实验室电源，物理实验室电源，化学实验室电源，实验室学生电源 备注：以上是T-D物理教师控制台的详细信息，如果您对T-D物理教师控制台的价格、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取T-D物理教师控制台的最新信息。 咨询电话：0577-67473999

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产品详细介绍 W103-3型铝木结构豪华物理实验室成套设备 一、教师演示台 1、规格：2800×700×850mm 2、台面：采用25mm厚高密度板芯美国威盛亚防火板热弯精加工成型台面，具有防火、防酸碱、耐磨、抗腐等功能，经久耐用，造型美观。 3、桌身：铝木框架结构，专用实验台铝合金型材，铝合金材料厚度（立管）不小于1.5mm，圆管直径不小于50mm，方管不小于48×50mm。横梁（方管上下共19根），组装接缝严密，连接牢固，无松动现象。板材采用经国家人造板质量监督检验中心检验合格的18mm（±1mm）三聚氰胺双贴面A类优等中密度板，利用进口封边机对所有裸露截面均采用2mm厚优质PVC封边条封边，精加工，密封性好，防水性佳，外形美观，经久耐用。 4、结构：演示台设有储物抽屉，中间为演示台。采用专用金属调节脚垫，可有效防止桌身受潮，延长设备的使用寿命。 5、教师安全实验电源 A、教师安全总电源设抽屉式电源，本次投标主控台为按钮旋转式。 B、学生分组电源控制，过载保护及复位装置，总电源漏电保护器及输出电压、电流指示表指示灯。 C、交流低压输出：2V－24V，每2V一档共12档；2V、4V、6V、12V四组任意组合叠加，输出电流：6A±0.5A。 D、直流电压输出：2V－24V，每2V一档共12档；2V、4V、6V、12V四组任意组合叠加，输出电流：6A±0.5A。 E、直流稳压输出：1.2V－24V线性可调，最大输出电流：3A F、直流大电流输出：40A±10 A，8S±2 S G、直流高压输出：240V、300 V，二档，额定电流100mA H、交流电压输出：220V±10%，50Hz，5A输出。 I、电缆线穿PVC管埋地，符合国家安全用电要求。 6、教师椅：五轮升降转椅 二、学生实验台 1、规格：1200×600×780mm 2、台面：采用25mm厚高密度板芯美国威盛亚防火板热弯精加工成型台面，具有防火、防酸碱、耐磨、抗腐等功能，经久耐用，造型美观。 3、桌身：铝木框架结构，专用实验台铝合金型材，铝合金材料厚度（立管）不小于1.5mm，圆管直径不小于50mm，方管不小于48×50mm。横梁（方管上下共7根），组装接缝严密，连接牢固，无松动现象。板材采用经国家人造板质量监督检验中心检验合格的18mm（±1mm）三聚氰胺双贴面A类优等中密度板，利用进口封边机对所有裸露截面均采用2mm厚优质PVC封边条封边，精加工，密封性好，防水性佳，外形美观，经久耐用。 4、结构：每张实验台分为2座，台面装有学生交直流电源盒和豪华多用插座。 5、采用专用金属调节脚垫，可有效防止桌身受潮，延长设备的使用寿命。 6 学生实验电源 A、由教师进行给电控制。 B、直流稳压输出：2 V－24 V电压连续可调，输出电流2A。 C、交流低压输出：2V－24V可调；输出电流2A。 D、交流电压输出：220V±10%，50Hz，2A。 E、学生实验台配有：电源输出指示和实验用电压、电流、灵敏电流计。 F、低压交直流电源可以由教师或学生在2－24V之间自由调节。 G、漏电过载保护器；多用插座；电源开关；保险座；工作指示灯。 7、学生凳 圆形升降旋转学生凳，采用国标优质钢材，立管壁厚3mm，立管上部有钢板与凳面结合，凳面直径300mm（±20mm），牢固耐用、平稳，升降范围450-550 mm。  三、豪华型物理实验室成套设备配置清单（56座） 编号 名    称 单位 数量 材质与规格（mm） 1 学生桌 张 28 规格：1200×600×780 台面：采用威盛亚防火板后成型加工 桌身：采用铝木结构，背身采用三聚氰胺浸泽贴面板 2 教师演示台桌 张 1 规格:2800×700×900 材质:教师演示台跟学生一样。 3 学生实验台 台 28 接收教师桌交流220V电源，经内置式稳压恒流电源输出交流低压1.5V～24V 8档可调，最大输出电流：2A。直流稳压2～24V连续可调，最大输出2A，具有短路过载保护功能，断开负载保护功能。根据教学需要特另自加配双刻度电流、电压测试表和灵敏电流计。（六表显示） 4 教师演示总电源 个 1 有控制地向学生桌输交流220V。交直流输出（2～24）V共为12档，最大输出电流为3A，稳压直流输出（1.25～24）V，无级调压，最大输出电流3A直流高压250V 300V 5 全室线缆装置 套 1 采用铜芯线，过线管材为PVC材料 6 教师转椅 张 1 五轮转椅 7 学生凳 张 56 升降凳 8 其他 张 1 各种安装辅材 注：豪华物理实验室设备其桌身分别有：铝木结构、钢木结构、全木结构三种

