高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
一种低工作温度的量子点白光 LED 及其制备方法
本发明属于量子点 LED 封装领域,具体涉及一种低工作温度的量子点白光 LED,其中,LED 芯片固定设置在基板表面,量子点硅纳米球附着在 LED 芯片表面,透光壳体内表面附着有一层荧光粉胶,该透光壳体直接安装在基板上或通过一模塑料固定在基板上方,并将LED 芯片和量子点硅纳米球密封在内,透光壳体内还填充有封装胶将量子点硅纳米球和荧光粉胶隔离。本发明还公开了一种低工作温度的量子点白光 LED 的制备方法。本发明的量子点 LED 利用封装胶将荧光粉胶和量子点硅纳米球隔离,可降低量子点工作温度,减少重吸收损失,提高白光 LED 的发光效率;还能减少量子点的用量,控制量子点与荧光粉各自的发光光谱,得到所需的理想型发光。
华中科技大学 2021-04-13
多功能量子点-有机叠层发光二极管
提出了一种量子点-有机叠层发光二极管(LED)的新结构,实现了单颗LED发射红、绿、蓝、白及任意色彩的功能,有望取代传统红、绿、蓝LED,提高显示屏的分辨率及开口率。 量
南方科技大学 2021-04-14
一种水溶性过渡金属掺杂 ZnSe 量子点的合成方法
本发明公开了一种水溶性过渡金属掺杂 ZnSe 量子点的合成方法,属于材料制备技术领域。本发明 使用核壳结构纳米材料,采用离子置换的思路来合成掺杂量子点。该掺杂方法分为两步,第一步在氮气 保护的条件下合成 MnSe/ZnSe 的核壳结构纳米颗粒,第二步分别向 MnSe/ZnSe 纳米颗粒溶液中加入不 同的掺杂元素,随后在室温或者 100°C加热的条件下反应即可得到不同元素掺杂的 ZnSe 量子点。本发 明合成的掺
武汉大学 2021-04-14
中国科大成功融合远距离量子密钥分发和光纤振动传感
中国科学技术大学潘建伟、张强等与济南量子技术研究院王向斌、刘洋等合作,实现了一套融合量子密钥分发和光纤振动传感的实验系统,在完成光纤双场量子密钥分发(TF-QKD)的同时,实现了658公里远距离光纤传感,定位精度达到1公里,大幅突破了传统光纤振动传感技术距离难以超过100公里的限制。
中国科学技术大学 2022-06-02
一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法
本发明公开了一种超小尺寸钙钛矿量子点的室温制备方法,属于超小尺寸钙钛矿量子点技术领域,包括以下步骤:S1、将CsBr、PbBr<subgt;2</subgt;和芳香酸粉末置于容器中,加入极性溶剂进行搅拌混合,得到透明前驱体溶液;S2、在前驱体溶液中加入胺溶液,得到混合溶液后添加至反溶剂中,得到量子点粗溶液;S3、向量子点粗溶液中加入金属盐溶液,搅拌后进行离心,向离心得到的上清液中加入有机溶剂,再次离心后得到量子点沉淀;S4、将量子点沉淀溶解于甲苯和DMF的混合溶液中,再次离心得到澄清透明的量子点溶液。本发明通过FeBr<subgt;3</subgt;协同芳香酸重构量子点界面,使量子点获得接近100%的PLQY,并展现出长期的稳定性。
复旦大学 2021-01-12
供应压电陶瓷驱动器/压电陶瓷制动器//长春博盛量子
产品详细介绍    
长春博盛量子科技有限公司 2021-08-23
进展 | 电子系崔开宇在超光谱成像芯片方面取得重要进展,研制出国际首款实时超光谱成像芯片
清华大学电子工程系黄翊东教授团队崔开宇副教授带领学生在超光谱成像芯片方面取得重要进展,研制出国际首款实时超光谱成像芯片,相比已有光谱检测技术实现了从单点光谱仪到超光谱成像芯片的跨越。
清华大学 2022-05-30
东南大学毫米波CMOS芯片研发取得重大突破
由东南大学信息科学与工程学院尤肖虎教授、赵涤燹教授牵头,联合成都天锐星通科技有限公司、网络通信与安全紫金山实验室等单位完成的“Ka频段CMOS相控阵芯片与大规模集成阵列天线技术”项目成果通过了中国电子学会组织的现场鉴定。 由中国工程院邬贺铨院士、陈左宁院士、李国杰院士、吕跃广院士、丁文华院士以及来自中国移动、信通院、华为、中兴、大唐电信和国内5所高校的共15位专家组成的鉴定委员会对该项成果进行了现场鉴定并给予了高度评价,一致认为:该项目解决了硅基CMOS毫米波Ka频段相控阵芯片和天线走向大规模推广应用的核心技术瓶颈问题,成功研制了Ka频段CMOS相控阵芯片,并探索出了一套有效的毫米波大规模集成阵列天线低成本解决方案,多项关键技术属首创;在硅基CMOS毫米波技术路线取得重大突破,在大规模相控阵天线集成度方面国际领先;成果在5G/6G毫米波和宽带卫星通信等领域具有广阔的应用前景,在该领域“卡脖子”技术上取得关键突破,已在相关应用部门得以成功推广应用。 目前,用于射频芯片的40nm和28nm CMOS工艺特征频率已经超过250GHz,在理论上完全可以满足毫米波应用需求。毫米波硅基CMOS集成电路技术的突破,将带来无线通信行业的一次变革,解决相控阵系统“不是不想用,只是用不起”的问题,把毫米波芯片及大规模相控阵变成来一种极低成本的易耗品。相比锗硅工艺和化合物半导体工艺,CMOS工艺在成本、集成度和成品率上具有巨大优势,但其输出功率相对较低,器件本身寄生效应较大。项目组经过长达6年的技术探索与创新,克服了毫米波CMOS芯片技术的固有瓶颈问题,所研制的芯片噪声系数为3dB,发射通道效率达到15%,无需校准便可实现精确幅相调控;基于大规模相控阵的波束成形能力,克服了毫米波CMOS芯片输出功率受限的问题。
东南大学 2021-02-01
超低功耗、高可靠和强实时微控制器芯片
本项目重点研究面向物联网极低功耗微控制器关键技术,包括宽电压标准单元和片上存储器设计技术、工艺-电压-温度(PVT)偏差检测技术与自适应动态电压和频率调节技术、快速响应的宽负载高效率电源转换技术、低功耗高精度模数转换电路设计技术、极低功耗快速启动晶体振荡器技术;面向工业控制微控制器关键技术,包括高可靠处理器架构、低延时访问存储策略、纳秒级中断响应处理技术、容错型自纠错SRAM 设计技术、高精度时钟基准电路设计技术。
东南大学 2021-04-11
一种RFID读写器芯片中测系统及方法
本技术成果涉及集成电路测试技术领 域,公开了一种RFID读写器芯片中测系 统及方法
中山大学 2021-04-10
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 26 27 28
  • ...
  • 39 40 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1