采用的磁传感器主要有霍尔元件、磁通门、巨磁阻材料（ GMR）、超导量子干涉元件（ SQUID）等，这些器件各有其优缺点。霍尔元件使用简单、价格便宜，但是一般只能用于测试 10－8 T 以上的直流磁场或低频交流磁场；磁通门一般用来测试 10－10T－10－3T 的直流磁场，因其成本低主要用于交通运输领域；巨磁阻材料是近些年发展起来的，利用巨磁阻效应实现对小磁场的敏感响应，这种材料的制备主要采用薄膜技术，对尺寸和厚度的要求十分严格。超导量子干涉元件是目前灵敏度最高的低磁场测试系统，可以探测到 10－15T 的磁场，但是它只能工作在液氦温度，设备体积大且价格非常昂贵，主要应用于医疗和科学研究领域。2 应用说明本发明提供的一种基于磁电复合材料的磁场传感系统，具有较高的磁场探测灵敏度（ 可探测 10－12T 的弱磁场），可以探测交流、直流磁场。制作工艺简单、价格低廉、应用范围广（除上述应用领域外，也可用于军事上）。3 合作方式商谈。

成果简介： 手持式瞬态磁场记录仪主要应用于智能变电站瞬态磁场的测量和记录，为分析变电站干扰事件提供支撑，为研究变电站空间瞬态电磁环境的特征和分布对变电站二次设备的保护以及电磁兼容技术的发展具有重要意义。 本仪器使用AMR磁阻传感器测量空间磁场数据，具有很高的线性度和灵敏度，仪器探头小巧，具有三个正交的灵敏轴，可实现空间三维磁场的点测量；磁场数据可存储至SD卡中，方便后期数据分析。 仪器的主要技术指标如下： 量程 ：正负6Gs ；分辨率：5mGs ； 最高采样率 ：40M； 最大存储深度：65ms（40M采样率）； 存储卡容量 ：32G

