研究团队在薄膜研究方面，前期工作主要集中在:1)高性能透明导电薄膜 研发。所制备的液晶光学窗口元件实现可见区平均透过率大于 90%，明视觉反射 率分别为:8 度 0.24%，15 度 0.21%，30 度 0.27%;方块电阻低于 13 欧姆，理论 电磁屏蔽能力优于 24dB，经用户确认，性能指标处于国内领先，达到国际先进 水平。填补了高性能透明导电薄膜研发的空白，打破了西方国家在该领域的技术 垄断。该研究工作为透明导电薄膜关键元件在国防军工产品的装备应用提供理论 依据和技术支撑。2)1064 带通

一、 项目简介“硅单晶碱性抛光液及清洗液”项目,始自七十年代中期,不断对产品研发与升级。FA/O硅单晶碱性抛光液，具有较高的抛光速率，能有效去除衬底表面损伤层，表面微粗糙度较低，可解决衬底片结底不平引起的噪声增加、漏电流增大，实现了表面高完美性，提高了衬底片器件区的可靠性与衬底片良品率。FA/O硅单晶清洗液，采取特有的物理优先吸附，有效去除抛光片表面颗粒物、有机物沾污，清洗后衬底片表面重金属离子降至ppm级，达到了易清洗、高洁净。二、 项目技术成熟程度该项目的研发、应用，满足了硅单晶衬底片加工高去除速率、低表面粗糙度、高表面完美性、易清洗、高表面洁净、高可靠性等指标的工业要求。自1994年至今，产品已累积销售一千多吨，性能稳定、质量可靠。三、 技术指标（包括鉴定、知识产权专利、获奖等情况）抛光液抛光速率1.2-1.5um/min,粗糙度达A级。清洗剂可达到微电子的需求。研发的抛光液获国家1983年发明四等奖、1990年发明三等奖、清洗技术获1999年国家三等奖。抛光液、抛光清洗液列为国家级科技成果重点推广计划，列为国家重点新产品。申请专利授权中3项，授权6项。四、 市场前景（应用领域、市场分析等）据统计，仅中国（含台湾地区）硅单晶抛光液的年需求额40多亿元。FA/O硅单晶碱性抛光液，广泛用于硅分立器件、功率器件与集成电路衬底片加工。已多年供应国内华润华晶、洛阳鼎晶、深圳深爱等多家知名企业，被指定唯一用于国家航天神五至神十专用集成电路高可靠衬底抛光片加工，具有广泛的市场应用前景。FA/O硅单晶清洗液，广泛用于要求易清洗、高洁净的硅衬底片清洗。已被中科晶电信息材料有限公司等多家知名企业应用，市场应用前景广泛。五、 规模与投资需求（资金需求、场地规模、人员等需求）年产量5000吨的生产规模投资为约3000万元，需千级以上超净化厂房。可依产能需求调整资金投入。产品生产控制节点少，操作人员需求少，适于自动化生产。六、 生产设备低压真空系统、百级超净车间、去离子水系统等。七、 效益分析生产工艺与操作简单、成本低、环保性好，效益较高。八、 合作方式主要采取合作生产、代理代销，可提供技术支持与培训，或面谈。九、 项目具体联系人及联系方式（包括电子邮箱）项目联系人：刘玉岭 联系电话：022-60204128Email：liuyl@jingling.com十、 高清成果图片2-3张

光催化剂的实用化研究一直受到人们的广泛重视，目前的研究热点主要集中在探索新型光催化材料，将凹凸棒土的高吸附特性和光催化技术结合起来，将活性光催化剂负载在凹凸棒土表面，可以解决光催化剂的固定化问题，明显提高催化剂的光催化性能；同时，由于凹凸棒土的特殊棒晶状结构，使光催化剂易于沉降、分离，重复利用， 解决了催化剂的重复利用问题，具有突出的优点和特点。 技术特点：一种 CO2 转化为环碳酸酯的高效纳米催化剂及其制备方法，通过将天然凹凸棒矿石粉碎筛选，去除杂质，得到凹凸棒粉末 后分散到第一溶剂中，加入改性剂

