本发明公开了一种套筒浆锚连接件抗震性能检测装置及检测方法，包括计算机、激振器、振动台、套筒、连接底座和质量球，所述套筒内设有钢筋，钢筋与套筒灌浆连接，套筒上端与质量球连接，套筒下端通过连接底座固定在振动台上，所述套筒通过钢筋固定在连接底座上，所述计算机用来控制地震波大小并发出和接收信号给激振器，所述质量球圆形实心，质量均匀，振动时不会产生偏心破坏，所述振动台提供的振动频率最大为50Hz，本发明利用小的振动台实现大的抗震能力检验，质量球提供振动力，可拆卸使用，快速批量检测浆锚连接材料在地震作用下是否有

本发明公开了一种氧化损伤检测方法及检测试剂盒。所述方法包括以下步骤：（1）采集尿样作为检验样品；（2）向检验样品中加入磷酸盐缓冲溶液，使得溶液 pH 值在 3.7 至 3.9 之间或 4.5 至 5 之间；3）加入品红显色剂，使得品红浓度在 0.04g/L 至 1.4g/L 之间，静置3～5min，根据溶液颜色深浅或 348nm 吸光值，按照溶液颜色越深或吸光值越大氧化损伤程度越高的原则，确定其氧化损伤程度。所述试剂盒包括磷酸盐缓冲液制备的缓冲剂、品红显色剂和比色卡；所述比色卡包括 5 种颜色分别对

激光在芯片上光互连上的应用就直接要求激光器的特征尺度接近电子器件，并且其功耗要小于成熟的电互联，应约在10飞焦每比特量级。激光器的功耗与其尺度呈正相关的关系，10飞焦每比特量级的功耗直接要求激光器的模式体积要小于约0.02个波长立方。

本发明公开了一种带耦合电抗器的强制过零型高压直流断路器， 该断路器包括机械开关、充电换流模块、换流电容和吸能限压模块。 充电换流模块由耦合电抗器和与之二次侧串联的触发开关和预充电模块构成，预充电模块为并联的预充电电容和续流电路，续流电路由串 联的电阻和二极管组成。电容充电模块与换流电容一起为故障电流提 供换流缓冲支路。本发明提供的带耦合电抗器的强制过零型高压直流 断路器，可以实现故障电流的双向开断，结构简单，控制方便；速度 快，可靠性高。 

本实用新型公开了一种矢量螺旋桨推进器，包括螺旋桨及三组电机，其中一组电机用于控制螺旋桨的转速与旋转方向，另一电机用于控制螺旋桨在水平面的转动，最后一组电机固定于潜水器尾部，用于控制螺旋桨在垂直面内的转动。本实用新型推进器通过独特的结构控制螺旋桨推进器在水平面和垂直面内转动，完成潜水器水下工作时多自由度的运动，可以有效解决潜水器上螺旋桨数量过多所引起的能耗大和占用空间过多的问题。

本发明公开了一种金属化膜固定装置及金属化膜通流特性测试 方法。该装置包括第一固定板、第二固定板、多个连接拉杆、第一活 动拉杆、第二活动拉杆、两个弹簧、两个固定螺母、两个托杆和两个 条状金属电极。长条状的金属化膜试品能很简单方便地固定于该装置 上，且利用弹簧使条状金属化膜样品处于绷紧状态，通过保证每次试 验中弹簧弹力的一致性，确保多次重复试验中金属化膜样品状况的一 致性；通过条状金属电极与托杆对金属化膜进行固定和电气连接，可 保证金属化膜金属层与条状金属电极接触的稳定性和可靠性；条状金 属化膜试品位于

三维（3D）亲锂集流体可以调节锂金属负极中锂枝晶生长，然而目前大部分集流体的亲锂层在高温环境下使用熔融法预储存锂时面临着熔化或脱落的挑战。针对该问题，邓永红研究团队通过简单的去合金法制备了一种带有亲锂锌位点的3D多孔CuZn合金集流体。由于亲锂锌位点以量子点的形式存在于CuZn合金中，熔融法预锂化时亲锂锌位点不仅不会融化与脱落，反而由于锌对锂具有强

本研究提出一种基于连续梯度非均匀电场结合梯度凝胶孔径分布的靶型多腔电泳装置(Circular Multicavity Electrophoresis，CME)实现细胞外囊泡的分离制备。

产品介绍 CK-M1超高频RFID读写模块是小型化的UHF RFID 读写器 ，核心部件采用 R2000 为核心平台，R2000是一款高性能高度集成的读写器 IC,集成了模拟射频前端与基带数字信号处理模块等功能。用户只需要在模块的基础上作电源处理即可，可以很方便的通过 API 函数库控制模块工作适合各种应用场景用户开发。  产品特点 支持多种协议：ISO 18000-6C/EPC C1G2 、 ISO 18000-6B、国标GB/T29768-2013(可拓展支持)。 密集读取：端口最大输出33dBm，可根据需要设置功率，可应对非常密集的使用环境，多标签识别算法，行业内最强，每秒可识别超过600张以上。 能够定频或跳频工作。 输出功率可调,调节步进:1dBm。 支持标签数据过滤、支持防碰撞协议、支持多标签识别。 全频段、大功率、灵敏度高、功率准、零配置即可获得最佳性能。 规格参数 主要规格参数 产品型号 CK-M1 性能参数 频率范围 840MHz～960MHz 空口协议 EPC C1G2、ISO18000-6B/C、GB/T29768-2013（可选配） RFID主芯片 Impinj R2000 功能特点 支持密集读写、多标签识别、支持标签数据过滤、支持RSSI：可感知信号强度 通道数 1通道 RF输出功率（端口） 33dbm±1dbm（MAX） 输出功率调节 ±1dbm 前向调制方式 DSB-ASK、PR-ASK 连续读标签距离（读EPC码） 0-10米，连续读100次，读取成功率大于95%（无干扰环境）（8dBi圆极化天线@H3） 连续写标签距离（写EPC码） 0〜4米(与标签芯片性能有关)，连续写100次，写成功率大于90%（8dBi圆极化天线@H3） 标签识别速度 >600次/秒 通讯口 TTL串口 物理接口 15PIN端子 1.25mm间距 读卡功耗 （33dbm）：8W 物理参数 外观尺寸 42*76*8mm 外壳材质 铝型材外壳 安装方式 通过四个螺丝孔固定 电源 工作电压   操作环境 工作温度 -20°C~+70°C 储存温度 -40°C~+85°C 工作湿度 <95% (+25°C)