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一种能降解高浓度苯的纳米二氧化钛光催化剂的制备方法
本发明涉及一种能够高效降解高浓度苯的纳米二氧化钛光催化 剂制备方法，该光催化剂是将水热法制得的二氧化钛在 NH3 和 H2 气 氛下进行退火处理得到，记为 N-H-TiO2。本发明中用到的气氛为 NH3 和 H2， 通 气 过 程 中 其 流 量 均 为 200-400ml/min， 热 处 理 温 度 为 550-650℃，升温速率为 5-10℃/min，在两种气氛下的保温，待到达保 温时间后直接打开炉门，自然冷却至室温。本发明所述的 N-H-TiO2 纳米光催化剂呈淡黄色，颗粒均匀分散，优点在于它廉价的成本和简 单的工艺及高效稳定的性能，能够在可见光下快速彻底降解苯这一有 毒的挥发性有机物。本发明所述的制备方法能够实现对温度、时间和 热处理气氛的控制，具有简便可控、能耗低、效率高、无污染的优点。
华中科技大学
2021-04-13
丁酸钠在制备用于防治由植物病原菌引起的植物病害的杀菌剂中的用途
本发明公开了丁酸钠在制备用于防治由植物病原菌引起的植物病害的杀菌剂中的用途，丁酸钠作为一种新型的、绿色的、对环境友好的小分子化合物，污染少、可降解，并且具有毒性低、抗药性差，对非靶标生物及人畜安全等优点，本发明通过实验证明丁酸钠可以用于防治半知菌亚门真菌与子囊菌亚门真菌等植物病原真菌，可以用于抑制多种植物病原真菌，抑菌范围广泛，而且具有较高的杀菌率，毒性低，能够保证农产品及果蔬的高品质，符合可持续发展的要求，其研究和应用前景广阔。
青岛农业大学
2021-04-13
2 ,5 ,6位取代嘧啶酮衍生物的制备方法及其作为抗乙肝病毒药物的应用
本发明公开了一类新的2，5，6位取代嘧啶酮衍生物，其具有良好的抗乙肝病毒（HBV）活性。目前临床用于治疗乙肝病毒的药物皆为核苷类化合物。而抗HBV非核苷类化合物还处于研发阶段。探究其作用机制，对于发展新型非核苷类抗HBV药物，特别是对抗临床常用药物耐药的问题，具有特别重要的意义。
北京大学
2021-04-13
延边大学李东浩教授课题组：靶型多腔电泳同时分离与制备细胞外囊泡
本研究提出一种基于连续梯度非均匀电场结合梯度凝胶孔径分布的靶型多腔电泳装置(Circular Multicavity Electrophoresis，CME)实现细胞外囊泡的分离制备。
延边大学
2025-02-12
一种具有流感病毒神经氨酸酶抑制活性的环己烯化合物及其制备方法以及其应用
本发明提供了一种由以下通式I表示的化合物，或其药学上可接受的盐，以及解析的对映异构体与纯化的非对映体，其中：R1是H或C1-12烷基；R2是H，-C(O)R1a，-C(O)OR1a或-S(O)2R1b，其中R1a是H或C1-6烷基，R1b是选自H或C1-6烷基，卤代烷烃，苯基或芳基的基团；R3是可选被C1-4烷基取代的氨基，卤素，羟基，巯基，胍基，硝基或氰基；以及R4是-(CH2)nCO2H，-(CH2)nP(O)(OH)2，-(CH2)nCO2R1a，-(CH2)nP(O)(OR1a)2，其中R1a是H或C1-6烷基，n是0到4的整数，或以上基团的盐。本发明还提供了新的通式I表示的环己烯化合物的制备方法，以及它们作为流感病毒神经氨酸酶抑制剂在用于制备预防或治疗流感疾病的药物中的应用。
中山大学
2021-04-11
一种羟基化木质素/二氧化硅复合改性丁苯橡胶母料及制备方法及应用
本发明涉及一种羟基化木质素/二氧化硅复合改性丁苯橡胶母料及制备方法及应用，属于生物质能源化工技术领域。该羟基化木质素/二氧化硅复合改性丁苯橡胶母料的制备方法为将工业木质素用酸性水洗涤得到滤渣，将滤渣与氢氧化钠溶液混合，加热回流反应得到木质素黑液；将聚乙二醇升温融化，加入催化剂、环氧卤代烷反应得到卤代醇；将木质素黑液、卤代醇混合，搅拌反应得到羟基化木质素；将硅酸盐溶液、二氧化硅助分散剂、羟基化木质素、丁苯胶乳混合经酸沉，陈化、水洗浸泡、干燥即得。本发明采用工业木质素、硅酸盐、丁苯胶乳为原料，制备了力学性能优异的羟基化木质素/二氧化硅复合改性丁苯橡胶母料，开发利用了废弃生物资源，工艺简单。
