产品详细介绍震动原理：TA3是一个经典的振动筛系统.筛分机底部的电磁启动器，使其做垂直振动。筛分的样品周期性地从网状的筛布向上推动，当其回到筛网上时，便穿过筛孔到达底部的收集盘上。应用领域：振动筛分仪可应用于制药化工、制药、环境、农业、生物、材料、土壤等行业的粒径分析设计特点--振幅规则的放大作用--可规定期望的振幅值--自动规定振幅--数字显示实际振幅 --数字显示筛分机每秒钟的振动   --可记忆储存9种筛分程序--省电功能（低电流损耗型）--间歇和连续的模式   --为精微筛分提供微型模式及间断式微型模式技术参数●  测量范围：普通20 微米～60 毫米，精微5 微米～100微米●  振动频率： 普通3000次/分，精微6000次/分●  振幅大小： 0m～3mm可调●  振动方式： 精微、连续、间断震动●  筛分时间：普通3～20分钟, 精微30-60分钟数字模式●  功率:  200W●  仪器重量： 25kg●  仪器尺寸：37*30*20mm（长*宽*高）●  最大负载： 3kg●  电源参数：  220V，50Hz ●  同一个筛分过程中最多可使用的筛盘数目：   50mm的筛盘：7个（含筛分顶盖和底盘）   25mm的筛盘：14个（含筛分顶盖和底盘）

产品概述： 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁光克尔效应测量系统 磁光克尔效应装置是一种基于磁光效应原理设计的超高灵敏度磁强计，是研究磁性薄膜、磁性微结构的理想测量工具。旋转磁光克尔效应（RotMOKE）是在磁光克尔效应测量基础上的一种类似于转矩测量各向异性的实验方法，可以定量的得到样品的磁各向异性的值。但由于电磁铁磁场大小的限制，只适合于测量磁各向异性的易轴在膜面内而且矫顽场不太大的磁性薄膜材料。结合源表可以进行样品的磁输运性能测量。RotMOKE具有以下特点：测量精度高、测量时间短；非接触式测量，是一种无损测量；测量范围为一个点，可以测量同一样品不同部位的磁化情况；可以产生平滑、稳定的受控磁场，并且磁场平滑过零。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 应用领域： 磁光克尔效应测量系统广泛应用于诸如磁性纳米技术、自旋电子学、磁性薄膜、磁性随机存储器、GMR/TMR等磁学领域。 可测试材料：记录磁头，磁性薄膜，特殊磁介质，磁场传感器 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 产品特点： 1·测量灵敏度高，稳定性好，噪音低 2·非接触式测量，是一种无损测量 3·可以测量同一样品厚度不等的楔形磁性薄膜 4·可以将样品放到真空中原位测量 5·可以测量同一样品不同部位的磁化情况 6·纵向、横向和极向克尔效应测试 7·三百六十度电动旋转样品，可测试样品各向异性 8·手动左右和上下位移样品，可测试样品表面不同点的克尔效应 9·样品座有电接口，可加入磁电耦合测试。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 技术指标: 1· 样品尺寸：大Φ10mm的圆 2· 克尔角分辨率（δ）：0.001度； 3·椭偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁场：单维0.26特斯拉； 6· 样品电动角度步进0.1度，手动位移步进10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 技术参数： 1·光学平台：    刚性隔震，不锈钢贴面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm阵距，150mm台板厚度，带脚轮。台面平整度0.1/1000mm，平台载荷300Kg，固有频率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量电磁铁： 锦正茂二维矢量电磁铁，每维大磁场0.26T，极面直径30mm，磁场间隙40mm，中心10mm正方体内均匀区1%。 3·电磁铁电源： 锦正茂单相双极性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，稳定性50ppm/h，对应小分辨率0.1Gauss。 4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%稳定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通过聚焦透镜光斑小为10μm的圆。 5·起偏/检偏器：格兰-汤普森棱镜，外径25.4mm，通光孔径10mm，消光比<5*10^-5，角度范围14~16°，波长范围350~2300nm。 6·聚焦透镜：K9双凸，设计波长633nm，外径25.4mm，焦距150mm，焦距误差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。 7·四分之一波片：Ø25.4mm，波长632.8nm，投射波前畸变λ/8，相位延迟精度λ/100。 8·光电传感器：15mm²感应面积，0.21A/W响应度，暗电流1nA，对430~900nm波长光敏感，分流电阻200Mohm。 9·电流放大器：1pA/V大增益，1MHz带宽，大输入±5mA，大输出±5V，增益精度为输出的±0.05% 10·高精度电压表：六位半，小分辨率0.1μV，90天准确度达到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second 11·手动位移和电动旋转样品杆：   XYZ三维位移，XY行程25mm，Z行程13mm，转动360度，样品座为直径11mm的圆，上有电接头。 12·计算机：联想商用，集成多串口卡。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！

