高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
塑胶金属黑板
产品详细介绍
云南莘莘教学设备有限公司 2021-08-23
金属钩码
产品详细介绍
吉安市卓钢教学仪器有限公司(原吉安市第六教学仪器厂) 2021-08-23
微型金属带锯 
型号:YN503 名称:微型金属带锯  本机 特点: 1、直角切断、斜角切断、高精度作业、可搬式 。2、轻便型现场移动活跃作业瓦斯管、自来水管、电气作业、机械车间作业、建设其它切短作业现场。3、配有定位杆,切断尺寸方便控制。4、安全无公害作业无需冷却液,无火花、无臭氧、切削铁粉不飞扬、可安心作业。5、切断作业时声音小,低噪音马达设计、夜间做作业佳。    最大锯削直径  圆棒125mm,方棒130*125mm. 6、本机较轻,移动方便,应用广泛,适用于锯切各种小规格金属材料,是各类小型机械工具企业、建筑工地、金属门窗、金属材料公司等行业的必备锯削设备。 7、切割材料:金属类:碳素钢,工模具钢,不锈钢, 铝合金的棒料及厚壁管。 产品说明 电机功率 550 W 锯削尺寸 ◎Ø125mm ■130*125mm 锯条线速度 38-80m/min 转速级数 无级调速Variable 电机转速 2000~4200rpm 可转角度 0o ~ 60 o 锯条尺寸 1435x12.7x0.65mm 毛净重 26/24kg 包装尺寸 720×380×450mm
广东育菁装备有限公司 2022-02-22
全金属磨床
产品详细介绍特点:1、所有机械部分全部采用金属结构,结构件和结构件之间利用2个梯形槽对接,用金属梯形连接块; 2、电机内置散热风扇达到延长寿命和增加马力 ; 3、电机主轴皮带轮和被动轮全部为金属结构; 4、主轴箱和电机箱为一体设计,电机可以前后移动调整皮带松紧。 5.可以用来抛光、打磨,也可以手持进行各种角度研磨。 6.中心高25mm,砂纸粒度一般为100#,可根据不同的工件 及加工表面要求选择砂纸。 技术参数: 1、马达转速:20000转/分钟。 2、输入电压/电流/功率:12VDC/2A/24W。 3、工作桌面积:123 x 100mm。 4、加工材料:木材、工程塑料、软金属(铝、铜等)。 5. 变压器具有过电流,过压,过热保护
广州刘之顿电子科技有限公司 2021-08-23
恒温金属浴
恒温金属浴产品简介:干式恒温器或恒温金属浴(国际通用名:Dry Bath)采用微电脑控制,操作卫生、简洁以代替传统的水浴装置。 仪器小巧灵活可配置多种模块,控温精度高,制样平行性好,适合各种不同种类的试管。可广泛应用于分析仪器样品的保存、各种酶的保存和反应、核酸和蛋白质的变性处理、PCR反应、电泳的预变性和血清凝固等。行业遍及医药、化工、食品安全、质检、环境等领域. 恒温金属浴产品特点 1.即时温度显示、时间递减显示; 2.强大的可编程功能实行多点温度点的控制, 最多达5个温度点的温度和恒温时间的设置及连续运行 3.自动故障检测及蜂鸣器报警功能; 4.温度偏差校准功能; 5.便捷的模块更换,便于清洁与消毒; 6.内置超温保护装置; 7.LCD液晶显示,人机友好的触摸式操作界面。 MK-10(单加热)性能指标 1.温度控制范围:室温+5℃~100℃ 2.时间设置:最长99h59min 3.温度稳定性@100℃:±0.5℃ 4.显示精度:±0.1℃ 5.升温时间(25升至100℃):≤20min 6.尺寸(mm):270x190x170 7.净重:2.5kg 8.电源及功率: AC220V/120V,50/60Hz,150W 9.标配模块(LC-C或D):35*1.5ml或35*2.0ml离心管
宁波新艺超声设备有限公司 2021-12-08
稀散金属
江铜致力于建设国内综合实力最强的稀散金属生产商,稳步发展钼、铼、硒、碲、铋、铂、钯等稀散金属产业,是中国最大的碲生产商,已建立了完全自主知识产权、具有国际领先的从材料生长到器件的热电半导体生产线,建成了新材料研发、器件设计和性能测试等研发实验平台和体系,公司多项技术已达到国际领先或国际先进水平,初步形成了“元素提纯—热电材料制备—热电器件制造—应用产品开发”全产业链的竞争优势。 ■碲是地壳中最少的半导体元素。未来在“碳素燃料文明时代”向“太阳能文明时代”过渡期中,碲作为制作碲化镉薄膜太阳能电池的主要材料,将成为非常重要的战略资源。■铋是全球公认的非常安全的无毒“绿色金属”,广泛应用于医药、半导体、超导体、电子陶瓷等领域,在许多领域有望替代铅,未来需求潜力将爆发增长。■铼是真正的稀有元素,主要用于航空、航天、军事领域。我国铼的保有储量仅237吨,年产量3-5吨。由于铼的存在分散,价格昂贵,实际应用尚待开发。
江西铜业集团有限公司 2021-11-01
一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法