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量子隐形传态是建立远距离量子网络的关键技术之一。相比二维系统，高维量子网络具有更高的信道容量、更高的安全性等优点，受到人们的广泛关注。如何实现高效的高维量子隐形传态，从而实现高效的高维量子网络是当前量子信息领域的研究热点之一。 为了实现高维量子通信，李传锋、柳必恒等人从2016年开始采用光子的路径自由度编码，解决了路径比特的相干性问题[PRL 117, 220402 (2016)]，制备出了高保真度的三维纠缠态[PRL 117, 170403(2016)]；解决路径维度扩展问题，实现了32维量子纠缠态[PRL 125, 080503 (2020)]；解决路径自由度的传输问题，实现了高维量子纠缠态在11公里光纤中的有效传输[Optica 7, 738 (2020)]等。研究组从2017年起开始了高维量子隐形传态的实验研究。然而理论研究表明，在线性光学体系中，必须采用辅助粒子才能实现高维量子隐形传态。 为了实现高维量子隐形传态，研究组首先巧妙的提出了纠缠辅助的方式，利用log2d-1个辅助纠缠光子对就可以高效的实现d维的量子隐形传态，从而解决了资源消耗问题。然后实验上利用主动反馈技术实现路径间的相位锁定，干涉可见度在45小时内保持在0.98的水平，从而利用六光子系统实现了三维的量子隐形传态。研究组对三维量子隐形传态过程做了过程层析，保真度达到0.596，以7个标准差超过了经典极限值1/3，证实了三维量子隐形传态过程的量子特性。高效的高维量子隐形传态的实现为构建高效的高维量子网络打下坚实的基础。

项目成果/简介:量子隐形传态是建立远距离量子网络的关键技术之一。相比二维系统，高维量子网络具有更高的信道容量、更高的安全性等优点，受到人们的广泛关注。如何实现高效的高维量子隐形传态，从而实现高效的高维量子网络是当前量子信息领域的研究热点之一。 为了实现高维量子通信，李传锋、柳必恒等人从2016年开始采用光子的路径自由度编码，解决了路径比特的相干性问题[PRL 117, 220402 (2016)]，制备出了高保真度的三维纠缠态[PRL 117, 170403(2016)]；解决路径维度扩展问题，实现了32维量子纠缠态[PRL 125, 080503 (2020)]；解决路径自由度的传输问题，实现了高维量子纠缠态在11公里光纤中的有效传输[Optica 7, 738 (2020)]等。研究组从2017年起开始了高维量子隐形传态的实验研究。然而理论研究表明，在线性光学体系中，必须采用辅助粒子才能实现高维量子隐形传态。 为了实现高维量子隐形传态，研究组首先巧妙的提出了纠缠辅助的方式，利用log2d-1个辅助纠缠光子对就可以高效的实现d维的量子隐形传态，从而解决了资源消耗问题。然后实验上利用主动反馈技术实现路径间的相位锁定，干涉可见度在45小时内保持在0.98的水平，从而利用六光子系统实现了三维的量子隐形传态。研究组对三维量子隐形传态过程做了过程层析，保真度达到0.596，以7个标准差超过了经典极限值1/3，证实了三维量子隐形传态过程的量子特性。高效的高维量子隐形传态的实现为构建高效的高维量子网络打下坚实的基础。

