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负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法
本发明公开了一种负低老化率负温度系数热敏电阻器陶瓷材料的制备方法，该热敏电阻器陶瓷材料的名义化学组成为Mn3-x-y-zNixFeyMzO4，M代表Cu、Ti、Sn、Al；其是以组成阳离子的氧化物为起始原料，球磨，经过多次煅烧，加入有机粘结剂造粒成型后，烧制而成，烧成片状样品后，两端面上银电极，电极烧渗后，在富氧环境下将样品无电极处覆盖柱面处用中温玻璃釉封接。通过所述制备工艺所制备的热敏电阻器陶瓷材料，在25°C的电阻率为3-1000Ω·m,25-85°C温区的B值为3000-4000K,150°C
安徽建筑大学
2021-01-12
一种提高微型光谱仪紫外响应和分辨率的滤光片
本实用新型提供一种提高微型光谱仪紫外响应和分辨率的滤光片，包括基板、镀膜层和镀膜保护层， 所述镀膜层分为三个区域，在不同区域分别镀有紫外转换膜，紫外截止滤光膜，可见光截止滤光膜。本 实用新型同时解决了紫外效率低、可见光、红外光波段存在高次衍射光的问题，并且可以根据光谱仪的 光谱范围选择镀膜的层数、类型、区间长度，具有安装拆卸方便，结构简单，使用灵活的特点，且镀膜 之间不会相互产生干涉。
武汉大学
2021-04-13
解析超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构
超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高质量的层状Bi2O2Se半导体单晶块材，其低温2 K下霍尔迁移率可高达~2.8*105 cm2/Vs（可与最好的石墨烯和量子阱中二维电子气迁移率相比），并观测到显著的舒布尼科夫-德哈斯量子振荡。随后，在超高真空条件下，研究组对所得Bi2O2Se单晶块材进行原位解理，并利用同步辐射光源角分辨光电子能谱（ARPES）获得了非电中性层状Bi2O2Se半导体完整的电子能带结构信息，测得了电子有效质量（~0.14 m0）、费米速度（~1.69*106 m/s，约光速的1/180）及禁带宽度（~0.8 eV）等关键物理参量。
北京大学
2021-04-11
甲基硅氧烷大气转化导致低挥发性物种及高产率甲醛的形成
该研究发现一种新的过氧自由基自氧化机制，阐明甲基硅氧烷大气转化会生成甲醛，增加其释放的环境风险。该研究不仅拓展了对大气过氧自由基化学的理解，还为甲基硅氧烷环境行为模拟和风险评估提供了重要的基础数据。
大连理工大学
2021-01-12
区域大气污染源高分辨率排放清单关键技术与应用
北京工业大学
2021-04-14
一种时间分辨率自适应调整的流场状态测量方法
本发明公开了一种时间分辨率自适应调整的流场状态测量方法，该方法包括如下步骤：首先，根据第 k+1 时刻图像与第 k 时刻图像之间的时间间隔Δt<sub>k</sub>，采集第 k+1 时刻图像，并对第 k 时刻和第k+1 时刻的图像进行降噪处理；然后，据 k 时刻图像和第 k+1 时刻的图像，采用粒子图像测速方法，计算第 k+1 时刻的流场状态 X(k+1)，包括：位移场 x(k+1)、速度场 x′(k+1)、加速度场 a(k+1)，并输出显示；最后，更新第 k+2 时刻与第
华中科技大学
2021-04-14
一种具有高单模成品率的渐变脊波导分布反馈激光器
一种高单模成品率的分布反馈激光器，包括激光谐振腔、布拉 格光栅；布拉格光栅为啁啾光栅或者等效的啁啾光栅，并位于谐振腔 内，其等效折射率沿谐振腔腔长方向是变化的；该激光器的模式增益 沿谐振腔腔长方向变化；该激光器输出单纵模。本发明由于采用啁啾 光栅或者等效的啁啾光栅，同时使激光器的模式增益沿腔长方向变化， 并通过在激光器两端面分别镀高反膜和增透膜配合，能够提高激光器 在布拉格阻带指定的一边，即蓝边或者红边光激射的概率，
华中科技大学
2021-04-14
一种精确控制微纳尺寸相变材料非晶化率连续变化的方法
本发明公开了一种通过施加低电平脉冲实现微纳尺寸 GST 相变 材料非晶化率连续变化的控制方法，包括控制非晶化率连续单调增大 和连续单调减小的操作，通过利用两个或两个以上的连续脉冲的幅值、 宽度和间隔等三个参量综合自适应变化精确控制焦耳热产生，继而实 现 GST 相变材料晶化率的连续变化，具体包括步骤：对相变存储单元 施加具有一定参量的两个或两个以上的连续脉冲；在连续脉冲的作用 下，相变材料获得一定的热量，使部分相变材
华中科技大学
2021-04-14
一种基于多源遥感数据的城市不透水层率息提取方法
一种基于多源遥感数据的城市不透水层信息提取方法，包括根据夜间灯光亮度影像，计算归一化灯 光亮度并基于阈值分割方法对城市地表进行区域类型分割;利用灯光亮度、陆地表面温度与归一化土壤 调节植被指数，构建增强型归一化不透水层指数;通过建立每一种类型分割区域的增强型归一化不透水 层指数 MNDISI 与不透水层率之间的线性定量关系，进行不透水层的提取工作。本发明较好地结合了多 源遥感数据的优势，有效抑制了光谱混淆对于不透水层率估算结果的不利影响，为城市土地利用和环境 变化监测提供了一种新的途径。
武汉大学
2021-04-13
可变温霍尔效应测试仪高低温磁场型0.1GS分辨率
霍尔效应测试仪—高低温磁场型本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。
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产品概述：
本仪器系统由：电磁铁、电磁铁电源、高精度恒流源高精度电压表、高斯计、霍尔效应样品支架、标准样品、高低温杜瓦，控温仪，系统软件。为本仪器系统专门研制的JH10 效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍尔测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。JH10 可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。 实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier oncentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等。
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可测试材料: Ø
半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料等；
低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料等；
高阻抗材料：半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。
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北京锦正茂科技有限公司
2022-05-10