南京工业大学
2021-01-12
我国科学家实现生物3D打印技术重要突破
生物3D打印是利用3D打印机，将含有细胞、生长因子和生物材料的生物墨水打印出仿生组织结构的新兴技术，但目前仍无法制备具有生理功能并且可以长期存活的复杂组织。
科技部生物中心
2022-04-01
我国科学家研发出高阶多重实时荧光PCR检测技术
实时荧光PCR技术是目前应用最为广泛的核酸检测技术。然而，由于主流荧光PCR仪器检测通道数目的限制，单个反应所能检测的靶基因数目很难超过6个，限制了该技术在检测涉及多靶点的复杂疾病上的应用。
科技部生物中心
2022-03-23
大型电力变压器局部放电缺陷的测量与诊断技术
该成果提出了变压器局部放电检测的系统的、全面的外部干扰排除方法；提出了变压器局部放电超宽带天线阵列定位新技术；提出了变压器内部局部放电缺陷严重程度的特征参数，进而提出了局部放电缺陷的类型和严重程度的诊断方法，并且设计并实现了相应的自动诊断软件。 研究成果通过了实验室试验验证，并在上海市电力检修公司和福建省十余座变电站得到应用。该成果抗干扰技术的在线检测结果的准确性与过去相比提高了3倍，准确率提高到95%；定位技术误差一般不超过30cm；总体运算时间在秒级，Y型优化阵列准确定位区域比现有的矩形阵列大18倍。 该成果在局部放电缺陷严重程度的诊断方法和预警预测方法方面填补了国内外空白，对放电类型的严重程度识别的准确度达到了93.3%以上。授权发明专利3项，发表SCI、EI论文14篇，并获得2012年福建省科学技术奖三等奖。
华北电力大学
2021-02-01
宽禁带半导体碳化硅电力电子器件技术
宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料是第三代半导体的典型代表之一，具有宽带隙、高饱和电子漂移速度、高临界击穿电场、高热导率等突出优点，能满足下一代电力电子装备对功率器件更大功率、更小体积和更恶劣条件下工作的要求，正逐步应用于混合动力车辆、电动汽车、太阳能发电、列车牵引设备、高压直流输电设备以及舰艇、飞机等军事设备的功率电子系统领域。与传统硅功率器件相比，目前已实用化的SiC功率模块可降低功耗50%以上，从而减少甚至取消冷却系统，大幅度降低系统体积和重量，因此SiC功率器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源”器件。 本团队在SiC功率器件击穿机理、SiC功率器件结终端技术、SiC新型器件结构、器件理论研究和器件研制等方面具有丰富经验，能够提供完整的大功率SiC电力电子器件的设计与研制方案。目前基于国内工艺平台制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶体管（图1，有源区面积0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二极管（图2）；击穿电压>5000V的SiC JBS二极管（图3）。 a b c 图1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圆照片(b)正向IV测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圆照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线 a b c 图3 5kV SiC JBS器件：(a)显微照片(b)正向导通测试曲线(c)反向击穿电压测试曲线
电子科技大学
2021-04-10