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一种环糊精固载高分子聚合物及其制备方法与应用
本发明公开了以苯乙烯-马来酸酐共聚物和环糊精为原料，通过固载及酰基化，制备 的固载高分子聚合物及其制备方法与应用。在 40℃-75℃下，将环糊精与苯乙烯-马来酸酐 共聚物反应，获得环糊精固载高分子，而后将其用酰氯在 60-90℃进行部分酯化，得到不溶 于水的环糊精固载高分子聚合物。合成反应简单，条件温和，易于工业化。该法制备的聚合物可作为吸附材料，能有效地吸附水体中有机碱性染料（碱性品红、亚甲基蓝）及部分有毒 重金属离子（Pb2+,Hg2+,Cd2+）。
安徽理工大学
2021-04-13
一种基于叉指电极的高分子层内剪切取向测量方法
本发明属于高分子取向测量的技术领域，具体涉及一种基于叉 指电极的高分子层内剪切取向测量方法，包括如下步骤：S1 将一对叉 指电极探头紧贴于待测材料表面；S2 设置叉指电极的探测深度并测试 待 测 材 料 在 不 同 深 度 位 置 上 两 个 方 向 的 电 容 信 号 大 小 <img file=""DDA0001338868720000011.GIF"" wi=""75"" he=""69"" />和<img
华中科技大学
2021-04-14
一种具有优异韧性的高分子基复合材料及其制备方法
本发明公开了一种高分子基软硬交替多层复合材料及其制备方法，该复合材料由高分子基脆性层和高分子基韧性层交替层合构成，形成软硬交替的多层双连续结构。韧性层和脆性层为同一种高分子基体，韧性层是指在脆性层基体中加入增韧剂进行增韧改性，这样保证脆性层脆性大韧性差，韧性层脆性小韧性好。在受外界冲击过程中，脆性层和韧性层相互支撑，各自提供材料的韧性和刚性。因此该发明制备了具有优异韧性且刚性有效提高的高分子基复合材料。本发明的高分子基软硬交替多层复合材料的层数和层厚可控，配方可调；复合材料的力学性能优良；方法简单，可连续批量生产，生产成本低，可广泛应用于制备具有优异韧性的高分子基板材、片材以及膜材料。
四川大学
2017-12-28
一种基于天然高分子的两性絮凝剂及其制备方法
本发明涉及一种基于天然高分子的两性絮凝剂及其制备方法，属于有机高分子材料和水处理絮凝剂技术领域。它采用阳离子的壳聚糖和阴离子的木质素或黄腐酸为原料，在一定反应条件下通过接枝共聚制备出基于壳聚糖、木质素或黄腐酸的天然高分子絮凝剂。本发明制得的天然高分子絮凝剂为略带棕色的白色颗粒。该制备方法的主要特点是反应条件温和，工艺简单。原料采用来源丰富价格低廉的天然高分子，合成的絮凝剂无毒、环保、适合各种电镀废水、染料废水和城市污水的处理。社会效益:环保，无污染经济效益：在水处理行业中成本更低
青岛大学
2021-04-13
人才需求：化工、高分子材料等领域，技术、研发等方面的人才。
化工、高分子材料等领域，技术、研发等方面的人才。
山东兄弟科技股份有限公司
2021-08-31
人才需求：对高分子化学有一定的理论基础
对高分子化学有一定的理论基础
烟台永盛金属涂印有限公司
2021-08-31
超高强度高品质高氮不锈钢制备关键技术及品种开发
高氮不锈钢是近年来随着冶金科技进步出现的一种新型工程材料，具备高强度，良好的韧性、优异的耐磨性、耐腐蚀性能等优异的性能，大幅提高武器装备在海洋、空中、地下及其它恶劣环境下的抗腐蚀及“三防”能力，可广泛用于高抗打击能力、高隐蔽性能、高压与深潜、高抗腐蚀性、耐磨耐高温及减少维护的军工重要产品及基础设施等国防军工领域。超高强度高品质高氮不锈钢，具有超高强度、硬度和优异的耐蚀性能，在航空航天材料和军用装备中具有广阔的应用前景。
东北大学
2021-04-10
一种基于激光冲击波技术定向超高速喷涂的方法及装置
（专利号：ZL 201510093120.5） 简介：本发明公开一种基于激光冲击波技术定向超高速喷涂的方法及装置，涉及零件加工再制造技术领域。该喷涂方法首先利用电极产生的高温电弧加热熔化涂层材料的喷涂丝成熔滴脱落，熔滴被雾化气体雾化成微滴流，然后由激光脉冲束辐照于微滴流表面上，表面一部分微滴吸收激光能量，瞬间气化和电离形成高压等离子体，高压等离子体继续吸收激光能量膨胀爆炸形成GPa量级的高压冲击波，高压冲击波驱动着微粒流高速喷射到工件表面形成涂层。喷涂装置包括激光发生器、导光分光系统、电弧制液系统、工件夹具系统、回收系统以及控制系统。本发明能够实现高速高效喷涂，涂层与基体的结合强度好，涂层的致密度高、空隙率低，具有较高抗热疲劳和机械疲劳的性能。
安徽工业大学
2021-04-11
四川大学超高速离心机采购项目公开招标采购公告
四川大学超高速离心机采购项目招标项目的潜在投标人应在成都市高新区吉泰五路88号3栋7层1号（花样年·香年广场）获取招标文件，并于2022年07月12日11点00分（北京时间）前递交投标文件。
四川大学
2022-06-21
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11