非损伤微测技术（Non-invasive Micro-test Technology，NMT）源于美国MBL实验室（54位诺贝尔奖得主的摇篮），由神经学家Lionel F. Jaffe（美国扬格公司创始人之一）于1974年发明，2001年，美国扬格公司正式推出现代NMT。NMT是一种研究活体材料的底层核心技术，研究人员基于NMT能够建立自己独有的Me-Only 研究平台，从而获得极具创新的研究成果。         NMT可在不接触、不损伤样品的情况下，检测分子/离子进出生物活体的流速（流动速率和方向），可测样品种类繁多，小到菌、单细胞、液泡，大到组织、器官、整体都可检测。基于NMT商业化的设备统称为非损伤微测系统。         扬格/旭月的非损伤微测系统包含BIO系列、CONFLUX系列（共聚焦/荧光NMT）、NMT100系列、NMT200系列、NMT100S系列、NMT200S系列、NMT150系列、NMT活体工作站系列、NMT Physiolyzer®系列等，已发展至第七代自动化智能产品。扬格/旭月的NMT系统全部采用从美国扬格（旭月北京）研发中心自主研发的imFluxes智能操作软件，将十余年的NMT应用大数据与设备实现完美结合，并且在产品一体化、自动化、智能化、扩展升级等诸多方面都有大幅提升。          扬格/旭月已取得基于NMT的数十项专利及软件著作权，拥有完善的专利保护体系，所有产品全部通过中关村NMT联盟认证和ISO9001质量体系认证。扬格/旭月所销售的NMT专用耗材，已通过中关村NMT联盟认证，所有耗材是扬格/旭月研发中心结合十余年的经验、摸索并自主研发生产的。NMT专用耗材较传统的通用型耗材保质期更长，性能更稳定、可靠，所有对外销售的耗材全部经过严格的生产、检验流程。         扬格/旭月的NMT研究平台已经帮助国内外科研单位取得近百项各类专利，以及包含Nature、Cell在内的500多篇论文。同时，已销往欧洲的瑞士苏黎世大学（拥有包括爱因斯坦在内10余位诺贝尔奖得主），以及中国科学院、中国林科院、中国农科院、农业部下属的众多科研院所与高校，以及北大、上海交大等知名高校。 名称：NMT金属腐蚀工作站 代数：第七代 品牌：旭月 产地：中国 已获得认证：中关村NMT联盟认证，ISO9001国际质量体系认证 简介：NMT金属腐蚀工作站是一款针对金属腐蚀机制研究而特别设计的实时动态检测平台，可对材料表面进行微观三维动态扫描，检测材料表面的腐蚀介质的分子、离子的流速，是世界上新颖的金属腐蚀机制研究系统，分辨率高达10-12 mol级别。能满足涂层评价、材料腐蚀微观机理等方向的研究需求。 1 活体、原位、非损伤测量 对整体或分离后的样品不造成损伤，获取正常生理状态下的信息。 2 无需标记 预先知道测定的是何种指标，无需用放射性、化学或药理学等标记方法，安全且环保。 3 不用提取样品 可直接检测，不需要研磨等传统的提取方法。 4 实时、动态检测 动态实时（最短在6秒左右）检测和获取数据。 5 长时间持续检测 可进行长达8个小时以上的实时和动态监测。 6 可测指标 采购相对应耗材后可单独检测Mg2+、Cl-浓度和流速。 预留指标检测升级端口，可升级指标包含：IAA、O2、H2O2、Cd2+、Pb2+、Cu2+、Ca2+、H+、K+、Na+、NH4+、NO3-的浓度和流速检测。 预留双指标检测升级端口，升级后可单独检测一种离子或分子，也可同时检测两种离子或一种离子与一种分子的浓度和流速，用于离子/分子相关性研究及更前沿的科研探索。 7 可测样品种类繁多 各类化学腐蚀、电化学腐蚀、生物腐蚀的样品等都可以检测（理论值：大于2cm均可）。 8 自动化操作 Z方向自动/手动操控传感器移动，X、Y方向手动操控传感器移动。 9 数据采集方式 Z方向一维数据采集。 型号 功能 可升级功能 NMT-CRP 1.标配两种指标：Mg2+、Cl-。 2.操作方式：一维自动。 3.检测样品：可检测2cm以上的样品。 4.数据：1D。可直接检测、输出流速和浓度数据。 5.检测方式：单传感器检测 1.可升级指标：膜电势、IAA、O2、H2O2、Cd2+、Pb2+、Cu2+、Ca2+、H+、K+、Na+、NH4+、NO3-。 2.可扩展：未来新研发指标可扩展升级。 3.操作方式：可升级至三维自动。 4.可升级检测方式：单/双传感器检测可选。 5.数据：1D/3D可选。可直接检测、输出流速和浓度数据。                                                                                                                                                                        

