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磁性金属黑板
产品详细介绍
福建三师电子有限公司
2021-08-23
磁性金属黑板
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福建三师电子有限公司
2021-08-23
塑胶金属黑板
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云南莘莘教学设备有限公司
2021-08-23
金属双面黑板
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北京迎凯讯实业开发公司
2021-08-23
一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法
本发明公开了一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法。它包括如下步骤：1）将金属磁粉过筛进行粒度配比；2）利用非均匀形核法对配好的金属粉末进行绝缘包覆后干燥；3）将干燥后的磁粉与粘结剂混合均匀，加入脱模剂干压成型，将其压制成坯样；4）将坯样于保护气氛中保温0.5~2h，空冷，喷涂，得到目标产物。本发明采用非均匀形核法制备的复合粉末包覆均匀、致密，包覆层厚度可控，具有良好的抗氧化性、高的电阻率、高的饱和磁化强度，具有优良的磁性能和力学性能；采用非均匀形核法在金属磁粉表面均匀包覆一层Al2O3绝缘层，包覆效果优于现有方法，且可操作性强，便于批量生产。
浙江大学
2021-04-11
一种金属氧化物-分子筛复合催化剂的制备方法及其应用
本发明涉及一种金属氧化物‑分子筛复合催化剂的制备及其应用，属于工业催化技术领域。催化反应以二氧化碳和氢气为反应原料，所述催化剂由金属氧化物和分子筛复合而成。其中，金属氧化物为M<subgt;1</subgt;、M<subgt;2</subgt;、M<subgt;3</subgt;三种或其中两种金属元素组成的固溶体金属氧化物或尖晶石型金属氧化物，其中M<subgt;1</subgt;为Zn、Ga、In中的一种，M<subgt;2</subgt;为Ce、Sm、La、Fe中的一种，M<subgt;3</subgt;为Zr、Ga、Cr、Al、Ti中的一种；所述分子筛的骨架组成为硅铝氧或硅磷铝氧四面体；所述的金属氧化物采用气体扩散法制得。本专利所公开的金属氧化物采用气体扩散法制备，具有很高的比表面积（80‑300 m<supgt;2</supgt;g<supgt;‑1</supgt;）。所述复合催化剂在二氧化碳加氢制低碳烯烃（乙烯、丙烯和丁烯）的反应中表现出优异的性能，二氧化碳转化率可达35％以上，一氧化碳选择性小于40%，低碳烯烃在碳氢化合物中的选择性可达82.1％，低碳烯烃的收率达20.3%，并具有较高的催化稳定性。与传统催化剂相比，可以高效吸附、活化二氧化碳和氢气，从而提高二氧化碳转化率，制备方法简单，催化性能优异，具有很好的工业应用前景。
南京工业大学
2021-01-12
一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末的制备方法
本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫
华中科技大学
2021-04-14
一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末的制备方法
本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫
华中科技大学
2021-04-14
具有超低导电渝渗值的三元共混物基复合材料及其制备方法
本发明公开了具有超低导电渝渗值的三元共混物基复合材料及其制备方法。该复合材料是由40vol％～45vol％的聚偏氟乙烯，40vol％～55vol％的高密度聚乙烯，20vol％聚苯乙烯和0.025vol％～0.5vol％多壁碳纳米管经熔融共混制备得到。多壁碳纳米管在熔融混合过程中能够有效地选择性分布在聚苯乙烯界面相，相比双渝渗结构型导电复合材料以及填充型聚合物基导电复合材料，本发明得到的三元共混物基复合材料的导电渝渗值更低，这种特殊的多层次结构使得三元共混物基复合材料的导电渝渗值低至0.022vol％，达到超低的填充水平。
四川大学
2016-10-08
硅基拓扑光子学
研究团队利用能谷-赝自旋耦合原理，在绝缘层硅（SOI，silicon-on-insulator）上制备出能谷光子晶体平板。该拓扑光学结构具有~40nm的特征尺寸，其光子模式（因工作于光锥以下）能够较好地局域在平板内，抑制了平板外损耗。他们制备了直线形、Z形和Ω形等三种拓扑光学通道，测量出高透平顶透射光谱带，证实了近红外波段下拓扑保护的宽带抗散射传输。采用硅微盘技术产生相位涡旋源，无需低温和强磁等极端环境，实现了拓扑界面态的选择性激发，实现了亚微米量级耦合长度的宽带光子路由行为，验证了能谷-赝自旋耦合等拓扑光学原理。在硅基平台上证实拓扑光子学原理，是目前国际学术前沿的聚焦度较高的领域之一。研究团队过去在拓扑光子学原理方面的工作，多次引起国际同行关注，论文入选ESI高被引。该工作中，他们深入系统地发展出硅基拓扑光学等关键理论，攻克了数十纳米加工工艺等关键技术，率先在硅基光子平台与拓扑光子学之间建立了联系，突破了单一自由度调控的传统框架，提出了硅基中多自由度耦合的多维调控新机制，为微纳光学与光子学、光二极管等关键光子芯片器件、混合集成光子学、高保真光量子信息光学、非线性光学等领域，提供了新方法和新思路。
中山大学
2021-04-13