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借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学
2021-04-11
含镧、钇元素的低碳钢焊条
本发明公开了一种含镧、钇元素的低碳钢焊条，属焊接材料技术领域。该焊条药皮主要组分(重量比)为：中碳锰铁8～9％，低碳金红石20～29％，长石6～9％，云母6～8％，大理石7～10％，还原钛20～24％，白土子3～5％，竹粉3～4％，镧3～3.6％，钇0.5～0.7％。将上述组分的药粉材料混合均匀后用钠水玻璃做粘结剂在活塞式油压机上将药粉压涂在直径为4mm的H08A焊芯上做成低碳钢焊条。优点是：该焊条和现有E4303型酸性焊条(低碳钢焊条)相比，保持了原酸性焊条优良的焊接工艺性能，而且冲击功提高了35～43.8％，延伸率提高了20～35％，抗拉强度提高了10.9～12.8％，屈服强度提高了10.6～11.8％。
江苏师范大学
2021-04-11
石彬
石彬，男，汉族，1982年7出生，山东东营人，毕业于中国石油大学（华东）电气工程及其自动化专业，2012年6月获项目管理领域硕士学位，专利代理人、技术经纪人、创业咨询师，中国地球物理学会国家级高级研修项目计划特聘讲师，现任学校技术转移中心主任，中国高等教育学会科技服务专家指导委员会委员。
长期致力于高校科技成果转化及技术转移、知识产权保护、产学研对接、技术创新等工作，主要研究方向为科技成果转化、知识产权运用与保护等。先后主讲《大学生创新与创业》、《大学生职业生涯规划》、《专利知识论述》、《专利撰写实务》等课程。
石彬
2023-03-31
单晶机器人
该研究在微纳尺度下对单晶智能材料（二氧化钒）进行相畴结构的工程化有序调控，是目前为止最为简化的驱动器件结构设计。这一成果也使得高性能、高稳定性的微纳单晶机器人成为可能。
南方科技大学
2021-04-14
石丽洁
石丽洁
所在学科：凝聚态物理
职称：副教授
科研方向：
二维材料电子性质调控
稀磁半导体和半金属的铁磁性产生机制的研究； 半导体掺杂机制的研究；
稀磁半导体光学性质的研究
石丽洁
2021-12-31
大尺寸蓝宝石单晶
蓝宝石单晶作为一种优良的透波材料，在紫外、可见光、红外波段、微波都具有良好的透波率，可以满足多模式复合制导（如电视等）的要求；同时蓝宝石单晶具有优良的机械性能、化学稳定性和耐高温性能高，强度高、硬度大、可在2000℃的恶劣环境下工作。由于蓝宝石电绝缘、透明、易导热、硬度高，在民用领域得到广泛应用，作为集成电路的衬底材料，替代了高价氮化硅衬底而被广泛用于超高速微电子电路；是发光二极管（LED）衬底的首选材料，采用蓝宝石衬底材料制成的发光二极管，其光源无灯丝、工作电压低，使用寿命可达5万到10万小时，
哈尔滨工业大学
2021-04-14
华石1号杨、华石2号杨
中试阶段/n该项目“华石1号杨” 与“华石2号杨”均为高大乔木，干形通直圆满，尖削度小，分枝粗度中等，枝成层性明显，侧枝较细，分枝匀称。在湖北省一般3月下旬萌芽，4月上旬展叶，落叶期为11月中旬至下旬。9年生“华石1号杨”的平均树高24.55 m～26.93 m，胸径26.63 cm～27.98 cm，单株材积0.5024m3～0.6142 m3，冠幅6.0 m×6.8 m，枝下高7.10 m，具有优良的速生性、抗逆性和适应性强等特点。胸径年均生长量3.0 cm～4.0 cm，树高年均生长量3.0
华中农业大学
2021-01-12
一种钇酸锶纳米针的制备方法
（专利号：ZL 201510972807.6） 简介：本发明公开了一种钇酸锶纳米针及其制备方法，所述钇酸锶纳米针由BaGd2O4单相构成，长度为2~4μm，纳米针尖端直径为40~60nm。所述钇酸锶纳米针及其制备方法是：首先将水溶性钡盐与水溶性钆盐加入水中溶解，恒温后进行超声搅拌；其次将羧酸、聚二醇和表面活性剂添加到前述所得混合物之中进行反应；然后将反应后所得混合物置于反应釜内并密封，进行加热保温；最后将前述所得混合物冷却、离心分离、清洗、烘干后即得产物。本发明在制备过程中无需模版，需要的工艺条件简单，易于控制，加热不需要超过200oC，能大大降低能耗和生产成本。
安徽工业大学
2021-04-11
单晶LaB6空心阴极
北京工业大学
2021-04-14