产品详细介绍

本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫

本发明公开了一种 3D 打印用金属基陶瓷相增强合金工具钢粉末 的制备方法，该合金工具钢粉末所含元素及质量百分含量为：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金属基陶瓷相金属元素，0.2-8％；铁，余量，所述制备方法如下：1) 将原料混合粉末熔化；2)脱氧处理；3)脱硫

超吸热玻璃的光学性能： 近白玻和天空兰色、绿色的玻璃配方工艺技术，既可以用现有的传统浮法玻璃生产工艺生产，也可以用现有的平板压延法(平拉法或垂直引上法)生产工艺生产，其各项基本技术质量指标都优于现有的浮法平板玻璃和压延平板玻璃，其光学性能如下：能强烈吸收200-380nm 的紫外线，其吸收率≥99.9%；能吸收800—2500nm的近红外线，其吸收率≥99.9%；对400—750nm可见光透过率在75%-85%之间，辐射值E≤0.05，(注:LOW-E玻璃E=0.2,镀金属反射膜玻璃E=0.6,普通浮法白玻璃E=0.84),成本在原浮法玻璃或压延平板玻璃的基础上增加10%-15%；在原浮法玻璃和压延平板玻璃的配方基础上稍加调整，添加一定量的UV-IR吸收剂采用本体着色法,不需改动原浮法玻璃或压延平板玻璃生产工艺即可生产，其光学性能大大优于在线或离线镀膜LOW-E玻璃，以及目前市面上任何超吸热玻璃的技术质量指标，具体见国防科技大学物质与材料科学实验中心和湘潭大学测试中心的检测报告。几乎可全部吸收阳光中的VU及IR，阻止它们透过玻璃进入室内，因此大大减低室内制冷的能源需要，达到减排节能的目的。本产品可广泛用于建筑玻璃和汽车玻璃。 

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

本发明公开了一种非晶合金零件的快速成形方法，包括首先对 电磁成形系统中的电容器充电，然后采用电脉冲放电对非晶合金进行 快速升温使其温度升至过冷液态温度，在温度达到设定温度停止电脉 ·549·冲放电，同时使所述电磁成形系统的电容器放电，产生电磁力并驱动 过冷液态的非晶合金变形至模具中，即可实现非晶合金零件的快速成 形。本发明还公开了利用上述方法所制备的非晶合金零件。本发明通 过对热塑性成形过程中的加热方式、成形驱动方式

本发明公开了一种基于洛伦兹力的非晶合金成形方法及装置， 该方法包括：非晶合金样件在感应电流的作用下升温至过冷液态区， 同时在洛伦兹力的驱动下变形至模具冷却成形；感应电流和洛伦兹力均由成形线圈放电产生，感应电流由设置在成形线圈周围的导体在成 形线圈放电过程中感应产生，洛伦兹力由放电过程中成形线圈产生的 磁场与非晶合金样件流过的感应电流共同作用产生，导体与非晶合金 样件构成感应回路，以使感应电流流过所述非晶合金样件。非晶合金 样件的升温、成形、冷却过程在数毫秒脉冲放电时间内一次完成，具 有升温、成形、冷