无机环保颜料是无机颜料品种中新出现的一类能够满足人们对 环境和健康要求的颜料。这类颜料的特点是组成中不含有对人体和环 境有害的元素和化学物质。无机环保颜料中最重要的就是环保型彩色 混相无机颜料。 技术特点：凹凸棒石是一种以凹凸棒石为主要成分的含水富镁、铝硅酸盐矿物，其独特的纳米棒状结构和表面活性硅烷醇基团赋予其大的比表面积和优异的吸附性能，可利用凹凸棒石的元素组成与结构特点，研制出不同种类的无机环保颜料，改善颜料纯度和色泽，降低颜料成本。

一种湿法刻蚀镍酸镧薄膜和铁电薄膜/镍酸镧复合薄膜的腐蚀液，由双氧水、硝酸、氢氟酸和纯净水配制而成，纯净水、双氧水、硝酸、氢氟酸的体积比为：纯净水∶双氧水∶硝酸∶氢氟酸＝1∶2～3∶0.5～1.0∶0.06～0.12。所述腐蚀液的制备方法，按上述配方在常温、常压下将计量好的纯净水与双氧水混合均匀，然后加入计量好的硝酸并混合均匀，继后加入计量好的氢氟酸并混合均匀。所述腐蚀液可干净、彻底地一次性去除SiO2 和/或Pt表面的LNO薄膜或LNO复合薄膜，得到边缘清晰、侧蚀比小的刻蚀图形。

氧化铁石墨烯复合材料目前涉及的电化学方面的应用包括锂离子电池、超级电容器和燃料电池。氧化铁（包括Fe3O4，α-Fe2O3和γ-Fe2O3）是制作电化学器件非常有前途的材料，不仅具有成本低、无毒性、化学稳定性好等优点，还具有较高的理论电容量。但在实际使用时又因为自身导电性的不足以及反应的循环稳定性差等问题受到了限制。石墨烯因其具有超高的比表面积，较高的导电性，优异的化学和热力学稳定性，以及独特的光、热、机械性能，成为了非常合适作为制作电化学能源存储和转化器件的材料。负载氧化铁在石墨烯上，不仅能够弥

本世纪初，高性能铁电压电单晶材料的发现是自上世纪五十年代发现压电陶瓷材料以来压电材料领域的激动人心的革命性突破，它将为新型的电声和电光器件及应用领域带来历史性的机遇。近20年来，本课题组在国防军工，国家自然科学基金，科技部及省科技厅的大力资助下，深入开展了这种单晶材料生长技术和相关器件研究，单晶材料现可以小批量生产和供应，开始试用，相关器件正在研制中，技术水平处于国际先进水平，部分学术成果获得国家自然科学二等奖和教育部自然科学一等奖，技术成熟度已达到5-6级。

中试阶段/n作为第三代半导体的核心基础材料之一的 ZnO 晶体既是一种宽禁带半导体，又 是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院半导体研究所的科 研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸 ZnO 单晶材料的新型技术方法-化学气 相传输法（CVT 法）。III 族氮化物 GaN、AlN 及其三元组合化合物是制造波长为 190nm-350nm 的发光器件和新型大功率电子器件的基础材料。AlN 具有高热导率 （3.4W/cmK），与高 Al 组份的 AlGaN 材料和 GaN 材料晶格匹配等

在太阳能光伏发电和电子工业的快速发展的情况下，大直径、高纯度的晶体硅的需求越来越大。该项目利用磁场结合覆盖液技术，获得了磁场和覆盖剂共同控制下热对流及温度波演化的三维时空图像，以及磁场强度、几何特征及覆盖剂的厚度、杂质等外在参数对单晶硅生长质量控制，通过抑制熔体的热对流和温度波动，降低熔硅与石英坩埚的反应速率，控制氧的浓度和分布，从而在磁场中生长出高质量大直径的硅单晶。该技术主要技术特点：（1）结合覆盖剂的应用，获得不同磁场下，硅熔体内热对流产生的临界条件、演化规律；（2）在磁场作用