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LJB系列半导体冷阱(槽)
产品详细介绍  LJB系列半导体冷阱,应用半导体致冷器件为固体冷源,以智能化数量控温仪表为控制核心,采用大功率半导体器件为控制元件,因此,具有体积小、无噪声、操作简便、控温精度高等优点,广泛应用于军工、电子、石油化工、生物制药、大专院校及科研院所等领域,是理想的实验室和产品检测仪器。   主要技术指标  1.冷室尺寸:Φ80~Φ300mm(直径)         100~300mm(深度)  2.温度范围:+60℃~—65℃  3.控温精度:±0.5℃~±0.01℃  根据用户的具体要求,增加计祘机通讯接口和升降温速率控制的功能,根据用户的特殊要求,承接异型产品的研制开发项目。  
天津市中科电子致冷有限公司 2021-08-23
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学 2021-04-11
治疗慢性咽炎超氧化物歧化酶含片
超氧化物歧化酶(SOD)是一种源于生命体的活性物质,能消除生物体在新 陈代谢过程中产生的超氧阴离子自由基。慢性炎症的主要产物之一是超氧阴离 子自由基,因此目前慢性咽炎还没有有效的治疗药物或功能产品。本项目是基 于 SOD 的作用机制和慢性咽炎的发生机制,研制含 SOD 的含片,以达到清咽 和根治慢性咽炎的目的;咽炎的发病率高,药物需求量大,经济效益和社会效 益好。本项目已完成 SOD 的制备、抗炎活性与作用、配方筛选研究,初步的志 愿者试验含服试验可达到治愈慢性咽炎的效果。
山东大学 2021-04-13
氧化物薄膜晶体管材料及其器件
本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜,重点研究掺锌氧化铟(IZO)透明氧化物半导体薄膜;筛选合适的介质层材料,研 究和制备优质致密的透明介质层薄膜;研究制备掺钨氧化铟(IWO)高 迁移率 TCO 薄膜,使其与 TOS 薄膜具有良好的电接触特性;研究制 备采用上述透明导电氧化物电极、透明氧化物半导体沟道层和透明介 质层构成的全透明 TFT,研究 TFT 的尺寸和各种工艺技术对 I-V 特
复旦大学 2021-01-12
多元氧化物纳米薄膜及薄膜晶体管
北京工业大学 2021-04-14
一种高比表面积金属掺杂氧化物纳米空心球及其制备方法
本发明公开的一种高比表面积金属掺杂氧化物纳米空心球,其球壳是多晶的金属掺杂氧化物,晶粒尺寸在20nm以下,掺杂原子百分比为0.01~20%,空心球球壳厚度在20纳米以下,直径为80~600纳米。本发明利用模板吸附方法,通过配置吸附溶液和后续的退火处理制备得到金属掺杂的氧化物纳米空心球。本发明制备的金属掺杂氧化物纳米空心球的晶粒尺寸在20nm以下,结晶质量高,比表面积一般大于200m2.g-1。本发明的方法简单、成本较低,克服了许多金属难以实现掺杂的困难,并且掺杂浓度可以按要求随意控制,对掺杂金属种类的选择和氧化物的选择都具有极大的范围,有利于产业化的应用。
浙江大学 2021-04-13
环氧化物与二氧化碳合成环状碳酸酯
利用二氧化碳合成环状碳酸酯是目前一个比较热门的技术领域。有机环状碳酸酯是极好的、清洁的非质子溶剂,作为一种应用广泛的重要化学产品。传统环状碳酸酯的化学生产多使用具有剧毒的光气,产物中还会有强腐蚀性氯化氢的生成。对环境污染严重,不仅不符合绿色化学的要求,还对生产设备造成腐蚀。对于二氧化碳与环氧化物环加成催化反应的研究,现有多相催化技术存在活性不高、反应条件苛刻及负载型催化剂活性组分易流失等不足。本技术采用固体酸绿色催化工艺,实现多种环氧化物与二氧化碳合成相应环状碳酸
南京工业大学 2021-01-12
深度脱除燃煤烟气硫氧化物的系统及方法
本发明涉及一种深度脱除燃煤烟气硫氧化物的系统及方法,所述系统包括湿法单塔高效脱硫系统、吸收剂喷射系统和湿式静电烟气净化系统,所述湿法单塔高效脱硫系统与吸收剂喷射系统相连通,吸收剂喷射系统与湿式静电烟气净化系统相连通,湿式静电烟气净化系统与烟囱相连通。本发明可以实现燃煤烟气中SOx的综合净化,实现SOx超低排放,达到燃气标准并可进一步实现SO2和SO3的深度净化,实现SOx排放浓度低于20mg/Nm3。
浙江大学 2021-04-11
一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法
(专利号:ZL 201410514805.8) 简介:本发明公开了一种钬钴氧化物纳米棒及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明的钬钴氧化物纳米棒由HoCoO3单相构成,长度约1μm,直径约50nm。其制备方法的要点是:将钴盐、钬盐、表面活性剂按一定摩尔比溶入水和聚二醇混合溶剂,其中水与聚二醇体积比为100:10~20,然后加热到80~100℃,搅拌时间至少1h;然后将水合肼和氢氧化物依次加入,其中水合肼和水溶性钴盐摩尔比为1~3:1
安徽工业大学 2021-01-12
高比能量富锂锰基层状氧化物正极材料
北京工业大学 2021-04-14
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