产品详细介绍无液氦超导强磁场平台能够提供一个5~18特斯拉的强磁场环境，温度可以从1.6K连续变化到300K，无需液氦制冷，大大降低了运行费用，操作灵活简便。 应用领域：磁光效应，磁化率和磁特性测量霍尔效应测量和电特性测量           超导转变点和临界电流，磁性转变点和磁场中的比热测量顺磁共振和核磁共振医学方面研究工业方面的应用（高磷土等工业矿石的处理）晶体生长污水净化核磁共振成像技术  产品特点：Ø  无需液氦，运行费用低实验时不需要再消耗昂贵的液氦或者液氮就可以维持4K或更低的温度，拥有制冷剂自动循环系统，使运行费用降到最低。Ø  快速变温能力，控温准确变温样品室和超导磁体共用同一个制冷装置，温度从300K降到4K只需1个小时左右，控温精度可达25mK 。Ø  全自动操作,安全可靠系统具有多项自动保护功能，确保设备安全运转。操作简单，非专业人士也可自如操作。同时也提供了数据共享，采用其它相关软件也可以实现操作控制。Ø  功能强大的软件系统，自动控温装置低温公司开发了一套软件用来控制和检测无液氦超导系统。可实现对磁场，样品温度控制实时监控。可视化操作界面，操作起来更加方便。提供实验数据分析，也可以将数据导出用于专业软件分析。性能指标磁场范围（标准）：5~18特斯拉控温范围：1.6K~300K样品降温时间：大约1个小时从300K~4K样品室尺寸：24mm或者29.5mm系统测试选件 1、霍尔效应及电阻率测量选件主要指标：Ø  2400电流源表量程范围：1 nA to 1 A.Ø 2182数字万用表的测量范围：100nV to 10V. Ø 电阻测量范围： 108 ohm to 10-7 ohmØ 测量精度：0.01% （量程的极端测试除外）Ø 系统具有扫描功能RnX 测量选件带有8 个电接头， 最多电测量接头可达到24个，因此一次实验，最多可测量6个样品。最大样品尺寸 10mm 直径DC电阻测量量程 10-7 to 108 OhmsDC电压量程 1V to 1mV电阻测量精度 < 0.1%  1-106 ohmAC 电阻测量频率，使 Stanford PSD 电桥法 1Hz to 100kHz 2、AC磁化率测量选件   在变温样品室内装上带线圈的特殊探杆，来产生AC磁场和监测样品的反应。样品室的直径为5mm，样品可手动的从上安装在线圈的中心，在测试探杆上装有Cenox传感器，用来检测样品的温度，AC磁场频率范围宽，磁场的监测器采用的是PAR高灵敏度相位探测器。主要技术指标如下：AC磁场最大值 10Hz时为100G1kHz灵敏度 4K时为10-8emu有效频率范围 0.1Hz到10kHz最大样品尺寸 5mm直径探杆外径尺寸 24mm温度范围 1.6K-300K 3、振动样品磁强计（VSM）选件特殊的带有线圈的测试探杆与低温装置外部的样品驱动的机械装置配合使用，便形成了测量材料DC磁特性的振动样品磁强计选件。VSM的样品驱动机械装置是由Cryogenic公司开发研制的，样品在测试线圈中的最大运动距离为10mm，可测试的最大样品尺寸为5mm，线圈探测器采集的信号直接由高灵敏度的PAR锁相放大器进行处理。 技术规格样品尺寸 最大为5mm直径的球体样品的移动 10mm （peak to peak）VSM的振动幅度 0到10mm（peak to peak）频率范围 10—100Hz通常操作频率 20Hz背景噪音 10-6emu精确度及重复性 0.5%温度范围 1.6  1.6K到300K4、比热测试选件  比热测试选件采用氮化硅薄膜上的带温度计和加热器的微型热量计对毫克级的样品进行比热测试。热量计工作在低压的交换气体中，封闭在锥形密封的腔体中。样品通过真空润滑脂直接粘到热量计的芯片上。AC热量测试法是可行的热量测试方法，加上生产传感器用的氮化硅薄膜技术，AC测试方法具有非常卓越的灵敏度，而且操作非常简单。