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全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学
2021-04-13
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2 V -1 s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高亮度新型发光晶体管（技术）
成果简介：发光晶体管是一种集发光和晶体管的“开/关”功能于一体的光电 子集成器件，它在发光器件、光互联的集成电路和激光二极管中具有多种重 要的应用前景。它不仅能增加发光单元像素点的孔径，而且由于开关晶体管 数量的减少而降低主动矩阵显示的制造费用，能耗低。再者，通过栅压来控 制载流子积累及连续地从源极和漏极注入载流子，这是给有源层提供载流子的一种独特方法，可以研究电场作用下量子点的光电性质。 基于石墨
北京理工大学
2021-04-14
制造电化学晶体管的方法
本发明公开了利用并列喷嘴喷印制造柔性电化学晶体管的方法， 包括以下步骤：1)注入溶液；2)沉积网格状纤维结构；3)网格状纤维结 构自组装。本发明工艺简单，采用并列静电纺丝工艺，一步制得微纳 纤维，并且通过平台运动控制可直接实现阵列化纤维的制造；工序简 单，借助于表面张力驱动的自组装工艺可大面积稳定可靠实现 WECT 源极、漏极与栅极的连接；其成本低，效率高，静电纺丝以及自组装 工艺极大缩减了制造时间与材料用量；材料兼容性好，制造过程均未 涉及高温工艺，有机、柔性材料均可得到极大的运用。
华中科技大学
2021-04-14
32007氯化钠晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
一种以废石膏为钙源制备纳米碳酸钙浆料的方法、产品及应用
本发明公开了一种以磷石膏为钙源制备纳米碳酸钙浆料的方法，向废石膏中加入水配制成石膏浆料，将氨水与石膏浆料搅拌混合，通入二氧化碳，并搅拌至废石膏中硫酸钙完全转化为纳米碳酸钙，过滤，将滤饼分散于水中得到纳米碳酸钙浆料。本发明方法简单易行，成本低廉，碳酸钙分解温度低。本发明还公开了上述方法制备的纳米碳酸钙浆料及其在制备氧化钙基二氧化碳吸附剂和用于反应吸附甲烷水蒸汽重整制氢的复合催化剂中的应用。制备得到的氧化钙基二氧化碳吸附剂循环稳定性好、吸附速率高，复合催化剂用于甲烷水蒸汽重整制氢，能制备得到纯度90％以上的氢气。
浙江大学
2021-04-11
场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管
本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方 法，包括:(1)在基板上制备有机半导体薄膜;(2)利用电流体直写工艺， 在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维;(3)通过电流体直写 制备与之垂直的平行介电纤维;(4)在基板上真空沉积金属;(5)在介电 纤维两端涂覆导电银浆，引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。 本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道，沟道长度尺寸与纤 维直径尺寸相当，能够达到亚微米甚至纳米级，同时该纤维也是晶体 管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积，可同时形成场效应
华中科技大学
2021-04-14
二氧化钒基单晶体的制备方法及二氧化钒基单晶体
绝缘体-金属相变材料领域。 利用简单易行的方法制备大尺寸高质量二氧化钒单晶体，实现了二氧化钒单晶体电阻的快速温度响应。
中国科学技术大学
2021-04-14
牙釉质激光诱导矿化再生修复
在龋病导致的牙齿缺损修复方面，牙釉质的修复是关键问题。牙釉质位于牙齿最外层，是人体内矿化程度和硬度最高的组织，其结构特征主要由高度有序排列的羟基磷灰石纳米棒（95% v/v）和少量的有机基质组成。但目前临床上广泛使用的口腔修复材料，都是银汞合金、复合树脂等已经使用了几十年的传统材料。这类口腔修复材料都是生物惰性材料，不具备生物活性，并且其结构性能都明显有别于牙釉质本身， 不能恢复牙体组织的原始结构，理化性能不匹配，容易发生继发龋坏，对患者造成进一步损害。近年来，再生医学及纳米技术的发展为口腔材料的开发提供了新的思路。
北京大学
2021-02-01
煤矿冲击矿压灾害监测与治理技术
中国矿业大学长期进行煤矿冲击矿压灾害监测与治理研究。针对目前煤矿坚硬顶板区域冲击危险性预测及治理、煤柱区冲击危险的预测与治理等关键技术问题，以岩层运动与围岩应力场为基础，研究煤岩体强度弱化减冲理论，巷道围岩的强弱强结构效应，形成以综合指数法、矿震法、电磁辐射法和钻屑法为一体的冲击矿压矿震预测预报技术，以松散煤岩体为主的治理技术，以柔性蓄能为主的防冲支架与支护技术，从而建立煤矿冲击矿压防治理论与技术体系。研究成果位居世界先进水平。 （1）深入研究了煤层型冲击矿压发生的机理，提出了煤岩体弹塑脆性模型，建立了煤岩破坏的流变冲击模型和较为统一的冲击危险前兆信息识别模型。 （2）解释了煤岩体冲击破坏的脆性冲击和延时冲击现象，提出了煤岩冲击破坏的危险性评价方法和冲击矿压预测预报的电磁辐射监测技术，率先采用电磁辐射技术成功地预测冲击矿压危险，建立了相应的预测准则和技术。形成以综合指数法、矿震法、电磁辐射法和钻屑法为一体的冲击矿压矿震预测预报技术。 （3）建立了煤岩强度弱化减冲理论，巷道围岩的强弱强结构效应，设计试验了柔性防冲支架并在现场得到了试验应用，形成了独特的冲击矿压发生机理、电磁辐射仪器预测、松散煤岩体治理技术以及柔性防冲支架的整套理论与技术体系。
中国矿业大学
2021-02-01