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利用 Xeon Phi 协处理器提升布隆滤波器处理性能的系统及方法
本发明公开了一种利用 Xeon-Phi 协处理器提升布隆滤波器处理 性能的系统及方法，包括：性能采样模块、任务调度模块、通信模块 和任务处理模块。性能采样模块用于获取宿主端和协处理器端的处理 能力，决定两端分配的任务比例；任务调度模块控制宿主端和协处理 器端之间整体的任务调度；通信模块管理宿主端和协处理器端的通讯； 任务处理模块负责任务的查询与计算。系统将每个任务分配给相应的 线程，每个线程在一个私有的子向量进行处理
华中科技大学
2021-04-14
一氧化碳传感器TGS5042（CO传感器TGS5042）
产品详细介绍一、一氧化碳（CO）传感器TGS5042主要参数： 1）一氧化碳检测范围： 0-10000ppm 2）输出电流：1.2-2.4nA/ppm 3）响应时间表：〈 60S 4）工作温度：-10℃ ~ +60℃ (持续工作) -40℃ ~ +70℃ (间断工作) 5）工作湿度：5 - 99%RH 二、一氧化碳（CO）传感器TGS5042特点： 1) 长寿命，电化学原理； 2) 对乙醇低敏感性； 3) 减少各种干扰气体影响； 4) 对一氧化碳气体的选择性和重复性很好； 5) 传感器信号输出与一氧化碳气体的浓度成线性关系； 三、一氧化碳（CO）传感器TGS5042典型应用: 一氧化碳检测器，室内停车场通风控制
深圳市新世联科技有限公司
2021-08-23
白云石生产轻质碳酸镁,轻质氧化镁, 阻燃剂 用氢氧化镁
轻质碳酸镁，轻质氧化镁，阻燃剂型氢氧化镁等镁盐系列产品是重要的无机盐产品，不仅用途广泛，而且用量很大，是当前备受重视的商业产品之一。过去生产这些产品一般是以制盐业后的苦卤水及纯碱或碳铵为原料生产，由于原材料价格较高，生产能力受到成本的限制，为满足市场的需要，一些科研人员和生产商家们开始研究以白云石为原料来生产这些产品，经过几年的努力攻关，已经开发成立了多级碳化法，由白云石来制备轻质碳酸镁等镁系列产品。产品主要用于橡胶，陶瓷，耐火材料，耐火坩埚，油漆，造纸，医药，玻璃，染料，塑料，日用化妆品，无机新型阻燃剂氢氧化镁大量用于橡胶，塑料生产中，它们还用于现代工业中作为高效排烟脱硫剂广泛使用，作为阻燃剂使用，氢氧化镁具有降低，抑烟阻燃等多种功能，而受到用户的欢迎。上述产品由于原料来源方便，价格低廉，生产中无或低“三废”排放，产品用途广泛，用量大，应用功效高等特点，因而具有十分美好的应用前景。
武汉工程大学
2021-04-11
浙江大学FEI Titan球差矫正透射电镜用高分辨原位高速相机竞争性磋商
浙江大学FEI Titan球差矫正透射电镜用高分辨原位高速相机竞争性磋商
浙江大学
2022-06-13
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
一种通过用胶带预处理生长基底来合成单层二硫化钼枝晶的方法
一种通过用胶带预处理基底来气相沉积生长单层MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核阶段和/或生长过程中引入孪晶缺陷，实现单层MoS 2 树枝晶的形貌调控。所得的MoS 2 晶体具有六次对称的骨架，分枝数可调。其形状的演化过程是由胶黏剂种子诱导的双晶缺陷形核和局部硫/钼源蒸气比的协同效应所引起的。此外，由于硫空位的富集，极大地增强了循环孪晶区的光致发光效率。该工作为合成可控形状的单层MoS 2 提供了一种简便有效的策略，同时也为理解孪晶缺陷的生长机制以及在其电催化和光电催化等领域的应用做出了贡献。
南方科技大学
2021-04-13
一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末的制备方法
本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫
华中科技大学
2021-04-14
一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末的制备方法
本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫
华中科技大学
2021-04-14
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13
一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激光器
本发明公开了一种半导体激光器泵浦的克尔透镜锁模钛宝石激 光器，包括：第一半导体激光器，用于发射蓝绿波段的连续激光来泵 浦谐振腔内的钛宝石晶体；谐振腔用于使近红外波段的激光发生振荡 和锁模输出飞秒脉冲激光；干涉仪使飞秒脉冲激光产生拍频信号得到 载波包络偏移频率；反馈调节单元用于调节谐振腔端镜的前后位置和 倾斜度以及半导体激光器输出激光的功率，从而保持重复频率和载波 包络偏移频率的稳定。本发明可以输出重复频率和载波包络偏
华中科技大学
2021-04-14