项目简介： 项目委托来源成都清样宝柏有限公司， 该系统实现了企业生产过程的计算机管理： 对原材料、成品、半成品、

本实用新型公开了一种基于旋转光谱仪的极地海冰多层位光谱辐射测量系统，测量系统包括均设在密封舱内的辐射信号耦合装置、光谱仪、电源、主控子系统、光电编码器、机械传动装置、伺服电机、光谱仪固定块、光纤接口/固定装置；电源与主控子系统相连，为其提供工作电压；辐射信号耦合装置和光谱仪通过光纤相连，光谱仪和辐射信号耦合装置通过光谱仪固定块安装在机械传动装置的旋转主轴上，光电编码器设在机械传动装置的旋转主轴上，伺服电机与机械传动装置相连，光谱仪、光电编码器和伺服电机均与主控子系统相连。本实用新型采用旋转光谱仪的方式，进行极地海冰多层位光谱辐射测量，提高了此类型系统在极地环境下长期、连续、稳定工作的能力。

本发明公开了一种基于聚焦电流法的减小视电阻率测量误差的 系统和方法，该系统包括反馈控制电路、驱动电路、测量电路、测量 电极、屏蔽电极所构成。在地质前探中，在护盾的前部和尾部分别设 置屏蔽电极和测量电极，并且在前部和尾部的同一圆周线上设置成对 的电压监测点，驱动电路分别给屏蔽电极和测量电极通电流，测量电 路测量各对电压监测点的电位差ΔV，反馈控制电路根据所测得的电位 差，反馈调节的电流，使各点V的总体相对变化Σai(ΔVi)² 最小，从而维持屏蔽电极与测量

一种结构光三维测量系统的参数重标定方法及其设备，在具有一台相机与一台投影仪的系统中增加辅助相机对投影仪内参数进行重标定。放置高精度的白色平板，投影仪投射结构光图案，原系统相机和辅助相机采集白色平板图案。首先对双相机进行标定，获得辅助相机参数；其次采用拍摄的照片依据立体视觉原理重建白色平板，再次将重建的点云反投影到投影仪发射相面上，计算出对应的投影相位，并与其实际相位做差得到相位残差值，最后利用最小二乘原理计算得到投影仪横向等效焦距和横向光心的误差值，完成投影仪内参数的重标定，提高结构光三维测量系统的标定精度。

北京师范大学珠海校区材料磁性综合测量仪等设备采购项目竞争性磋商

本发明公开了一种支撑轴弯曲间隙及刚度自动测量装置及其测量方法。本发明通过测量杆将微小弯曲间隙放大，以气缸配合气动滑·788·台为动力机构，连接带动施力构件对测量杆施加压力，并通过位移传感器及压力传感器实时采集测量杆的位移数据及受力数据，进一步计算出支撑轴的弯曲间隙角及刚度。本发明通过两个位移传感器实现对弯曲间隙的精确测量，消除了由扭矩输入时弯曲间隙的顶点相对于轴心的径向窜动带来的不利影响；气缸带动施力构

利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术，实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 （图一）基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术，基于量子力学基本物理原理，使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件（包括单光子源、量子操控和测量光路，以及单光子探测器等），可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此，该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点，例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而，迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示，如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此，我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性，增强其量子信息处理技术的能力，从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术，高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近，多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度，如轨道角动量模式、时域和频域模式等，可以有效编码和处理多维光量子态。然而，实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量，依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题，英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作，并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式，即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径，从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列，可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路，可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此，该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时，团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性，实现了高保真度的高维量子纠缠态，如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度，远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是，团队通过硅基纳米光子集成技术，实现了目前集成度最复杂的光量子芯片（图一所示），单片集成550多个光量子元器件，包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器，从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术，验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性，包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等，证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如，对4维度量子纠缠态，实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数，不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差，而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能，例如，对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%，对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。

本发明公开了一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法，其 步骤包括：(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的 CdSe(或者 CdS)量 子点，此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸 PbSe(或者 PbS)量子 点，(2)然后继续注入较小尺寸 CdSe(或者 CdS)量子点，这时通过阳离 子交换反应会得到较小尺寸 PbSe(或者 PbS)量子点，(3)然后在奥斯特 瓦尔德熟化效应的作用下， PbSe(或者 PbS)量子点的尺寸分布会越来越 窄，从而控制了 PbSe(或者 PbS)量子点的尺

本发明公开了一种控制 PbS 或 PbSe 量子点尺寸分布的方法，其 步骤包括：(1)首先在铅的前驱物中注入较大尺寸的 CdSe(或者 CdS)量 子点，此时通过阳离子交换反应得到了较大尺寸 PbSe(或者 PbS)量子 点，(2)然后继续注入较小尺寸 CdSe(或者 CdS)量子点，这时通过阳离 子交换反应会得到较小尺寸 PbSe(或者 PbS)量子点，(3)然后在奥斯特 瓦尔德熟化效应的作用下，PbSe(或者 PbS)量子点的