本实用新型公开了一种高温超导线圈磁通泵设备，包括磁路、三相电绕组、直流电线圈、超导线圈定子和超导线圈，磁路首尾相连形成封闭线路，并依次被分为第一段、第二段、第三段和第四段，第一段和第三段上下对应设置，第二段和第四段左右对应设置，第一段上设有线圈绕槽，线圈绕槽位于磁路构成的封闭线路内侧，三相电绕组绕制在线圈绕槽上，直流电线圈分别设置在磁路的第二段和第四段上，超导线圈设置在磁路外侧与超导线圈定子相连并形成闭合回路，磁路的第三段从超导线圈定子与超导线圈构成的封闭回路内侧穿过。解决高温超导磁体在持续电流模式下运行的难题，同时解决高温超导磁体直流电源设备昂贵，制冷系统负担大，制冷成本高的问题。

本发明涉及一种超快浸渍封装超导结构的方法，涉及超导结构浸渍封装技术领域，所述超快浸渍封装超导结构的方法包括以下步骤：得到基于双环戊二烯单体的前端聚合溶液；将超导结构置于所述基于双环戊二烯单体的前端聚合溶液进行浸渍封装，得到封装完成后的超导结构成品；所述基于双环戊二烯单体的前端聚合溶液包括以下重量百分数的原料：双环戊二烯单体84.33‑91.45%、5‑亚乙基‑2降冰片烯5.63‑10.39%、催化剂0.045‑0.059%、溶剂2.82‑5.19%、余量为抑制剂。本发明提供了一种超快浸渍封装超导结构的方法，其具有低能耗、耗时短等特点，有效解决了现有超导结构浸渍封装过程中面临的高能耗和时间长等问题。

本发明公开了一种超导电力装置用空心低温杜瓦，包括上、下 层低温杜瓦部件和支撑体；上、下层低温杜瓦部件均为中间带有方形 通孔的空心圆筒结构，上层低温杜瓦部件嵌套在下层低温杜瓦部件内， 上层低温杜瓦部件和下层低温杜瓦部件的上部高度相等且均为敞口， 上、下层低温杜瓦部件之间支撑体连接支撑；上层低温杜瓦部件的空腔用于盛装液氮和提供超导线圈放置的空间；上、下层低温杜瓦部件 之间的空隙内填充有隔热材料。本发明通过对低温杜瓦部件的形状和 结构的巧妙设计使其达到安全、稳定运行的效果。这种杜瓦结构可以 用于超导磁体中

