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利用中药材及中药生产过程废弃物制取生物炭的装置
【发 明 人】段金廒；鲁学军；钱大玮；郭盛 【摘要】 本实用新型公开了一种利用中药材及中药生产过程废弃物制取生物炭的装置，它包括：剁刀式切断机，锤片式破碎机，提升上料机，滚筒式干燥机，螺旋输送机，连续式无氧热解炭化机，烟气余热回收器，热水贮罐，旋风分离器，过滤器，第一冷凝器，第二冷凝器，淋洗塔，木煤气贮罐，热水泵，油水分离器，抽送风机，循环泵和增压泵。本实用新型结构设计合理，操作方便，可利用中药材及中药生产过程废弃物制取生物炭，节能环保，可实现资源综合利用，变废为宝，成本低，具有重要的经济效益和环境保护作用。
南京中医药大学
2021-04-13
一种适于柔性电子标签封装过程的多参数协同控制方法
本发明公开了一种适于柔性电子标签封装过程的多参数协同控制方法，包括：输入天线基板和热压头的工艺参数参考值，并采集获取当前状态参数值；将热压头的当前工作温度与其温度参考值比较处理，输出控制信号并实现温度的闭环控制；将基板、热压头各自的当前状态参数与其参考值相比较，并通过张力-位置混合控制方式对基板的张力和位置共同进行调整；通过热压头执行热压固化处理，由此实现柔性电子标签的封装过程。通过本发明，综合考虑了基板张力、基板与热压头的对位以及热压头压力之间的相互耦合影响，从系统上对多个工艺参数进行闭环控制，相
华中科技大学
2021-04-14
一种基于多波段耦合的增材制造过程熔池监测装置及方法
本发明公开了一种基于多波段耦合的增材制造过程熔池监测装置及方法，所述装置由加工单元、信号采集单元、数据处理单元和数据存储单元组成。本发明利用多波长折-衍混合 f-theta 聚焦镜、二向色镜等光学元件将三种不同波段的光路(激光加工光路、激光照明光路以及熔池图像信息采集光路)在成形腔外进行同轴耦合，用于对快速移动的微小熔池进行实时追踪和采集。此外，通过数据处理单元和数据存储单元对熔池图像和特征信息进行快速计算处理和多级
华中科技大学
2021-04-14
一种基于指令域分析的数控机床工作过程 CPS 建模方法
本发明公开来一种基于指令域分析的数控机床工作过程的 CPS 建模方法，包括如下步骤：(1)在数控机床执行工作任务前，确定事前 工作任务数据和事前制造资源数据；(2)采集数控机床工作过程中的内 部电控数据和外部传感器数据，得到数控机床运行状态数据、事中工 作任务数据以及事中制造资源数据；(3)将制造资源、工作任务作为输 入，数控机床运行状态作为输出，在赛博空间建立相关映射关系，以 该映射关系作为数控机床工作过程的 CPS 模型，实现对数控机床工作 过程的 CPS 建模。本发明的方法通过制造资源数据和工
华中科技大学
2021-04-14
冷轧连续退火/热镀锌中试机组过程机数模研究替代与优 化
成果简介宝钢五冷轧连续退火/热镀锌中试机组（以下简称中试机组） 是可进行连续退火、 热镀锌两种工艺于一体的特殊生产线， 该机组的工艺集成是由宝钢自主完成， 没有可以借鉴的成熟工艺控制技术。 带钢在加热炉和均热炉的温度控制的准确性是整个热处理过程至关重要的环节。宝钢中试机组具备了两条生产线的产品生产能力， 它的产品范围广、 工艺要求复杂、 控制难度大。 根据工艺设计和产品的定位， 中试机组的炉子温度采用数学模型控制。 由于中试机组的炉子温度控制模型是使用日本合作方提供的控制
安徽工业大学
2021-04-14
一种在电渣重熔过程中直接钒合金化的方法
（专利号：ZL 201510219962.0） 简介：本发明公开了一种在电渣重熔过程中直接钒合金化的方法，属于电渣重熔技术领域。本发明利用电渣重熔过程中炉内温度较高的特点，利用碳代替铝直接还原氧化钒，并巧妙的与喂线技术结合，能精确控制合金元素的加入量，减少夹杂物，其操作方法为：先将氧化铝和石墨制成合金线，然后启动电渣炉开始电渣重熔，随后喂入合金线，并加入铝粒进行扩散脱氧，电渣重熔过程结束后停止喂线，进入补缩阶段直至补缩完成。本发明直接钒合
安徽工业大学
2021-01-12
透射电子显微镜虚仿系统
该系统可用于材料类、生物类、化学类等相关专业的高校学生的理论和实践教学，提高应用型人才培养质量和教师教学科研水平。
河南元宇宙仪器有限公司
2026-04-24
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10
适用于陶瓷PTC装配技术的发热芯穿管装置
本发明公开了一种适用于陶瓷PTC装配技术的发热芯穿管装置。包括机架以及安装在机架上的送管机构和发热芯夹装机构，机架包括机架上面板、机架下面板和面板撑杆，机架上面板和机架下面板的四角之间通过面板撑杆支撑连接，机架上面板的底面装有用于装夹发热芯的发热芯夹装机构，发热芯夹装机构的侧方设有将套管传送的送管机构。本发明采用发热芯自动穿管技术，相比手工穿管技术，极大提高了生产效率。
浙江大学
2021-04-11