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中国科大在分布式量子精密测量方面取得重要进展
项目成果/简介:中国科学技术大学教授潘建伟及其同事陈宇翱、徐飞虎等利用多光子量子纠缠在国际上首次实现分布式量子相位估计的实验验证,这为将来构建基于量子网络的高精度量子传感奠定基础。该成果于11月30日在国际学术知名期刊《自然·光子学》上在线发表。 分布式传感是一种可用于同时执行远程空间多个节点上精密测量任务的重要手段,在日常生活、科学研究和工程等领域有着广泛的应用。例如,该项技术可用于桥梁、飞机等大型结构的应力场分布和温度场分布的有效监测。随着量子技术的不断发展,传感技术也迈进了量子化时代。量子网络作为量子信息和量子计算的重要组成,在执行各类远程多节点任务中起着重要作用。当对多个空间分布的参量进行测量时,分布式量子传感能够实现超越经典统计极限的测量精度。然而,分布式量子传感面对的一个重要问题是:如何选择并制备能够实现对多个参量最优的测量精度的量子纠缠态。研究表明,对于某类分布式的最大纠缠态,理论上能够达到最优测量精度,即海森堡极限。 研究团队设计了最优的测量方案,基于多光子量子纠缠,通过操纵六光子干涉仪,实验演示了多个独立的相移及其平均值测量。实验结果显示,利用分布式纠缠态进行测量,其精度可以超越经典传感器的理论极限。基于光子纠缠和相干性组合的方案,研究团队进一步实验演示了多个空间相移的线性组合测量(参数数量总个数达到21个),与仅利用粒子纠缠的方案对比,该组合式方案不仅能够增加可测量参数数量,还能提高测量精度。 该项工作成功实现了多参量分布式量子传感的原理性实验验证,评估了不同纠缠结构情况下的测量精度,验证了纠缠结构对测量精度的增强效果,扩展了资源利用率和可测量的参量数量,朝分布式量子传感的实际应用迈出了重要一步。《自然·光子学》杂志的审稿人对该工作给予高度评价,称赞这是一项“重要的里程碑工作”(constitutes a significant milestone)。
中国科学技术大学 2021-04-11
有关大规模硅基集成高维光量子芯片的工作
利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术,实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 (图一)基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术,基于量子力学基本物理原理,使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件(包括单光子源、量子操控和测量光路,以及单光子探测器等),可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此,该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点,例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而,迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示,如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此,我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性,增强其量子信息处理技术的能力,从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术,高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近,多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度,如轨道角动量模式、时域和频域模式等,可以有效编码和处理多维光量子态。然而,实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量,依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题,英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作,并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式,即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径,从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列,可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路,可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此,该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时,团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性,实现了高保真度的高维量子纠缠态,如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度,远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是,团队通过硅基纳米光子集成技术,实现了目前集成度最复杂的光量子芯片(图一所示),单片集成550多个光量子元器件,包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器,从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术,验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性,包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等,证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如,对4维度量子纠缠态,实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数,不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差,而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能,例如,对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%,对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。