项目成果/简介:福州大学至诚学院孙磊教授为第一作者、物信学院陈恩果副教授为通讯作者、郭太良研究员为第三作者，在材料工程领域国际权威期刊《陶瓷国际》（英文刊名：《Ceramics International》）上发表的题为“Al2O3过渡层优化对ZnO量子点与CuO纳米线复合结构的场发射增强作用”（英文题为“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”）的论文。 本论文研究ZnO QDs 与传统一维氧化物CuO纳米线（CuO NWs）异质结构，以一维氧化物纳米棒为基体为 ZnO QDs 提供良好的定向电荷传输，同时 ZnO QDs 的表面改性又能改善基体的场发射性能，提出了详细的电势叠加效应和形成机制。鉴于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈现孤岛状分布且生长密度低，通过表面改性工程利用原子层沉积(ALD)工艺先在 CuO NWs 基体上沉积 Al2O3 薄膜，均匀的 Al2O3 薄膜为 ZnO QDs 的生长提供了良好的成核表面，同时可以降低基体表面的电子势垒高度。这种金属氧化物异质结构在很多应用中都具有重要的意义，特别是由于表面积大大增加，异质结密度提高，具有固有光捕获效应等优点。研究成果为改善单一纳米材料器件的场发射性能提供了有效途径，也为制备新型结构的场发射器件奠定理论基础。

北京大学量子材料中心王健研究组在硅衬底上外延生长了高质量超薄晶态铅膜，与北京大学谢心澄院士、林熙研究员和北京师范大学刘海文研究员合作在极低温下观测到反常量子格里菲斯奇异性，并给出理论解释。这一发现揭示了超导涨落与自旋轨道耦合效应对于量子相变的重要影响，揭示出量子格里菲斯奇异性在二维超导金属相变中的普适性。 超导-绝缘体与超导-金属相变是量子相变的经典范例，已有三十余年的研究历史。所谓量子相变，是指在绝对零度下系统处于量子基态时随着参数变化而发生的相变。近年来，随着薄膜和器件制备工艺的提高，二维晶态超导体系逐渐成为了研究量子相变的理想平台，得到了国际学术界的广泛关注。王健研究组与谢心澄院士、马旭村研究员、林熙研究员、薛其坤院士等合作者在前期二维超导的相关研究中发现了超导-金属相变中的量子格里菲斯奇异性 (Science 350, 542 (2015)), 并被同期perspective评论文章Science 350, 509 (2015)专题报道。随后被液态栅极技术发明人东京大学Iwasa教授的综述文章Nature Reviews Materials 2, 16094 (2016)誉为二维晶态超导中三个最重要的主题之一。量子格里菲斯奇异性的研究表明，无序可以定性地改变量子相变的临界行为，其主要特征是趋于量子临界点时，二维超导体系的动力学临界指数发散。 最近，王健研究组通过超高真空分子束外延生长技术在硅衬底上制备出宏观尺度高质量晶态薄膜，并实现了厚度为亚纳米尺度的原子层级可控生长。在此基础上，王健教授与谢心澄院士、林熙研究员、刘海文研究员等人合作，在4个原子层厚（约1纳米）的晶态铅膜中发现了一种具有反常相边界的超导-金属相变，并揭示了其中的反常量子格里菲斯奇异性。根据平均场理论，超导体的上临界场会随着温度降低而逐渐增加。然而，系统的极低温实验表明，4个原子层厚的铅膜的相边界在低温下具有非常新奇的反常特性：随着温度降低，铅膜的上临界场（onset Bc2）在低温下也逐渐降低。沿着反常相边界对铅膜的磁阻曲线进行标度理论分析发现，在趋近于量子临界点附近临界指数随着磁场减小而迅速增大直至发散，该现象与前期实验中发现的临界指数随着磁场增大而发散的行为不同，故称为反常量子格里菲斯奇异性。考虑到这类二维超导体系具有很强的自旋轨道耦合，研究团队基于超导涨落理论发展了一套新的唯象理论模型，定量地解释了这一反常相边界。在自旋轨道耦合与超导涨落效应的共同作用下，超导-金属相边界偏离平均场理论而向外突出，并在反常相边界处呈现出量子格里菲斯奇异性。这一新奇量子相变的发现，证实了量子格里菲斯奇异性在不同相边界的超导-金属相变中具有普适性，并进一步揭示出自旋轨道耦合与超导涨落效应对于超导-金属相变的影响，为深入理解二维晶态超导体中的量子相变现象提供了一个新的视角。图1 四个原子层厚晶态铅膜中的反常量子格里菲斯奇异性。(a) 铅膜在零磁场下的超导转变曲线。插图是输运测量结构示意图。(b) 在0到5特斯拉不同外加磁场下铅膜电阻随温度的变化曲线。 (c) 铅膜在低温下表现出反常相边界，与超导涨落唯象理论模型一致。 (d) 临界指数随着磁场减小而迅速增大，直至发散，是反常量子格里菲斯奇异性的特征。图2 反常量子格里菲斯奇异性相图示意图。在自旋轨道耦合和超导涨落的作用下，平均场理论的相边界（蓝色虚线）向外突出形成新的相边界（红色实线）。当温度低于T^'时，红色实线代表反常相边界。沿着反常相边界趋于无限随机量子临界点B_c^*可以观测到反常量子格里菲斯奇异性。 该工作于2019年8月12日发表于著名学术期刊《自然∙通讯》。(Nature Communications 10, 3633 (2019) DOI: 10.1038/s41467-019-11607-w): https://www.nature.com/articles/s41467-019-11607-w 北京大学王健研究组博雅博士后刘易和研究生王子乔为文章共同第一作者，北京大学王健教授和北京师范大学刘海文研究员是本文的共同通讯作者。其余作者包括谢心澄院士，林熙研究员，以及王健研究组本科生唐钺、博士生刘超飞、陈澄、邢颖（已毕业）、博士后王庆艳（已出站），和林熙组博士生闪普甲。 该工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、量子物质科学协同创新中心、中科院卓越创新中心、北京市自然科学基金、博士后科学基金、中央高校基本科研基金的支持。

