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双凸球面镜
产品详细介绍双凸球面镜特性详细描述:长春市金龙光电科技有限责任公司能够加工多种规格、半径、基底材料不同的平凸球面镜、平凹球面镜、双凸球面镜、双凹球面镜、弯月球面镜等普通球面镜。也可以加工特殊球面镜如:消色差球面镜、非球面及球面镜组。材料:光学玻璃、紫外熔石英(JGS1)、红外熔石英(JGS3)以及氟化钙(CaF2)、氟化镁(MgF2)、氟化钡(BaF2)、硒化锌(ZnSe)、锗(Ge)、硅(Si)等晶体材料焦距: ±5mm — ±1000mm±1% ( 德国 TIROPTICS OPTOMATIC2000 测试 ) 外圆: 4mm — 500mm±0.1mm 中心厚度公差: ±0.1mm 中心偏差: 3 — 5 分 表面精度: λ/4表面质量: 40/20 有效口径: 90% 镀 膜: 按客户需求可进行镀膜 另外,我们有K9平凸透镜、K9平凹透镜、K9平凹透镜、K9双凹透镜、K9弯月透镜、石英平凸透镜、石英平凹透镜、氟化钙平凸透镜、氟化钙平凹透镜等上千种现货库存,价格优惠,质量优良,可以满足您少量订购的需求。
长春市金龙光电科技有限责任公司 2021-08-23
天文望远镜
产品详细介绍
杭州市临平科学仪器厂 2021-08-23
DMD数字微镜器件
西安中科微星光电科技有限公司 2022-06-27
超高分辨显微成像平台
上海交通大学 2021-04-13
显微数码互动教学系统
该系统主要由教师端显微成像工作站与学生端显微成像工作站,通过互动系统软件及配套的网络环境,组成一套具有数码成像、广播教学、学生监控、分组学习、语音对讲及远程控制等功能的教学实验系统。
江苏省捷达科技发展有限公司 2021-02-01
显微图像电脑分析系统
产品详细介绍  显微图像分析系统是将精锐的光学显微镜技术、先进的光电转换技术、尖端的计算机图像处理技术完美地结合在一起而开发研制成功的一项高科技产品。从此,我们对微观领域的研究和探索可以从传统的观察研究、定性分析和粗略测量跨越到精细测量、定量分析、准确评价的科技新境界。   微观目标(如细胞、粉尘、芯片等)首先经过显微镜(生物显微镜或体视显微镜)进行光学放大后,再经摄像机进行电子放大并送入计算机,由计算机对图像进行调节、处理、编辑、测量、数据管理、统计分析、打印、存储、再现等一系列的操作。 规格说明:影像感应器 进口彩色CCD放大倍数:5X--550X高分辨率影像解析度:580TV(1024X768--640X480 )曝光:Automatic压缩:Flxed Data Rate  Hardware interface Compression  Ration of 4:1 6:1 8:1影像资料格式:RGB24电源供给方式:USB Interface Supplies Power电脑界面:USB上下左右旋转速度:Pan 360° Tilt 360°影像传输速度:30fps@CIF,25fps@VGA(640X480)快照按扭:Hardware
镇江安琪精密仪器有限公司 2021-08-23
生物显微投影器(演示)装置
产品详细介绍
云南北方光学电子集团有限公司 2021-08-23
无菌接种箱.超净工作台.超净台.净化工作台
产品详细介绍  无菌接种箱   一、接种箱的作用   接种箱的作用是在无菌的条件下,进行细菌,食用菌等菌种的接种。   二、接种箱的构造   本产品采用全钢结构,外表喷塑,台面为三聚氢氨板或理化板结构。前观察窗为70度的开启角度为方便操作,接种箱前为两个15公分的操作口,接种箱配有紫外线杀菌灯日光 灯和臭氧发生器。为方便散热和换气底部留有透气孔。   三、接种箱的使用   使用前先有百分之五的甲醛或百分之七十的酒精进行消毒,然后打开杀菌灯即紫外线杀菌管和 臭氧发生器进行60分钟的灭菌消毒。完成后再将照明开关打开,即可进行菌种的接种。 技术指标: 型         号   外形尺寸 操作区尺寸 电压 日光灯 紫外线 臭氧发生器 WJ—ZJX(单面) 1000×530×600 1000×490×580 220V 20W×1 20W×1 100-200mg/h WJ—ZJX (双面) 1000×900×600 1000×860×580 220V 20W×2 20W×2 100-200mg/h    
济南杰康净化设备厂 2021-08-23
基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性存储器及其制备方法
本发明公开了一种基于 SiCx 织构的硅量子点浮栅非易失性半导 体存储器及其制备方法,包括硅衬底,在硅衬底上掺杂形成的源导电 区和漏导电区,以及在源漏之间的载流子沟道上依次生长的隧穿氧化 层、电荷存储层、控制栅氧化层及金属栅层;所述电荷存储层包括 SiCx 织构和横纵向均匀分布于 SiCx 织构中的硅量子点。本发明有效利用硅 量子点-SiCx 织构间的隧穿势垒,构成了控制栅氧化层-SiCx 织构-Si 量子点-SiC
华中科技大学 2021-04-14
超结MOSFET设计及制造技术
本成果开发了一套超结MOSFET器件的设计方法,并与上海华虹NEC(现上海华虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工艺的600~900 V级8英寸超结MOSFET工艺代工平台,这是国内第一个量产的超结工艺平台。所制备的超结MOSFET击穿电压最高可达900V,比导通电阻低至5.3Ω.mm2(900V器件)。该成果作为重要组成部分获得了2016年四川省科技进步一等奖(“功率高压MOS器件关键技术与应用”张波、乔明、任敏 等)。
电子科技大学 2021-04-10
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