5、热传导测试选件 Cryogenic公司采用锁相技术来进行热电功率和热传导的测试，测试探杆可根据用户样品的具体测试需要来进行定做。 热电功率的测试技术指标热电系数：+/-цV/ K温度范围：3到300K 系统扩展选件 1、 He3和稀释制冷机选件He3选件可以提供低至0.3K的样品温度。稀释制冷机选件可以提供低至0.01K的样品温度。2、 电阻测量选件的高温炉装置温度范围:300K到1000K3、 振动样品磁强计高温炉装置温度范围：300K到1000K4、 样品旋转平台一维、二维及三维样品旋转平台，可以使样品可在与磁场垂直的方向上进行分辨率为0.2度的旋转。5、 光学窗口系统还可以根据用户需要加上光学窗口，用作低温强磁场下的光学实验平台。 

产品概述： FCP磁场控制平台是根据磁控原理设计的理想磁测量系统，磁场范围超过3T，利用TESTIK475高斯计稳定磁场控制，适合各系列电磁铁配置，连续可变的电磁气隙，实心的和光学入口极帽，线型双极，真实四象限电磁铁电源。   您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁场控制平台磁控原理磁测量系统 FCP磁场控制平台控制特征： TESTIK475型高斯计努力保持确切的磁场密度，用户输入的控制设定点，用G、T、Oe、A/m来表示。北京锦正茂的电磁铁磁场控制平台集成了硬件和控制部件来形成一个变化的磁场平台，可以被独立的被利用或做为用户设计的测量系统的一个基础。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  磁场控制平台磁控原理磁测量系统 ※ 磁场控制平台包括锦正茂公司的电磁铁、双极电源、具有控制能力的DSP技术的高斯计、霍尔探头及支架等。 锦正茂提供的磁场控制平台具有不同的配制用来满足在磁场强度、磁场均匀性、样品尺寸、自定义测量要求等基础之上的用户要求。可以独立的形成用户所需要的不同磁场强度的可变磁场。广泛用于磁光测量系统、VSM测量系统、在线退火、霍尔效应、磁化率测量、自旋磁共振、B-H曲线测量和精准的传感器校准等领域。 475高斯计从高斯计霍尔探头得到反馈来计算并调整控制（模拟）输出。为了更大程度实现控制的稳定性，475型高斯计每33毫秒更新模拟输出。结果是一个内置的PI 控制器提供了峰值-到-峰值的0.5 G*的磁场稳定性。 ※ 当设定点速率激活的时候，仪器会开始从当前磁场读数加速而不是当前设定点，基于对P和I的设定。另外，475高斯计能设定速率来控制设定点，从当前磁场读数到一个新的值，使用一个磁场中平滑线性变换而不是瞬态特性的PI控制。 ※ 开环磁场控制也可能用手动输出来使用475模拟输出，这意味着忽视了反馈并且模拟输出停留在手动用户调整。这个方法使磁体电源操作处于恒定电流模式。 ※ 475也包含了用户可设定的控制斜率限制和模拟输出电压限制。这些软件限制保证了磁体电源如果磁场控制系统遭到不合适的调整或开始摆动而不会损坏。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 锦正科技以现代高科技产业和传统产业为核心业务，对内承接科研生产任务，对外以商务平台方式实现军民两用技术成果转换，形成了科学管理的现代化经营模式，专门从事物理、化学和材料等领域的科学仪器研发、销售各类型超低温测试设备（液氮 液氦）制冷机系统集成 ，定制 ，高低温真空磁场发生系统，Helmholtz线圈（全套解决方案），电磁铁（全系列支持定制），螺线管，电子枪（高稳定性双极性磁铁恒流电源1ppm），高低温磁场真空探针台，霍尔测试系统，电输运测量解决方案，磁光克尔效应测量系统等产品种类齐全，性能可靠，至今已有近10余年的历史，是国内（较早）生产探针台，电输运，电磁铁的厂家之一。    

