配置： 轮胎、钢圈、减振器、方向机、动力泵及油管、压力表、前独立悬挂方向盘彩用三相电机驱动，助向泵工作车身重量模拟调节移动钢台架（喷塑）。 规格：1200×1000×1000 电源：交流380V  1.1kw 净重：100kg

XM-847细胞超微立体结构模型   XM-847细胞超微立体结构模型为立方形半模式细胞立体的超微结构，细胞三面剖开细胞膜，切开细胞核的1/4部分。暴露各种细胞器及核的结构，主要的细胞器有线粒体，粗面及滑面内质网，高尔基体，中心粒等，细胞核切面显示核膜、染色质和核仁，同时还显示核糖体、溶酶体，微丝、微管、分泌泡等。此外，细胞膜还显示微绒毛（已切除）及基底膜內褶等结构。 尺寸：36×27×52cm 材质：PVC材料

产品介绍： Nano-600超微量核酸蛋白测定仪（超微量分光光度计）作为一款高再现性的全波长分光光度计，采用基座和比色皿上样双检测模式，适用于更宽浓度范围的样品检测，操作简便，不仅可用于测量DNA，RNA纯度、浓度，测量蛋白质浓度，也可用于一般物质分析中的吸光度检测。 产品特点： 7寸电容触摸屏,优化设计的安卓系统软件 无需预热，5秒即可完成检测，结果直接输出为样品浓度。 5分钟内无操作，将自动关闭光源，以延长使用寿命。 软件图形界面简单易用，操作更为直观，结果可直接导出。 仅需0.5~2ul的微量样品即可进行纯度与浓度测量，样品可回收。 外置打印机（选配）直接打印报告。 技术参数： 型号： Nano-600 Nano-800 软件操作平台：   7寸电容触摸屏，安卓系统 7寸电容触摸屏，安卓系统 波长范围： 185-910nm； 185-910nm； 比色皿模式(OD600)： 600±8nm 600±8nm 样本体积要求： 0.5-2.0ul 0.5-2.0ul 光程： 0.2mm、1.0mm 自动切换 0.05mm、0.2mm、1.0mm 自动切换 光源： 氙闪光灯（寿命可达10年) 氙闪光灯（寿命可达10年) 检测器：  3648像素线性CCD阵列 3648像素线性CCD阵列 波长精度： 1nm 1nm 波长分辨率 ≤3nm(FWHM at Hg 546nm) ≤3nm(FWHM at Hg 546nm) 吸光度精准度： 0.003Abs 0.003Abs 吸光度准确度： 1%（7.332 Abs at 260nm) 1%（7.332 Abs at 260nm) 吸光度范围 (等效于10mm)： 0.02-300A; 0.02-300A; 比色皿模式 (OD600测量)：  0~4A 0~4A 测试时间：  ≤5S ≤5S 核酸检测范围： 2-4500ng/ul(dsDNA) 2-17500ng/ul(dsDNA) 数据输出方式： USB、SD-RAM卡 USB、SD-RAM卡 样品基座材质： 石英光纤和高硬质铝 石英光纤和高硬质铝 锂电池 无 6800mmA 外观尺寸（mm） 270x210x196 270x210x196

产品介绍： Nano-600、Nano-800超微量核酸蛋白测定仪（超微量分光光度计）作为一款高再现性的全波长分光光度计，采用基座和比色皿上样双检测模式，适用于更宽浓度范围的样品检测，操作简便，不仅可用于测量DNA，RNA纯度、浓度，测量蛋白质浓度，也可用于一般物质分析中的吸光度检测。 产品特点： 7寸电容触摸屏,优化设计的安卓系统软件 无需预热，5秒即可完成检测，结果直接输出为样品浓度。 5分钟内无操作，将自动关闭光源，以延长使用寿命。 软件图形界面简单易用，操作更为直观，结果可直接导出。 仅需0.5~2ul的微量样品即可进行纯度与浓度测量，样品可回收。 外置打印机（选配）直接打印报告。 技术参数： 型号： Nano-600 Nano-800 软件操作平台：   7寸电容触摸屏，安卓系统 7寸电容触摸屏，安卓系统 波长范围： 185-910nm； 185-910nm； 比色皿模式(OD600)： 600±8nm 600±8nm 样本体积要求： 0.5-2.0ul 0.5-2.0ul 光程： 0.2mm、1.0mm 自动切换 0.05mm、0.2mm、1.0mm 自动切换 光源： 氙闪光灯（寿命可达10年) 氙闪光灯（寿命可达10年) 检测器：  3648像素线性CCD阵列 3648像素线性CCD阵列 波长精度： 1nm 1nm 波长分辨率 ≤3nm(FWHM at Hg 546nm) ≤3nm(FWHM at Hg 546nm) 吸光度精准度： 0.003Abs 0.003Abs 吸光度准确度： 1%（7.332 Abs at 260nm) 1%（7.332 Abs at 260nm) 吸光度范围 (等效于10mm)： 0.02-300A; 0.02-300A; 比色皿模式 (OD600测量)：  0~4A 0~4A 测试时间：  ≤5S ≤5S 核酸检测范围： 2-4500ng/ul(dsDNA) 2-17500ng/ul(dsDNA) 数据输出方式： USB、SD-RAM卡 USB、SD-RAM卡 样品基座材质： 石英光纤和高硬质铝 石英光纤和高硬质铝 锂电池 无 6800mmA 外观尺寸（mm） 270x210x196 270x210x196