北京大学量子材料中心王健研究组与合作者在钛酸锶（SrTiO3）衬底上外延生长的单原胞层厚（0.55 nm）铁硒（FeSe）薄膜中观测到了具有磁激发迹象的玻色模式和强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。两项发现为超导机制备受争议的单原胞层铁硒薄膜提供了异号配对的重要实验证据，表明在该体系中尽管界面电–声耦合被认为可以增强超导特性，自旋涨落对于库珀对的配对有着不可忽略的作用，或对铁基高温超导机理的统一理解提供重要参考。 提升超导转变温度和理解库珀配对机制是超导领域两个最重要的研究方向。在以往的铁基超导研究中，基于电子–空穴费米口袋嵌套的s±波配对被广泛接受。然而对于AxFe2−ySe2 (A = K, Rb, Cs, Tl)、(Li1−xFex)OHFe1−ySe，尤其是单原胞层 FeSe/SrTiO3等一系列重电子掺杂铁硒化合物，重电子掺杂会导致费米能级上移，进而导致布里渊区中心Γ点的空穴费米口袋降至费米能级以下，使得电子–空穴费米口袋嵌套理论失效。因而，铁基超导中的s±配对图像受到严峻挑战。 钛酸锶衬底上外延生长的铁硒薄膜具有铁基超导家族最简单的分子结构和最高的超导转变温度（能隙闭合温度的典型值为65 K），自2012年被清华大学薛其坤团队发现以来在国际凝聚态物理领域掀起了研究热潮。前期，北京大学王健研究组与薛其坤研究组合作采用电输运和抗磁性测量首次报道了单层铁硒中高温超导的直接证据（Chin. Phys. Lett. 31, 017401 (2014)，被Science编辑选择文章Science 343, 230 (2014)报道）。然而，其中的超导配对机制，一直存在争议，始终悬而未决。 为了揭示单层铁硒中的超导配对机制，王健研究组开展了一系列系统的实验。实验中的单层铁硒超薄膜采用分子束外延技术生长于钛酸锶衬底。通过原位超高真空（~10−10 mbar）原位扫描隧道谱探测，研究组发现超导能隙外存在由电子–玻色子耦合导致的鼓包（hump）结构。系统的扫描隧道谱实验揭示以该鼓包为特征的玻色模式更接近磁激发信号（图1），极有可能是充当配对媒介、且连接布里渊区近邻角落（M点）电子费米口袋的(π,π)自旋涨落。超导序参量作为复数，其在费米面上的分布存在同相位（保号：sign-preserving）与反相位（异号：sign-reversing）两种情形。杂质散射作为一种相位敏感技术，已广泛应用于以往超导配对研究。其中非磁性杂质尤为特殊，其选择性地局域破坏s±波、d波等异号配对，实验上表现为诱导超导能隙内的束缚态，而对传统保号s波配对无明显效应，因此可用于区分异号和保号配对图像。王健研究组采用沉积于单层铁硒表面的强非磁性杂质铅（Pb）吸附原子作为散射中心，实验中发现相对于正常超导谱形，铅原子在超导带隙边界附近诱导出电子型谱权重增强，同时超导能隙减弱（图2）。该特征是‘隐’束缚态的典型信号。系统的势散射强度调节（图2(d)）等实验也印证了这一观点，有力地说明单层铁硒超导能隙函数存在异号。同时，基于异号配对图像，如扩展s±波（图2(e)），南京大学王强华教授与南京师范大学高绎教授理论上定性复现了非磁性杂质诱导的超导谱形重构。上述的玻色模式与非磁杂质散射两项研究成果一致支持单层铁硒中存在以自旋涨落为媒介的异号配对，为最终澄清单层铁硒的界面高温超导机制奠定了重要基础，同时也预示具有不同费米面构型的铁基高温超导体或存在统一解释。图1. 单原胞层 FeSe中具有磁激发迹象的玻色模式。(a) 单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示超导能隙外由电子–玻色子耦合导致的鼓包结构；(b) Ω/2Δ1与Δ1的统计负关联（Ω：玻色模式能量；Δ1：内超导能隙）。图2. 单原胞层 FeSe中强非磁性杂质诱导的准粒子束缚态。(a) Pb吸附原子的STM形貌图；(b) Pb吸附原子和正常单原胞层 FeSe的扫描隧穿谱，显示9.5 mV处存在‘隐’束缚态；(c) 跨Pb吸附原子的扫描隧穿线谱；(d) 101组Pb吸附原子扫描隧穿谱（黑实线下方）与无吸附原子时的扫描隧穿谱（黑实线上方）对比；(c) 扩展s±波图像下非磁性杂质的模拟局域态密度谱。 两项工作分别于2019年5月22日和2019年7月15日发表于Nano Letters（Nano Lett. 19, 3464−3472 (2019)）、Physical Review Letters（Phys. Rev. Lett. 123, 036801 (2019)）。论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b00144、https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.123.036801。 其中Nano Letters文章北京大学博士生刘超飞为第一作者，北京大学王健教授为通讯作者；Physical Review Letters文章，北京大学博士生刘超飞、王子乔和南京师范大学高绎教授为共同第一作者，北京大学王健教授和南京大学王强华教授为共同通讯作者。 以上工作得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、量子物质科学协同创新中心、中科院卓越创新中心、北京市自然科学基金、江苏省自然科学基金等经费的支持。王健特别感谢谢心澄、王垡、徐莉梅、任泽峰以及量子物质科学协同创新中心在北大超高真空分子束外延与低温扫描隧道显微镜实验室搭建过程中给予的支持。

