执行标准：GB/T-50081-2002 北京耐尔得经过多年为客户多线程的配置试验环境，研究出一系列的养护室恒温控温方案，满足国标对混凝土试块的养护要求，也适应各种场所恶劣试验环境的要求，控制设备可以测量30路温度（可扩展），控制1～8通道温湿度的采集及控制，实现养护室网络控制。可以通过中央控制系统对应该控制的制冷机组、加热机组、热泵循环系统、空压机雾化系统、超声波雾化器等，综合评价后给出适合的解决方案，确保养护室内温度恒定在20℃±2℃，相对湿度95%RH以上。

执行标准：GB/T-50081-2002 北京耐尔得经过多年为客户多线程的配置试验环境，研究出一系列的养护室恒温控温方案，满足国标对恒湿恒温的要求，多功能恒湿恒温控制系统，可检测30路养护箱及其他温度（可扩展），能满足1～8通道模拟信号的温湿度采集及控制，同时满足1～8通道数字温湿度的采集及控制。可实现各通道的网络智能控制。 通过中央控制系统对应各部门的制冷机组、加热机组、加湿系统等分别监测与控制，任务前，我们将对用户的需求综合评价，并给出适合的解决方案，相对湿度值恒定在75±5%RH以内的任意值。本产品适用于徐变室、收缩室、有温湿度要求的工作室。

本发明提供一种简单的酸处理方法以改善传统蒸镀型电子传输材料的醇/水溶性和界面修饰特性。传 统的蒸镀型含氮杂环类电子传输材料在醇类或水溶液当中的溶解性一般较差，不适合于制备全溶液加工 的有机电致发光器件。采用简单的酸处理方法将含氮芳杂环质子化进而改善其醇/水溶性，同时这些质子 化后的含氮盐具有良好的界面修饰特性。将这些含氮盐用作电子注入/传输层而应用于溶液加工法制备的 有机电致发光器件当中不仅能够显著提升器件的效率、减缓器件效率衰减，而且还能够简

产品详细介绍本公司专业生产电工电子实验室设备,电工实验室设备,电子实验室设备

项目简介 由于农田地块宽度和形状的限制，普通喷杆式喷雾机在田块边缘经常发生喷出界或 漏喷现象；由于田间地形及驾驶员驾驶习惯的影响，普通喷杆式喷雾机的单位面积实际 施药量也会随着作业速度的改变而改变。本项目设计开发了具有自主知识产权的喷杆式 喷雾机变量喷施控制器，在每个喷杆分区/喷头的支管路上都串接了高速开关电磁阀，通 过对电磁阀的通断控制实现喷幅调控；通过对电磁阀的脉冲宽度调制（PWM）控制实现对 实际喷洒流量的在线调控；通过对作业速度的实时监测和喷

本发明公开了一种非对称ＰＷＭ控制的ＩＳＯＰ全桥直流变换器及其控制方法。变换器每个模块输入侧包括输入电容、逆变桥和变压器原边；输出侧包括变压器副边、全桥整流电路和ＬＣ滤波电路。输入直流电源正极串联一个输入电感后连到第一个模块输入侧逆变桥的第一桥臂中间点，负极连到最后一个模块输入电容负端。相邻两个模块的连接方式为，前一模块输入电容负端连到后一模块的逆变桥

本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、成果简介 基于新材料、新架构的硅基高密度集成信息功能器件的自主发展是国家重大战略需求。本项目围绕新型低维半导体材料的大规模可控制备、物性调控及其电子、光电器件展开系统研究，主要技术创新点有： 一、二维半导体材料及其异质结构的大规模可控制备。本项目提出并发展了通用的硅基二维半导体材料范德华外延技术, 实现了多种层状和非层状半导体材料的二维薄膜可控生长，解决了传统外延方法中存在的晶格失配、热失配等多物理失配技术难题，开辟了非层状材料在二维电子器件领域的研究新方向。在晶圆级二维半导体材料的基础上构建出大规模的二维异质结构，得到了具有高可靠性和稳定性的集成器件。相关成果发表在Science Advances、Advanced Materials等国际知名刊物上，共计40余篇，授权专利16项；与中国电子科技集团公司第十三研究所等合作，成功实现了非层状GaN在大失配硅基衬底上的高质量外延，为第三代半导体的硅基集成提供了新的技术路线。 二、基于低维半导体材料的高灵敏光电器件。本项目通过发展高质量硫族半导体的外延生长新工艺，系统研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余种二维半导体材料的光电性质，极大地拓展了传统的半导体光电材料体系；首次提出一种桥接的异质结构筑方式，大大降低了范德华间隙引入的光生载流子注入势垒，获得了高性能二维异质结光电器件；发展了纳米线场效应晶体管器件表面修饰方法，调节晶体管特性为强增强型，利用这种设计，实现了“锁钥”式高选择性、高灵敏度气体检测器件。本项目实现了从深紫外区到中远红外区的宽波段高灵敏度检测，相关成果发表在Science Advances、ACS Nano等国际知名刊物上，共计30余篇，授权专利6项。 三、后摩尔时代新型低维电子信息器件。本项目基于低维半导体材料及其异质结构的物性调控，首次提出了二维半导体材料中的“增强陷阱效应”物理模型，实现了高性能的亚带隙红外探测器和非易失性光电存储器；利用双极性沟道中横向载流子分布的特定电场依赖性，在二维黑磷晶体管中实现了室温负微分电阻特性；通过构筑亚5 nm沟道二维铁电负电容晶体管，使得亚阈值摆幅突破玻尔兹曼物理极限，有效降低了器件能耗；创新性的提出多层二维范德华非对称异质结构，实现了器件高性能与多功能的集成，器件性能为当时最高指标；发展了新型存算一体架构电子器件技术，首次演示了兼具信息存储和处理能力的二维单极性忆阻器，有望突破当前算力瓶颈，提供集成电路发展的新途径。相关成果发表在Nature Electronics、Nature Communications等国际知名刊物上，共计60余篇，授权专利7项。

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主要功能：实现单频和双频的大功率太赫兹波输出。 ？ 应用领域：在主动探测、雷达、通信、材料的线性和非线性特性、高密度等离子体特性研究、增强核磁共振技术和放射性材料遥测等方面具有极其重要应用前景。 ？ 特色及先进性：在双电子注同轴腔回旋管中，一根电子注工作在基波，另外一根电子注工作在高次谐波，利用两个电子注与电磁波间的非线性耦合，实现双频大功率太赫兹波输出。 ？ 技术指标：工作频率110/220GHz；输出功率：20kW。