实验内容 1、学习霍尔效应测量磁感应强度的原理； 2、测量螺线管轴线上磁感应强度的大小及 分布情况； 3、测量 C 型电磁铁空间三维磁场的大小及 分布情况； 4、测量单个线圈和共轴线圈空间三维磁场 大小及分布情况。

本发明公开了一种超导电力装置用空心低温杜瓦，包括上、下 层低温杜瓦部件和支撑体；上、下层低温杜瓦部件均为中间带有方形 通孔的空心圆筒结构，上层低温杜瓦部件嵌套在下层低温杜瓦部件内， 上层低温杜瓦部件和下层低温杜瓦部件的上部高度相等且均为敞口， 上、下层低温杜瓦部件之间支撑体连接支撑；上层低温杜瓦部件的空腔用于盛装液氮和提供超导线圈放置的空间；上、下层低温杜瓦部件 之间的空隙内填充有隔热材料。本发明通过对低温杜瓦部件的形状和 结构的巧妙设计使其达到安全、稳定运行的效果。这种杜瓦结构可以 用于超导磁体中

北京大学量子材料中心王健研究组与合作者在钛酸锶（SrTiO3）衬底上外延生长的单原胞层厚（0.55 nm）铁硒（FeSe）薄膜中观测到了具有磁激发迹象的玻色模式和强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。两项发现为超导机制备受争议的单原胞层铁硒薄膜提供了异号配对的重要实验证据，表明在该体系中尽管界面电–声耦合被认为可以增强超导特性，自旋涨落对于库珀对的配对有着不可忽略的作用，或对铁基高温超导机理的统一理解提供重要参考。 提升超导转变温度和理解库珀配对机制是超导领域两个最重要的研究方向。在以往的铁基超导研究中，基于电子–空穴费米口袋嵌套的s±波配对被广泛接受。然而对于AxFe2−ySe2 (A = K, Rb, Cs, Tl)、(Li1−xFex)OHFe1−ySe，尤其是单原胞层 FeSe/SrTiO3等一系列重电子掺杂铁硒化合物，重电子掺杂会导致费米能级上移，进而导致布里渊区中心Γ点的空穴费米口袋降至费米能级以下，使得电子–空穴费米口袋嵌套理论失效。因而，铁基超导中的s±配对图像受到严峻挑战。 钛酸锶衬底上外延生长的铁硒薄膜具有铁基超导家族最简单的分子结构和最高的超导转变温度（能隙闭合温度的典型值为65 K），自2012年被清华大学薛其坤团队发现以来在国际凝聚态物理领域掀起了研究热潮。前期，北京大学王健研究组与薛其坤研究组合作采用电输运和抗磁性测量首次报道了单层铁硒中高温超导的直接证据（Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014)，被Science编辑选择文章Science 343, 230 (2014)报道）。然而，其中的超导配对机制，一直存在争议，始终悬而未决。 为了揭示单层铁硒中的超导配对机制，王健研究组开展了一系列系统的实验。实验中的单层铁硒超薄膜采用分子束外延技术生长于钛酸锶衬底。通过原位超高真空（~10−10 mbar）原位扫描隧道谱探测，研究组发现超导能隙外存在由电子–玻色子耦合导致的鼓包（hump）结构。系统的扫描隧道谱实验揭示以该鼓包为特征的玻色模式更接近磁激发信号（图1），极有可能是充当配对媒介、且连接布里渊区近邻角落（M点）电子费米口袋的(π,π)自旋涨落。超导序参量作为复数，其在费米面上的分布存在同相位（保号：sign-preserving）与反相位（异号：sign-reversing）两种情形。杂质散射作为一种相位敏感技术，已广泛应用于以往超导配对研究。其中非磁性杂质尤为特殊，其选择性地局域破坏s±波、d波等异号配对，实验上表现为诱导超导能隙内的束缚态，而对传统保号s波配对无明显效应，因此可用于区分异号和保号配对图像。王健研究组采用沉积于单层铁硒表面的强非磁性杂质铅（Pb）吸附原子作为散射中心，实验中发现相对于正常超导谱形，铅原子在超导带隙边界附近诱导出电子型谱权重增强，同时超导能隙减弱（图2）。该特征是‘隐’束缚态的典型信号。系统的势散射强度调节（图2(d)）等实验也印证了这一观点，有力地说明单层铁硒超导能隙函数存在异号。同时，基于异号配对图像，如扩展s±波（图2(e)），南京大学王强华教授与南京师范大学高绎教授理论上定性复现了非磁性杂质诱导的超导谱形重构。上述的玻色模式与非磁杂质散射两项研究成果一致支持单层铁硒中存在以自旋涨落为媒介的异号配对，为最终澄清单层铁硒的界面高温超导机制奠定了重要基础，同时也预示具有不同费米面构型的铁基高温超导体或存在统一解释。图1. 单原胞层 FeSe中具有磁激发迹象的玻色模式。(a) 单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示超导能隙外由电子–玻色子耦合导致的鼓包结构；(b) Ω/2Δ1与Δ1的统计负关联（Ω：玻色模式能量；Δ1：内超导能隙）。图2. 单原胞层 FeSe中强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。(a) Pb吸附原子的STM形貌图；(b) Pb吸附原子和正常单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示9.5 mV处存在‘隐’束缚态；(c) 跨Pb吸附原子的扫描隧穿线谱；(d) 101组Pb吸附原子扫描隧穿谱（黑实线下方）与无吸附原子时的扫描隧穿谱（黑实线上方）对比；(c) 扩展s±波图像下非磁性杂质的模拟局域态密度谱。 两项工作分别于2019年5月22日和2019年7月15日发表于Nano Letters（Nano Lett. 19, 3464−3472 (2019)）、Physical Review Letters（Phys. Rev. Lett. 123, 036801 (2019)）。论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b00144、https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.036801。 其中Nano Letters文章北京大学博士生刘超飞为第一作者，北京大学王健教授为通讯作者；Physical Review Letters文章，北京大学博士生刘超飞、王子乔和南京师范大学高绎教授为共同第一作者，北京大学王健教授和南京大学王强华教授为共同通讯作者。 以上工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心、中科院卓越创新中心、北京市自然科学基金、江苏省自然科学基金等经费的支持。王健特别感谢谢心澄、王垡、徐莉梅、任泽峰以及量子物质科学协同创新中心在北大超高真空分子束外延与低温扫描隧道显微镜实验室搭建过程中给予的支持。

本发明公开了一种低温空气分离的超导磁分离器、分离装置和方法，其中超导磁分离器包括外壳，以及设于外壳内的分离芯体，分离芯体包括：外磁体；至少一部分为多孔超导薄膜的分离元件，该分离元件设置在外磁体磁场内部；多孔超导薄膜一侧与自空气原料进口进入的空气原料接触，用于收集氧气，并通过氧气出口排出；超导体另一侧用于收集穿过孔结构的氮气，然后经氮气出口排出。相比于传统的磁力空气分离，本发明磁场强度、梯度更高，低温的原料空气中氧分子的磁化率成倍增大，并且可以提供磁体和薄膜维持超导状态所需的冷量，因此分离效率、产品纯度更高，在化工、冶炼、医疗等需要提供高纯度氧气的领域有着广阔的应用空间。