本发明提供了一种高温超导磁体非线性分析建模方法，根据磁 体实际模型，建立电磁热耦合分析的 PDE 模型，并根据 PDE 模型求 解结果计算动态电感、电阻等效参数，并获取超导磁体临界电流、最 大温升等关键参量；根据电感、电阻参数与磁体两端压降的数学关系， 利用受控电流源来等效磁体模型，在仿真中任意时刻，磁体的等效电 感、等效电阻及关键参量均与磁体当前状态相关，充分考虑了超导磁 体的非线性 E-J 特性。本发明可以体现系统控制模块与超导磁体的相 互影响，进而分析控制算法对超导磁体响应特性的影响。与传统将

技术亮点 ❖ 4~20mA/0-5V输出； ❖ 宽电压输入9~36V； ❖ 高抗振性能>3500g； ❖ 工作寿命长达10年 产品介绍 LTS6系列电流输出型倾角传感器是瑞惯科技自主研发的高性价比全姿态角度测量产品，基于创新抗干扰平台打造，搭载新一代MEMS传感技术，具备宽温域适应性与优异抗振性能，工作稳定性卓越，设计使用寿命可达10年。 该产品采用无接触式测量原理，通过高精度电容式MEMS单元检测重力分量变化，实时解算倾斜角度。安装方式灵活便捷，直接固定于被测物体表面即可，无需额外机械转轴结构，支持多场景安装适配，可广泛应用于工程机械、农业装备及工业自动化等领域，为客户提供可靠的倾角测量解决方案。   应用范围 该系列产品凭借其高精度惯性测量能力，在工业级应用领域具有成熟解决方案： ❖ 农业机械设备     ❖ 工程起重设备     ❖ 高空作业平台       ❖ 高空作业吊篮❖ 木工加工机械     ❖ 建筑塔式起重机   ❖ 医疗器械设备调平   ❖ 电动车辆控制系统

一种Nb3Al/Nb多芯复合超导线材的制备方法，其步骤是：按Nb3Al的化学计量比称取Nb箔和Al箔；将Nb箔、Al箔重叠并缠绕在Nb棒上，再将其装入Nb管中，然后拉拔成0.8-1mm的细线，得单芯线材；将单芯线材截成等长的多段后，整齐的装入Nb管中，并在Nb管的中轴线上放置一根与等长的Nb棒；然后将Nb管拉拔、轧制成直径1-2.5mm的圆形或扁形的线材，即得多芯线材；将制得的多芯线材截成10cm的短线材，利用脉冲电源在真空条件下对短线材进行0.05-0.2秒的1900-2100℃的高温处理，即得。该法制备周期短、效率高；制得线材整体连接紧密、均匀性好、无分离现象；不存杂质相，超导性能优良。

本技术提出以超导HGMS技术分离提取高纯SiO 2 ，SiO 2 品位可达99%以上，低成本、高效、绿色。 该提取产品可用于生产高纯SiO2（白炭黑）、微晶玻璃、耐酸、阻燃、轻质保温或耐火材料、SiC复相材料及复相导电陶瓷材料等。纳米级高纯SiO2甚至可作储能、修饰材料等等；SiO2 ≥99～99.5%产品可用于制造玻璃、保温或耐火材料、冶炼硅铁、冶金熔剂、研磨料及耐酸工程；SiO2≥99.5～99.9%的高纯石英可用于航空、航天、电子、机械及IT等行业，耐火材料、铸造等行业以及油漆等理想的化工填料。

本发明涉及一种基于故障限流-快速储能协调控制的微电网暂态性能强化装置及方法，如下：当微 电网遭遇外部短路故障时，考虑故障位置的差异及高渗透功率的交互需求，某些故障工况下限流器和快 速储能装置的协调控制以提高微电网的故障穿越能力；对于某些特定的工况如微配电网联络线短路故障， 微电网必须从主网络断开时，故障限流器及快速储能装置的协调控制以保障微电网在并网与孤岛模式之 间实现平滑过渡。本发明可以在有效限制故障电流、减小微电网耦合点电压跌落的同时，也在