|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
超高纯铝及氧化铝
国内首套精铝和高纯铝定向凝固偏析法高效提纯技术与装备，成 功应用于4N5精铝的低成本大规模工业化生产，制备出了国内第 一块5N5和第一块6N的超高纯铝锭，可为半导体用高纯铝合金电 子靶材以及高性能铝合金制备提供原材料，亦可通过直接水解法 制备高纯氧化铝。
技术背景：
国内首套精铝和高纯铝定向凝固偏析法高效提纯技术与装备，成 功应用于4N5精铝的低成本大规模工业化生产，制备出了国内第 一块5N5和第一块6N的超高纯铝锭，可为半导体用高纯铝合金电 子靶材以及高性能铝合金制备提供原材料，亦可通过直接水解法 制备高纯氧化铝。
技术水平：
该技术在能耗、提纯效率及环境友好性方面均超过国外同类技术，实现了从4N精铝到6N超高纯铝的规模化生产，杂质元素 平均提纯效率超过75%。
获上海技术发明一等奖，获得国家发明专利 16 项；实用新型专利5项和国家软件著作权登记 1 项。
上海交通大学
2021-10-21
超高压水射流灭菌技术
成果在灭菌技术方面具有创新性，在中药液体制剂、食品、饮料等行业具有广阔的应用前景，达到了国内领先水平
西南交通大学
2016-06-23
抗氧化超高强热成形钢
传统热成形用 22MnB5 钢加热温度高（950℃左右），氧化严重，一般需要涂镀铝硅涂层来防止高温氧化，增加成本，同时此钢的淬透性较低，需要较高的冷却速率才能保证马氏体转变，对热成形模具的装备要求高。本团队开发了一种新型的热冲压成形用抗氧化超高强钢板，可以实现低温热成形（750℃左右），同时通过成分优化提高钢板本身的防高温氧化性能，在热成形过程中可以不用涂镀铝硅涂层，表面不产生氧化皮，节能降耗。同时该钢板的淬透性好，在空冷状态的冷速下就可以完成马氏体相变，对热成形模具的装备要求低，可以降低成本。该钢板在热冲压成形工艺过程中钢板氧化增重＜0.5g/m2 ，氧化层厚度≤8μm，经热成形后屈服强度≥1400MPa，抗拉强度≥1700MPa，总延伸率≥10%，力学性能优于传统热成形用 22MnB5 钢，可用于汽车安全结构件及其他高强韧构件。
北京科技大学
2021-04-13
自助借还办证机（超高频）
1.自助借书、还书、续借、办证出卡、查询图书信息等功能。
2.支持身份证识别、读者证识别、人脸识别、指纹识别、二维码识别等多种认证方式。
3.采用UHF超高频技术，识别速度快、数量多，成本低。
4.功能模块化设计，可拓展功能：凭条打印、纸币收钞、金属密码键盘。
深圳市中图信息技术有限公司
2021-08-23
一种三氢化铝表面包覆改性方法
本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法，采用原子层沉 积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将 其包覆，以提高三氢化铝粉末热稳定性，包括，S1：将三氢化铝粉体 放入腔体内并抽真空；S2：加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后， 通入流化气，使三氢化铝预分散；S3：原子层沉积反应，当腔体内的 温度达到 50～130℃时，开始原子层沉积反应；S4：重复多次原子层 沉积反应，使粉体表面沉积厚度不断增长，通过控制沉积反应循环的 次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度，
华中科技大学
2021-01-12
一种荧光粉胶的涂覆方法
本发明公开了一种荧光粉胶的涂覆方法，属于 LED 封装领域，其采用压印方式对 LED 芯片进行荧光粉胶涂覆，包括 S1 将 LED 芯片固定在封装基板上；S2 将荧光粉胶涂覆在所述 LED 芯片上或者所述压印块的端面上，将所述压印块与所述 LED 芯片通过压印方式贴合一起；S3 待荧光粉胶在所述压印块和所述 LED 芯片之间稳定成形后，对所述荧光粉胶进行固化处理获得荧光粉层，实现荧光粉胶的涂覆。本发明方法操作简单，成本低，可灵活控制荧光粉胶形貌，从而提升LED封装光色一致性，其封装成本低，可大规模应用在工业中进行LED封装。
华中科技大学
2021-04-13
全自动LED荧光粉高均匀涂覆机
荧光粉涂覆是大功率白光LED的关键技术，也是保障LED发光效率、光均匀性和散热效果的关键工艺。目前，国内大功率LED封装荧光粉涂覆普遍采用点胶工艺，该工艺难以对荧光粉的涂覆厚度和形状进行精确控制，导致出射光色彩不一致，出现偏蓝光或者偏黄光。在广东省新兴战略产业重大专项支持下，华南理工胡跃明团队经过多年技术攻关，自主发明和研制了系列基于雾化喷涂机理的全自动荧光粉高均匀涂覆机，为国内首创。该系列机型采用多头雾化涂覆和自适应荧光粉涂敷厚度控制技术，实现了荧光粉的高速高均匀涂覆，保障了光色的均匀性。
华南理工大学
2021-04-14
一种三氢化铝表面包覆改性方法
本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法，采用原子层沉积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将其包覆，以提高三氢化铝粉末热稳定性，包括，S1：将三氢化铝粉体放入腔体内并抽真空；S2：加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后，通入流化气，使三氢化铝预分散；S3：原子层沉积反应，当腔体内的温度达到 50～130℃时，开始原子层沉积反应；S4：重复多次原子层沉积反应，使粉体表面沉积厚度不断增长，通过控制沉积反应循环的次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度，实现三氢化铝粉体
华中科技大学
2021-04-14
仿生表面纳米涂覆提高PVDF微孔膜亲水性
上海交通大学
2021-04-13
高速摄像方法及其系统
项目简介 本发明涉及一种高速摄像方法，及一种高速摄像系统。由若干CMOS 成像单元组成的阵列与火花源点阵通过光学系统一一对应，各光路互不干扰，CMOS成像单元阵列通过单片机和外部触发电路统一控制，在系统上电复位和预充电后，延时器检测系统同步信号的特定状态，开始计数;在延时器计数达到设定值后，延时△T1，输出触发事件发生的信号;延时器开始计时，输出触发拍摄信号; CMOS 成像单元的内部曝光控制电路打开快门;事件在 CMOS成像单元的曝光期间内发生，并同时给出触发火花闪光的信号触发火花阵列依次闪光，对应的 CMOS 像素阵列依次拍摄。
北京大学
2021-04-11