本发明公开了一种金属软磁复合材料的非均匀形核绝缘包覆处理方法。它包括如下步骤:1)将金属磁粉过筛进行粒度配比;2)利用非均匀形核法对配好的金属粉末进行绝缘包覆后干燥;3)将干燥后的磁粉与粘结剂混合均匀,加入脱模剂干压成型,将其压制成坯样;4)将坯样于保护气氛中保温0.5~2h,空冷,喷涂,得到目标产物。本发明采用非均匀形核法制备的复合粉末包覆均匀、致密,包覆层厚度可控,具有良好的抗氧化性、高的电阻率、高的饱和磁化强度,具有优良的磁性能和力学性能;采用非均匀形核法在金属磁粉表面均匀包覆一层Al2O3绝缘层,包覆效果优于现有方法,且可操作性强,便于批量生产。
浙江大学 2021-04-11
一种金属氧化物-分子筛复合催化剂的制备方法及其应用
本发明涉及一种金属氧化物‑分子筛复合催化剂的制备及其应用,属于工业催化技术领域。催化反应以二氧化碳和氢气为反应原料,所述催化剂由金属氧化物和分子筛复合而成。其中,金属氧化物为M<subgt;1</subgt;、M<subgt;2</subgt;、M<subgt;3</subgt;三种或其中两种金属元素组成的固溶体金属氧化物或尖晶石型金属氧化物,其中M<subgt;1</subgt;为Zn、Ga、In中的一种,M<subgt;2</subgt;为Ce、Sm、La、Fe中的一种,M<subgt;3</subgt;为Zr、Ga、Cr、Al、Ti中的一种;所述分子筛的骨架组成为硅铝氧或硅磷铝氧四面体;所述的金属氧化物采用气体扩散法制得。本专利所公开的金属氧化物采用气体扩散法制备,具有很高的比表面积(80‑300 m<supgt;2</supgt;g<supgt;‑1</supgt;)。所述复合催化剂在二氧化碳加氢制低碳烯烃(乙烯、丙烯和丁烯)的反应中表现出优异的性能,二氧化碳转化率可达35%以上,一氧化碳选择性小于40%,低碳烯烃在碳氢化合物中的选择性可达82.1%,低碳烯烃的收率达20.3%,并具有较高的催化稳定性。与传统催化剂相比,可以高效吸附、活化二氧化碳和氢气,从而提高二氧化碳转化率,制备方法简单,催化性能优异,具有很好的工业应用前景。
南京工业大学 2021-01-12
一种医用植入体表面非均相层状的矿化涂层及其制备方法
本发明公开的医用植入体表面非均相层状的矿化涂层,在医用植入体表面自下而上依次有致密壳聚糖层、多孔矿化壳聚糖层和矿化胶原/壳聚糖交联体层。本发明以胶原、壳聚糖、含钙化合物和含磷化合物为原料,在水溶液中下通过电化学反应,在医用金属基体表面一次性组装非均相层状矿化涂层,通过调节电沉积参数,可以调整各相的沉积状态,从而实现非均向层状涂层的制备。本发明方法简单,易行,可控性高,制得的医用材料涂层能够促进细胞在其表面的附着及增殖,具有承载药物的功能,且具有强化的生物活性性能。涂层与金属基板的结合强度高,稳定性好。
浙江大学 2021-04-11
层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路
通过溶剂热方法,成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片,展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用,该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm,比块体VS 2 材料的层间距(0.575 nm)增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷,丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点,层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构,从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能(∆ G H )。HER测试结果表明,该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能,具有较小的塔菲尔斜率(36 mV dec −1 )、具有较低的过电位(-43 mV@10 mA cm −2 )和良好的稳定性(60 h)。此外,通过第一性原理计算的结果表明,层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H (-0.044 eV),媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且,层间距的宽化可以降低缺陷形成能,使材料更易形成缺陷。这里,理论计算结果和实验相一致,较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控,可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路,为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。
南方科技大学 2021-04-13
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 11 12 13
  • ...
  • 168 169 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1