福州大学至诚学院孙磊教授为第一作者、物信学院陈恩果副教授为通讯作者、郭太良研究员为第三作者，在材料工程领域国际权威期刊《陶瓷国际》（英文刊名：《Ceramics International》）上发表的题为“Al2O3过渡层优化对ZnO量子点与CuO纳米线复合结构的场发射增强作用”（英文题为“Field emission enhancement of composite structure of ZnO quantum dots and CuO nanowires by Al2O3 transition layer optimization”）的论文。 本论文研究ZnO QDs 与传统一维氧化物CuO纳米线（CuO NWs）异质结构，以一维氧化物纳米棒为基体为 ZnO QDs 提供良好的定向电荷传输，同时 ZnO QDs 的表面改性又能改善基体的场发射性能，提出了详细的电势叠加效应和形成机制。鉴于 ZnO QDs 在 CuO NWs 表面呈现孤岛状分布且生长密度低，通过表面改性工程利用原子层沉积(ALD)工艺先在 CuO NWs 基体上沉积 Al2O3 薄膜，均匀的 Al2O3 薄膜为 ZnO QDs 的生长提供了良好的成核表面，同时可以降低基体表面的电子势垒高度。这种金属氧化物异质结构在很多应用中都具有重要的意义，特别是由于表面积大大增加，异质结密度提高，具有固有光捕获效应等优点。研究成果为改善单一纳米材料器件的场发射性能提供了有效途径，也为制备新型结构的场发射器件奠定理论基础。

"本项目研发的新型量子吸蓝光材料，用于防蓝光眼镜，防蓝光护眼贴膜等产品。可用于防护液晶（LCD）和有机电致发光（OLED）手机，电脑显示器等电子产品显示器屏幕发出的高能蓝光，实现健康护眼的目的。 该种新型量子吸蓝光材料具有超强的光波过滤功能，比市面现有主流吸蓝光材料效果高10－100倍，处于世界领先水平。在技术层面优于市场上现有产品。依托于先进的新型量子技术制备防蓝光护眼镜片和护眼贴膜，可高效吸收蓝光，从根本上解决电子产品蓝光伤害这一社会痛点问题。 本项目量子防蓝光眼镜和贴膜产品的生产有两条技术路线，主要步骤如下： 1、无机吸蓝光材料分散在聚合物基材（如聚碳酸酯,聚丙烯酸酯）中直接成型； 2、无机吸蓝光材料分散在紫外光固化胶水中，采用涂布技术制作镜片或者可贴合膜片。"