本发明公开了一种垃圾焚烧灰固化重金属高强陶粒的制备方法，将垃圾灰、盐渍土5、玻璃粉、碳酸钙、碳酸钠按一定重量比例混合，水料比为0.25～0.40，制成球形颗粒，再经干燥、烧结工艺制成；为垃圾的资源化利用开辟了更为广阔的用途渠道；本发明以危险废弃物--垃圾焚烧飞灰作为陶粒原料，通过特定工艺制备成高强陶粒，即便在恶劣环境下也有着极其显著的重金属固化性能，具有极高的稳定性和安全性。本发明既实现了固废的无害化处理、资源化利用，又避免了二次污染。

已完成高强度可降解形状记忆聚氨酯的实验室合成工艺优化; 完成了化学结构、分子量、热性能、力学性能（拉、压、弯、冲）、流变性能、 形状记忆性能等理化性能和体外生物学性能（按GB/T16886要求）的自评；完成 了加工性的评价（挤出、注塑、溶液浇注、3D喷绘/低温沉积）；建成了 3D打 印人工骨的打印工艺并完成了骨缺损修复能力的动物评价；建立了椎间融合器的 注塑成型工艺并对其力学性能进行了评价；建立了骨螺钉的注塑成型工艺并对其 力学性能进行了评价。

本发明公开了一种高强度导电铜 -稀土合金材料及其制备工艺， 合金各 成分的按质量比为：铜：铬：钕为 97.6-98.8：0.4-1.1：0.02-0.08.本发明制 备工艺包括合金的熔铸工艺、合金熔铸后的处理工艺，合金熔铸后的处理 工艺中直接对合金铸锭冷轧，再进行时效处理。本发明所述制备工艺在合 金熔铸时，直接添加纯金属 Cr 颗粒，浇铸温度为 1100℃-1250℃。 本发明合金材料具有

本发明的一种用于 FCB 法大线能量埋弧自动焊的高强度、高韧 性药芯材料，用于细化焊接热输入量大于 150KJ/cm 以上焊缝金属的晶 粒，提高焊缝金属的强度与韧性。药芯焊丝材料是用 SPCC 市售钢带， 包覆各种合金粉。包覆的各种合金粉为：硅钙合金，电解锰，钒铁， 钛铁，氮化铬，钼铁，氧化物稀土铈，雾化铁粉。本发明用 Ti、V 的 氮化物与 Ce 的硫化物作为细化焊缝金属的质点，拖拽奥氏体晶界的迁 移和晶粒长大，细

雾化喷射沉积成形技术近年来被广泛用于研究和发展高性能的快速凝固材料。该技术最突出的创新点在于，将液态金属的雾化和雾化熔滴的沉积自然地结合在一起，是一种短流程快速凝固体材料制备新技术。喷射沉积成形块体致密件的形成，是在特定条件下的凝固过程。其基本特点是在沉积表面形成一层极薄的液膜，块体致密件的形成则是这一液膜不断凝固、推进的过程。在多年研究喷射成形技术的基础上，杨滨教授及其课题组成员近年利用喷射沉积成形技术成功地制备出了最大直径为380mm、最大厚度12～13mm的La62Al15.7(Cu, Ni)22.3大块非晶合金，这是国际上迄今报导的最大尺寸的镧基非晶合金样品。DSC测试结果表明，沉积态La62Al15.7(Cu, Ni)22.3非晶合金的过冷液相区宽度DTx和约化玻璃转变温度Trg均高于单辊旋转熔体快淬或铜模铸造法制备的同成分非晶合金。 已获得中国发明专利，杨滨，刘宗峰，张勇，张济山，陈国良，一种喷射沉积成形制备镧基大块非晶合金的方法，专利号：ZL200510086239.6。“高熔点高合金化材料快速凝固气雾化制备技术”，获中国有色金属工业科学技术奖一等奖（2003.12）。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。