本成果开发了一套超结MOSFET器件的设计方法，并与上海华虹NEC(现上海华虹宏力)公司合作建立了基于深槽填充工艺的600~900 V级8英寸超结MOSFET工艺代工平台，这是国内第一个量产的超结工艺平台。所制备的超结MOSFET击穿电压最高可达900V，比导通电阻低至5.3Ω.mm2（900V器件）。该成果作为重要组成部分获得了2016年四川省科技进步一等奖（“功率高压MOS器件关键技术与应用”张波、乔明、任敏 等）。

1.项目简介：《用超细APT制备纳米钨粉的研究》由我校余世鑫教授主持与江西省崇义章源钨制品有限公司联合研究，并由该公司工业试生产成功。该项目经过课题组人员的共同努力和卓有成效的研究，取得了重大突破。2003年11月28日江西省科技厅组织专家鉴定组对该项目进行了鉴定。2.技术特点：本项目采用精细化工技术，依据相转移合成法的原理，采用独特的离子交换高峰液的处理技术、固液分离技术和结晶晶形控制技术，生产出超细颗粒仲钨酸铵(APT，费氏粒度 1～10μm)。然后在通用的回转管炉煅烧和四管炉还原，采用露点-70℃的高纯氢气和粉末钝化技术，制得纳米钨粉。其生产表明，与等离子法、流态化还原法等相比，采用该技术生产纳米钨粉具有设备投资少、成本低、规模生产易控制、重现性好的特点。易于实现工业化生产。该项目采用的工艺技术独特、新颖、可行，属国内首创。

基于“介电体超晶格”制备技术，开发了一套适合量产的超晶格材料制备工艺。超晶格材料在激光非线性波长变换、量子纠缠源产生、声学滤波换能等领域有重要应用。以超晶格材料为核心材料，开发出红光、绿光、蓝光、准白光、钠黄光、皮秒锁模以及中红外等多种新型激光器。

为了满足超三代移动通信技术B3G项目对高速背板传输的需求，2004年10月东南大学与深圳华为技术有限公司中央硬件部开展合作，共同研制了符合PICMG3.0国际规范的AdvancedTCA全网格标准机箱与背板，实现了超过3.125Gbps的双向传输速率。

近年来，超材料虽然取得了长足发展，但仍存在一些瓶颈问题：1)基于等效媒质超材料的新物理现象和新应用需要挖掘；2) SPP超材料一直是物理学家的领地，以验证新物理现象为主；3) 超材料对电磁波的凋控大多是静态的，一旦制备成型其功能即被㈣化，+能实时地调控电磁波。为解决上述问题，该项对微波超材料进行了系统性研究。 在等效媒质超材料方而，提出并制备了柱坐标系下各向异性零折射率超材料，突破了h然界域小辐射单元（电偶极子和磁偶极子）双定向辐射的限制，实现了完美的电磁波全向辐射及高效空间功率合成。提出•种三频段超材料完美吸波器，可在三个设计频段实现电磁波在大角度范围内、 对极化不敏感的近乎完美吸收。基于变换光学原理，提出一种低损耗电磁幻觉器件，可按照需求有0的地操控0标对电磁波的雷达散射特征。提出并制备了宽带、低损耗的全介质超材料放人透镜，打破衍射极限的限制，实现了超分辨率的微波成像。该研究促进了等效媒质超材料的发展。

研究小组首先利用激光分子束外延技术生长了具有原子级别平整度的反铁磁Cr2O3薄膜，是电荷的绝缘体。采用非局域自旋输运的技术，用热方法在铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流、产生自旋压，在另外一个铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运（图A）。实验数据显示在低温下自旋输信号出现饱和现象，对应着自旋导的饱和，也就是零自旋阻效应；即自旋超流基态的最重要基本性质之一（图B）。在此基础上，该研究小组又系统研究了不同自旋输运距离下自旋超流的输运现象，证明了自旋在该自旋超流基态可以进行长距离的输运，并且其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致（图C）。该工作是是自旋超导态领域研究的一项重大突破，势必推动自旋超导态的快速发展，为研究基于自旋玻色子的玻色爱因斯坦凝聚的基础物理研究提供了实验平台，并为新型量子自旋器件，如自旋流约瑟夫森结等，奠定了实验基础。图：自旋超流基态的重要实验证据。（A）非局域自旋输运测量示意图。用热方法在左边铂电极和Cr2O3薄膜界面注入自旋流，在右边铂电极处利用铂的自旋霍尔效应测量自旋流的输运。（B）自低温下自旋输信号出现饱和现象，反映出自旋超流基态的零自旋阻效应。（C）自旋信号随其随输运距离的关系与自旋超流态输运理论预言一致。