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低维钛酸盐与树脂基耐磨复合材料的设计和工业化应用
此项目荣获2008年中国石油和化学工业协会技术发明一等奖，并先后获得国家杰出青年基金、国家自然科学重点基金、863计划、国家科技支撑计划等项目支持。授权6项和公开4项发明专利已形成发明专利族。
南京工业大学
2021-01-12
在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法
一种在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法，其特征是它由混合粉压实片预制和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的混合粉压实片预制是指将镍基自熔性合金粉末、氧化镧粉末先用球磨机混合均匀，然后烘干，最后在压力机上压制成片。所述的激光熔覆处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面，然后进行激光熔覆加工。本发明通过添加氧化镧（La2O3），提高了镍基涂层粉末对激光热的吸收性能，提高了涂层与基体的界面融合性能。产品性能、指标本发明熔覆工艺性能优良，涂层组织致密，界面结合好，
江苏大学
2021-04-14
在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法
项目简介 一种在钛金属表面制备高质量镍基合金涂层的激光熔覆方法，其特征是它由混合粉 压实片预制和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的混合粉压实片预制是指将镍基自熔性 合金粉末、氧化镧粉末先用球磨机混合均匀，然后烘干，最后在压力机上压制成片。所 述的激光熔覆处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面，然后进行激光熔覆加 工。本发明通过添加氧化镧（La2O3），提高了镍基涂层粉末对激光热的吸收性能，提高 了涂层与基体的界面融合性能。 产品性能、指标 本发明熔覆工艺
江苏大学
2021-04-14
在钛金属表面制备 Nb 基多元元素粉末熔合合金涂层的方法
项目简介 一种在钛金属表面制备 Nb 基多元元素粉末熔合合金涂层的方法，它由预制由 Nb 粉、 Sn 粉、Zr 粉、Ti 粉组成的混合粉压实片和激光熔覆处理二个步骤组成。所述的预制混合 粉压实片是指将一定质量百分比的 Nb 粉（62.2%）、Sn 粉（26.5%）、Zr 粉（10%）、Ti 粉 （1.3%）先用球磨机混合均匀，然后烘干，最后在压力机上压制成片。所述的激光熔覆 处理是指将压制片放置在经清洁处理的钛合金表面，然后进行激光熔覆加工。本发明熔 覆工艺性能优良，涂层组织致密，界
江苏大学
2021-04-14
在钠金属薄膜和等离激元光子器件研究方面上的重要突破
研究团队发展了独特的液态金属旋涂工艺，制成了金属钠薄膜，首次揭示了金属钠膜的优异光波段等离激元特性。
北京大学
2021-04-11
一种超高速率充放电超级电容器薄膜电极的制备
高校科技成果尽在科转云
电子科技大学
2021-04-10
高模量低收缩聚酰亚胺薄膜的产业化关键制备技术研究
本项目针对目前国内挠性印制线路板及材料在生产及应用中存在的问题，在研究团队前期开发的高模 低缩聚酰亚胺薄膜配方体系的基础上，从市场需求及产业化的角度，优选具有显著分子间相互作用力的体 系，开展聚合物前驱体聚酰胺酸胶液的实验室小试、中试及产业化规模制备、胶液流延和薄膜制备过程中 的关键技术研究，获得一套稳定可靠的产业化工艺参数，制备具有自主知识产权的新型高模低缩聚酰亚胺 薄膜产品，打破该产品国外垄断的局面。
中山大学
2021-04-10
一种二元前驱体合成伸展石墨烯复合薄膜的制备方法
本发明属于半导体纳米复合材料的制备技术领域，涉及一种利用二元前驱体合成石墨烯复合薄膜的制备方法。该发明采用简单的两步合成路线，通过在水热法中合成两元前驱体，然后经过高温处理使四氧化三铁纳米颗粒均匀的分散在石墨烯纳米薄膜的表面。相对于其他合成方法，此方法制备的石墨烯复合薄膜具有伸展更充分，Fe3O4纳米粒子粒径更均匀，分布范围窄等优点。借助本发明提供的方法，制备出的石墨烯纳米复合薄膜可作为锂离子电池的负极材料，显示了较高的电容量和循环稳定性。通过本发明提供的无机半导体和石墨烯复合纳米材料制备方法，可制备多种不同种类的复合材料，制备出的复合材料在锂离子电池，无机太阳能电池，药物的靶向缓释与治疗等方向具有实际的应用前景。
青岛大学
2021-04-13
低粗糙度低方阻的柔性透明导电复合薄膜及其制备方法
本发明属于光电子技术领域，更具体地，涉及一种低粗糙度低 方阻的柔性透明导电复合薄膜，该薄膜为三层复合结构，最底层为透 明聚合物薄膜，中间层为金属纳米线构成的导电网络，最顶层为均匀 覆盖在所述透明聚合物薄膜与导电网络上的透明导电层，该柔性透明 导电复合薄膜的平均粗糙度小于 20 纳米，方阻低于 30 欧姆/平方米， 可见光范围内保持高于 80％的透光率，该透明导电薄膜能够承受曲率 半径 2 毫米的弯折。本发明还公开了该
华中科技大学
2021-04-14
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法
一种 Sb2(Sex,S1-x)3 合金薄膜及其制备方法，属于半导体材料 与器件制备领域，解决现有 Sb2Se3 和 Sb2S3 薄膜禁带宽度和能带位置 固定的问题，以实现禁带宽度和能带位置的连续可调，得到禁带宽度 和能带位置更加合适的无机半导体材料。本发明的 Sb2(Sex,S1-x)3 合 金薄膜，由 Sb2(Sey,S1-y)3 合金粉末作为蒸发源或者 Sb2Se3 粉末和 Sb2S3 粉末作为蒸发源，通过近空间升华法在衬底
华中科技大学
2021-04-14