北京大学 2021-04-11
中国科大制备出发光具有方向性的量子点
中国科学技术大学中科院微观磁共振重点实验室杜江峰院士、樊逢佳教授等人与多伦多大学OleksandrVoznyy教授合作,在胶体量子点发光材料领域取得重要进展。
中国科学技术大学 2022-03-15
一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法
本发明公开了一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法,其 步骤包括:(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的 CdSe(或者 CdS)量 子点,此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸 PbSe(或者 PbS)量子 点,(2)然后继续注入较小尺寸 CdSe(或者 CdS)量子点,这时通过阳离 子交换反应会得到较小尺寸 PbSe(或者 PbS)量子点,(3)然后在奥斯特 瓦尔德熟化效应的作用下, PbSe(或者 PbS)量子点的尺寸分布会越来越 窄,从而控制了 PbSe(或者 PbS)量子点的尺
华中科技大学 2021-04-14
一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法
本发明公开了一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法,其 步骤包括:(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的 CdSe(或者 CdS)量 子点,此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸 PbSe(或者 PbS)量子 点,(2)然后继续注入较小尺寸 CdSe(或者 CdS)量子点,这时通过阳离 子交换反应会得到较小尺寸 PbSe(或者 PbS)量子点,(3)然后在奥斯特 瓦尔德熟化效应的作用下,PbSe(或者 PbS)量子点的
华中科技大学 2021-04-14
安徽问天量子科技股份有限公司
安徽问天量子科技股份有限公司 2022-05-24
供应激光功率计、激光能量计//长春博盛量子
产品详细介绍    
长春博盛量子科技有限公司 2021-08-23
荧光碳量子点/二氧化硅微球的研发
项目成果/简介: 荧光二氧化硅微球(CDs@mSiO2)负载抗体等生物大分子针对病毒、细菌和疾病体外检测试剂盒。 技术指标(创新要点等): 1、使用性能优越的碳量子点取代稳定性差、荧光量子产率低的有机荧光染料和毒性大的无机半导体量子点; 2、通过调节碳量子点的合成原料,使得碳量子点偶联锚定在二氧化硅微球上,且不会引起碳点的荧光猝灭从而有利于连接抗体或生物大分子等,产品具有快速、灵敏度和特异性高等优势。应用范围: 应用领域及预期经济社会效益等: CDs@mSiO2具有经济性、功能性和环境协调性等基本特性,CDs@mSiO2生产效率高、成本低、性能好等优点,可用于病毒、细菌和疾病体外检测。效益分析: 应用领域及预期经济社会效益等: CDs@mSiO2具有经济性、功能性和环境协调性等基本特性,CDs@mSiO2生产效率高、成本低、性能好等优点,可用于病毒、细菌和疾病体外检测。知识产权类型:发明专利知识产权编号:1、发明专利“一种两亲性碳量子点及其制备方法” CN201510213429.3; 2、发明专利“一种氮掺杂碳量子点的简易绿色合成方法” CN201410039846.6; 3、发明专利“一种高强度荧光水凝胶及其制备方法” CN201610060548.4; 4、发明专利“一种超大长径比的碳量子点聚苯胺复合纳米管及其合成方法”201610316536.3; 5、发明专利“一种新型的荧光磁性纳米管材料及其制备方法” CN201410185776.5。技术先进程度:达到国内先进水平成果获得方式:独立研究获得政府支持情况:无
安徽大学 2021-04-11
含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜及其制备方法和应用
本发明公开一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜的制备方法,包括以下步骤:用改性剂对半导体量子点的表面进行亲水性或亲油性改性,再将改性后的半导体量子点均匀分散在溶剂中,形成半导体量子点墨水,然后把半导体量子点墨水、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物和助剂混合,经过热压成型或挤出成型,得到含有半导体量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜。该制备方法简单,可控性好,可操作性强,易于工业化生产。本发明还公开了一种含有量子点的乙烯-醋酸乙烯酯胶膜,应用于太阳电池,能有效提高太阳电池的利用效率。
浙江大学 2021-04-11
关于“外尔半金属TaAs的不饱和量子磁性”的研究
北京大学物理学院的贾爽研究员和中科院强磁场科学中心的张警蕾研究员、南方科技大学的卢海舟教授等组成的研究团队对外尔半金属材料TaAs等在强磁场下的磁性质进行了深入研究。利用磁扭矩探测和平行磁化率探测技术,他们发现当外尔电子在强磁场下进入量子极限时,其横向和纵向磁化率都表现出强烈的不饱和性。这一强磁场下的不饱和磁性与非相对论型的拓扑平庸电子呈现的饱和磁性截然相反,是相对论型的电子所独具的指针性属性。 由于各种拓扑电子材料的能带对于包括自旋轨道耦合以及化学势在内的各种参数高度敏感,决定电子拓扑性质的能量尺度可能小至毫电子伏特量级,因此通常的谱学测量如角分辨光电子谱等往往无法分辨能带的细节。而普通的电输运测量只能表征费米面的贝里曲率,无法区分相对论型的电子能带是否存在能隙。这项对于拓扑电子材料的磁性研究,结合了理论计算与强磁场下的实验表征,提出了探测相对论型的电子的一种决定性指针。该工作已在《自然•通讯》上发表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions. 此项工作的通讯作者为贾爽研究员,中科院强磁场科学中心的张警蕾研究员和南方科技大学的卢海舟教授;第一作者为量子材料中心博士生张成龙和南方科技大学的王春明教授。同时,这项研究受到国家自然科学基金(No. U1832214, No.11774007)国家重点研究计划(2018YFA0305601)以及中科院先导研究计划(XDB28000000)等的支持。
北京大学 2021-04-11
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